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ELECTRONICON整流管
上海航欧销售ELECTRONICON电容器ELECTRONICON电力电容ELECTRONICON整流管 传感器 SK-4-M12-b-VA/PTFE BCSM12T4D-XXS40C-EP02-GZ01-002(BCS0018) 传感器 SK-8-M12-nb-VA/PTFE BCSM12T4D1-XXS80G-EP02-GZ01-002 压力开...
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型号:MDC 电压:1000(V) 控制方式:二*管 *性:二*管 封装形式:塑封可控硅公司专门从事电力半导体器件的开发与生产的化工厂。主要产品有:KP、ZP、KK、KS、KG、ZK、MT、MD、*、KBPC、GTO、GTR、IGBT等各种晶闸管、整...
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品牌/商标 台基 型号/规格 非*缘型整流管模块 控制方式 单向 *数 二* 封装材料 树脂封装 封装外形 平底形 关断速度 普通 散热功能 不带散热片 频率特性 中频 功率特性 *率
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品牌:*州 型号:ZK500A1000V 封装形式:功率型 装配方式:直接安装 封装材料:陶瓷封装 反向电压:1000(V) 整流电流:500(A) 应用范围:快速关断(阶跃恢复)凸型电压从100V!~2000V都有
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上海密莱电气有限公司
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平板整流管
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品牌:上整 型号:晶闸管整流管混合模块MTF MTF2 额定电压:150A(V) 额定电流:1800-2000V(A) 产品:根据要求或型号中标示晶闸管整流管混合模块MTF MTF2。所标示的价格为参考价格,以*终报价为准,产品的供货时间除现...
电话:21-51082245
品牌:上整 型号:MDC、MDK、MDA、MDX、MD 应用范围:普通工业 整流元件:可控硅/晶闸管特征 ■芯片与底板电气*缘, 2500V交流电压 ■国际标准封装 ■全压接结构,优良的温度 特性和功率循环能力 ■350A以下模块皆为强迫...
电话:021-63210291
品牌:国产 型号:MDC250A/1600V 应用范围:整流桥、高压硅 结构:面接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 功率特性:大功率 频率特性:中频 正向工作电流:250(A) 反向电压:1600(V)上海西整整流器厂...
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品牌:上海双旭 型号:MDC25A 应用范围:整流 结构:面接触型 材料:硅 封装形式:金属封装 反向电压:1600(V) 可控硅、晶闸管、整流管、二*管、晶闸管模块◆模块特征:■ 电流:25-1000A--------■ 重复峰值电压:100-3000...
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基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布,旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower(CFP)封装二极管系列产品组合再添新产品。新增产品包括4个采用CFP3和CFP5封装的650V、1A器件,可应用于车载充电器(OBC)和电动汽车逆变器,以及工业应用中的功率...
电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性,主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。(一)整流二极管的主要参数1.IF—平均整流电流。指二极管长期工作时允许通过的正向平均电流。该电流由PN结的结
与SBD相比,SR可以承受更高的阻断电压。 表1 给出了UMOS管和VMOS管两种结构的性能参数。 表1 UMOS管和VMOS管结构的性能参数比较 由表1 可知,用做SR的MOS管比较好的器件是UMOS。而且,对同一系列的SR,额定阻断电压越高,RDS(on)越大。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dz...
功率MOS管有寄生的二极管,称为体二极管,其恢复时间trr与存储在体二极管内的多余电荷成正比。一般功率MOS管的体恢复时间trr约为200ns,希望皿体二极管的trr也和SBD一样,能控制在10ns左右。此外,体二极管的通态损耗与其正向压降UF成正
SR的功耗,可以用式(7-5)近似表示: 式中 项——正向通态损耗,其中IFrms为正向电流有效值; RDS(on)——功率MOS管的通态电阻; 第二项——开关过程中功率MOS管输入电容Cin充放电引起的损耗,其中f为开关频率; Cin——等效输人电容; UG...