尔必达公司近日宣布已经完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM内存芯片的研发工作，今年11月份这种芯片将进入送样阶段，年底前则可实现正式批量供货。据集成电路设计行业的消息来源称，预见到SDRAM内存将出现供应短缺的局面，台湾地区集成电路...
其它 时间：2011/9/2 阅读：1451
赛灵思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列通过验证
赛灵思公司（Xilinx, Inc.）与半导体代工厂商联华电子( UMC)共同宣布，采用联华电子高性能40nm工艺的Virtex-6 FPGA，已经完全通过生产前的验证。这是双方工程团队为进一步...
新品速递 时间：2010/1/22 阅读：3465
Avago推出高功率870nm和940nm红外线发射器系列产品
安华高科技(AvagoTechnologies)日前宣布推出一系列采用5mm(T-13/4)直插式封装的870nm和940nm波长的高功率红外线(IR,Infrared)LED发射器。这些新型红外线发射器采用AvagoTechnologies的高功
新品速递 时间：2007/11/27 阅读：1494
AvagoTechnologies（安华高科技）今日宣布推出一系列采用5mm(T-13/4)直插式封装的870nm和940nm波长的高功率红外线(IR,Infrared)LED发射器。这些新型红外线发射器采用AvagoTechnologies的高功
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：1496
AvagoTechnologies今日宣布推出一系列采用5mm(T-13/4)直插式封装的870nm和940nm波长的高功率红外线(IR,Infrared)LED发射器。这些新型红外线发射器采用AvagoTechnologies的高功率铝镓砷化物(
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：1446
AvagoTechnologies推出一系列采用5mm(T-13/4)直插式封装的870nm和940nm波长的高功率红外线(IR,Infrared)LED发射器。这些新型红外线发射器采用高功率铝镓砷化物(AlGaAs)LED技术，具有优异的高发光强
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：1619
