从2025年起将向全球电动汽车供货，助力延长续航里程和系统的小型化 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和栅极驱动器IC已被日本先进的汽车零部件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称“日立安斯泰莫”）用于其纯电动汽车（...
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出新一代Si-IGBT（硅基绝缘栅双极晶体管）器件——该产品以更小的尺寸带来更低的功率损耗。针对下一代电动汽车（EVs）逆变器应用，AE5代IGBT产品将于2023年上半年在瑞萨位于日本那珂工厂的200mm和3...
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出新一代Si-IGBT（硅基绝缘栅双极晶体管）器件——该产品以更小的尺寸带来更低的功率损耗。针对下一代电动汽车（EVs）逆变器应用，AE5代IGBT产品将于2023年上半年在瑞萨位于日本那珂工厂的200mm和3...
村田制作所开发出了大容量、高耐热性层积陶瓷电容。该电容面向混合动力车用于驱动马达的逆变器。此前混合动力车及电动汽车用于驱动马达的逆变器，通常采用容量较大的薄膜电容及铝电解电容作为稳压电容。不过，这些电容的耐热性较低，用于驱动使用这些电容的马达的功率
显示了 IRS 电动机模拟器针对作为被测设备 (DUT) 的三相逆变器的基本设置：该概念基于直接让两个逆变器相互运行的想法 - 三相和 DC-Link 都直接耦合。 作为电池模拟器，可以使用标准电源。通过适当控制电机模拟器，相电流通过相线圈从 DUT 流向模拟器，并...
