400V
HER205
硅(Si)
固锝good-ark
整流管
否
DO-15
2A
电话:02083186687
手机:13928786606
MBR20100CT
中光
TO-220AB
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
100
20A
电话:0519-69806757
手机:
美国固特 GOLD
MDC90-110A
此款密封性能好,广泛地应用在直流电源、电焊机、直流电机、电池充放电、PWM变频器整流等
半桥
*率
高频
90-250AC(V)(V)
1600(V)(V)
手机:
是
丹威
ZP200A
普通工业
二*管(排)
*率
200A(A)
1.8(V)
手机:
整流管
是
MY
MYNK-1
多种
-
-
-
手机:
SHINDENGEN/新电元
整流管焊接二*管
GTO(门*关断)
三*
金属封装
平板形
高频(快速)
不带散热片
手机:15312165678
是
整流管
否
MIC
1N4004
硅(Si)
400v
手机:
*率
砷(As)
否
3
25--1000
400-3000
MDC25--1000A
整流管
手机:13401482688
是
整流管
否
PANJIT/强茂
1N5391-1N5399
硅(Si)
1.5A 50V-1000V
整流
手机:
否
快恢复二*管
是
MIC
1N4000 FR HER 6A 8A 10A
硅
电话:86 518 85430567
手机:13305120376
20(℃)
1
硅(Si)
是
1
1
1
UF5404
电话:86 0510 82264488
手机:13914246839
1.3(V)
30(A)
1600(V)
全桥
是
150(℃)
此款密封性能好,广泛地应用在直流电源、电焊机、直流电机、电池充放电、PWM变频器整流等
MD30A1600V
电话:0510-85160233
品牌:国产型号:4007产品类型:整流管结构:点接触型材料:硅(Si)封装形式:直插型封装材料:塑料封装功率特性:小功率频率特性:中频正向直流电流IF:1(A) 反向电压:1200(V) 我公司是常州地区声誉良好的一家...
电话:0519-86261592
是
整流管
否
椿整
ZP200A
硅(Si)
电话:0512-50111356
MDTC25A
固特
MDTC25A模块是可控硅整流管混合模块(可控整流模块),固特公司严格按照国际标准工艺制造。将功率半导体钝化芯片(晶闸管芯片/整流管芯片)以国际标准电路结构封装结合,具有优良的温度特性和功率循环能力、低通态压...
电话:0512-53377200
手机:13405685544
MIC
1N4007
直插 贴片
大功率
高频
电话:0519-83717392
品牌:GOLD 型号:MDC 应用范围:触发器 整流元件:可控硅/晶闸管 功率特性:大功率 频率特性:高频 交流输入电压:100-240(V) 直流输出电压:0-32(V) 直流输出电流:80(A) 正向峰值电压:1.69(V) 反向重复峰值电压:1....
电话:0512-55216326
整流管
是
ZRE
RL207
硅(Si)
是
HCH
RL207
电话:0515-89119100
型号:各种型号 规格尺寸:6-35(mm) 材质:铁片钼片可选 用途:整流硅整流管芯 5A,10A,20A,30A,50A,100A,200A,300A,400A,500A等,自己生产可订做各种型号 材质: 铁片,钼片可选 . 详细面议
电话:0512-55008017
品牌:瑞和 型号:MTX70A 控制方式:GTO(门*关断) *数:二* 封装材料:陶瓷封装 功率特性:*率可控硅 额定正向平均电流:70(A) 控制*触发电压:0(V) 控制*触发电流:20(mA) 高新技术厂家,国内多家大型焊机厂商,变频器...
电话:519-82886718
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布,旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower(CFP)封装二极管系列产品组合再添新产品。新增产品包括4个采用CFP3和CFP5封装的650V、1A器件,可应用于车载充电器(OBC)和电动汽车逆变器,以及工业应用中的功率...
电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性,主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。(一)整流二极管的主要参数1.IF—平均整流电流。指二极管长期工作时允许通过的正向平均电流。该电流由PN结的结
与SBD相比,SR可以承受更高的阻断电压。 表1 给出了UMOS管和VMOS管两种结构的性能参数。 表1 UMOS管和VMOS管结构的性能参数比较 由表1 可知,用做SR的MOS管比较好的器件是UMOS。而且,对同一系列的SR,额定阻断电压越高,RDS(on)越大。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dz...
功率MOS管有寄生的二极管,称为体二极管,其恢复时间trr与存储在体二极管内的多余电荷成正比。一般功率MOS管的体恢复时间trr约为200ns,希望皿体二极管的trr也和SBD一样,能控制在10ns左右。此外,体二极管的通态损耗与其正向压降UF成正
SR的功耗,可以用式(7-5)近似表示: 式中 项——正向通态损耗,其中IFrms为正向电流有效值; RDS(on)——功率MOS管的通态电阻; 第二项——开关过程中功率MOS管输入电容Cin充放电引起的损耗,其中f为开关频率; Cin——等效输人电容; UG...