Power Integrations推出具有快速短路保护功能且 适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保...
时间：2024/1/2 阅读：159 关键词：门极驱动器
Infineon - 全新4.5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNN...
分类：新品快报 时间：2024/1/2 阅读：393 关键词：驱动器
全新4．5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化
许多应用都出现了采用更小IGBT模块，以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNN...
分类：新品快报 时间：2023/12/25 阅读：452 关键词：IGBT模块
Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器
适合额定耐压1200V和1700V应用的通用型可扩展门极驱动器 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全...
分类：新品快报 时间：2023/12/14 阅读：335 关键词：驱动器
1200 V 900 A 双 IGBT模块－－FF900R12IE4
PrimePACK 2 1200 V、900 A 半桥双 IGBT 模块，采用 TRENCHSTOP IGBT4、第四代发射极控制二极管、温度检测 NTC 和快速开关芯片。也适用于热界面材料 。 特征描述 提...
分类：新品快报 时间：2023/10/13 阅读：200 关键词：IGBT
Power Integrations推出新款3300V IGBT模块门极驱动器，可报告遥测数据以实现可观测性、预测性维护和生命周期建模
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出新款单通道即插即用型门极驱动器，适配于尺寸为190mmx140mm的3...
分类：新品快报 时间：2023/5/10 阅读：496
智新半导体正启动二期项目建设方案，IGBT模块年产能将达120万只
目前，智新半导体正启动二期项目建设方案，年产能将达到120万只，预计2024年建成，不仅能满足东风公司到2025年产销100万辆新能源汽车对IGBT模块的需求，还能为其他车企供货...
分类：名企新闻 时间：2022/10/12 阅读：1285
Fuji Electric -发售有助于铁路运输节能的第7代“X系列”IGBT模块
更新时间：2020-12-14 富士电机株式会社（总部：东京都品川区，总裁：北泽通宏）开始量产针对铁路市场的第7代“X系列”元件的大容量IGBT※1模块“HPnC※2”，特发此通知。 ※1：Insulated Gate Bipolar Transistor ※2：H...
时间：2022/7/6 阅读：180 关键词：电子
TDK 集团（东京证券交易所代码：6762）隆重推出新型片式L860 NTC热敏电阻。它可直接嵌入到电源模块中，支持烧结和重质铝丝焊连接，并且特性和R100 =493 6 8条件下的常见MELF-R/T曲线相吻合。无铅化的新型元件订购编号为B57860L0522J500...
分类：新品快报 时间：2022/5/24 阅读：455 关键词：电阻
三菱电机开始提供2kV工业LV100封装T系列IGBT模块样品
近年来，能够高效转换电力的功率半导体作为促进实现低碳社会的关键器件而受到瞩目，对其需求也一直在增加并呈现多样化。尤其对于由可再生能源驱动的电力系统来说，由于需要...
分类：新品快报 时间：2022/4/24 阅读：1916
1、IGBT模块结构IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成，个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中，单个IGBT还会并有续流二极管，接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶，最后用塑料壳封装，IGBT单元堆叠结构如-1所示。从上之下它...
基础电子 时间：2023/5/8 阅读：292
IGBT等效电路如所示。由可知，若在IGBT的栅极G和发射极E之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极C与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给...
基础电子 时间：2023/4/13 阅读：431
IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢？ 当 PWM 波输出的时候，它是维持电机内的电流不断用的。 我在说明变频器逆变原理的时候，用的一个电阻做负载。 电阻做负载，它上面的电流随着电压有通断而通断，上图所示的原...
基础电子 时间：2022/12/23 阅读：470
IDC 谏早电子开发IGBT适配器单元VLB520-01R, 可使用在薄型Duel配置IGBT模块, 改善并联使用效能。
谏早电子有限公司宣布, 將為薄型Duel配置IGBT模块生產适配器单元VLB520-01R。 产品内置栅极/发射极总布线长度调整电路, 对应1200V/1700V, ～800A的薄型Duel配置IGBT模块组, 使用简单高效的TLAC连接方式。令IGBT可轻松实现并联。 现时使用...
新品速递 时间：2022/11/28 阅读：5950
IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起，以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性，体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势，这就有待于IGBT模块封装技术的...
设计应用 时间：2018/11/15 阅读：5101
如今节能的重要性日益显着，将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率，研究者提出了很多新型拓扑电路，因而市场上对IGBT模块的需求也随之不断...
设计应用 时间：2018/10/29 阅读：1899
TDK集团推出新型爱普科斯 （EPCOS） 直流支撑电容器。该元件专为英飞凌科 技公司 （Infineon Technologies） HybridPACK?1-DC6 IGBT模块而设计，采 用多触点结构，具备尺寸...
新品速递 时间：2017/4/11 阅读：1652
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：在使用模块时，尽量不要用手触...
基础电子 时间：2016/5/9 阅读：1965
Littelfuse推出高额定值的IGBT模块功率半导体产品
Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块，额定值高达1700V和450A。
新品速递 时间：2014/11/19 阅读：1752
功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司 （International Rectifier,简称IR） 推出完善的IGBT模块系列，适合电机驱动逆变器、开关模式电源、不间断电源、太阳能逆变器及...
新品速递 时间：2014/11/11 阅读：1556
