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ST将参加CEA-Leti的多电子束曝光开发项目 在Crolles的试制生产线上开发电子束技术

意法半导体(STMicroelectronics)与法国CEA-Leti宣布,意法半导体将参加CEA-Leti推进的无掩模光刻共同技术开发项目“IMAGINE”。该项目为期3年,旨在确立可实现采用了多光束方式电子束(EB)曝光设备“MAPPER”的

分类:名企新闻 时间:2010/1/22 阅读:132 关键词:电子束 

台积电将参与CEA-Leti研究计划发展多重电子束微影技术

台积电(TSMC)宣布,已与法国半导体研究机构CEA-Leti签订合作协议,将参与由CEA-Leti主持的IMAGINE产业研究计划,就半导体制造中的无光罩微影技术进行合作。IMAGINE研究计划为期三年,参与的公司皆可取得无光罩微影架构供IC制造

分类:名企新闻 时间:2009/7/13 阅读:103 关键词:电子束 

TSMC参与CEA-Leti,发展多重电子束微影技术

台积电(TSMC)宣布,已与法国半导体研究机构CEA-Leti签订合作协议,将参与由CEA-Leti主持的IMAGINE产业研究计划,就半导体制造中的无光罩微影技术进行合作。IMAGINE研究计划为期三年,参与的公司皆可取得无光罩微影架构供IC制造

分类:名企新闻 时间:2009/7/10 阅读:98 关键词:TSMC 电子束 

电子束技术突破复杂的设计周期

随着工艺成本的提高以及设计周期复杂性的增长,电子束直写(EBDW)的适用范围变得更广泛,包括原型的开发和ASIC的生产。对先进的标准单元和系统级芯片(SoC)器件来说,制造成本和设计复杂性都不断提升,这迫使很多潜在的代工厂客户不得...

分类:业界要闻 时间:2009/3/3 阅读:1175 关键词:电子束 

Mapper向台积电发货电子束光刻系统用于22nm节点

MapperLithography日前表示,公司已经向台积电(TSMC)发货了其首套300mm多电子束(e-beam)无掩膜光刻工具,用于22nm工艺研发和器件原型制作。“Mapper的技术为22nm及更高节点具有成本效益的制造提供了很大的保障,”

分类:名企新闻 时间:2008/10/14 阅读:97 关键词:电子束 

什么是电子束交叉链接?

电子束辐射电缆护套的塑料部分。这一工艺通过将相邻分子相互交叉链接,从而改善绝缘材料的热学特性和机械特性。换言之,电子束将在以下方面改变塑料的聚合结构:增强耐热性(可将温度范围扩大自70°C至100°C以上,或更高)增强机械稳定...

分类:业界要闻 时间:2008/7/29 阅读:73 关键词:电子束 

KLA-Tencor推出第十代电子束侦测系统,实现4Xnm和3Xnm生产

KLA-Tencor公司日前宣布推出eS35电子束侦测系统,该系统能够以大幅提升的速度检测和分类更小的物理缺陷,以及更细微的电子缺陷。eS35属于KLA-Tencor的第十代电子束侦测系统,它具备更高的灵敏度,改善了单机检查和分类,并且显著加强了吞

分类:新品快报 时间:2008/7/9 阅读:796 关键词:电子束 

道康宁电子部推出XR-1541电子束光刻胶

全球材料、应用技术及服务综合供应商美国道康宁公司电子部(DowCorningElectronics)的硅晶片光刻解决方案事业部今日宣布正式开始供应DowCorning®XR-1541电子束光刻胶,该产品是专为实现下一代、直写光刻工艺技术开发

分类:新品快报 时间:2008/6/30 阅读:987 关键词:电子部 电子束 

FEI开拓电子束、离子束潜能研发

FEI和荷兰FundamentalResearchonMatter(FOM)签署协议,将联合研究所和产业的研发资源开展电子显微镜和FIB系统的研究,目标是实现原子级材料结构和工艺的检测。这一富有挑战性的研发项目目的首先在于开发电子显微镜和离子束系统

分类:名企新闻 时间:2007/12/28 阅读:90 关键词:电子束 

Mapper无掩膜光刻机开发获重大进展,可实现批量并行电子束印刷

MapperLithography公司日前表示,它已经在其用于高端芯片制造的多束无掩模光刻机的开发上取得了重要进展。该公司演示了它的产品能够实现批量并行电子束印刷,它的演示机上展示了45纳米密度模式(32纳米节点)和多个并行电子束。Mapper公...

分类:名企新闻 时间:2007/10/15 阅读:106 关键词:光刻机 

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