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40nm

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尔必达申明40nm制程2Gb DDR3内存芯片成功开发

尔必达公司近日宣布已经完成了40nm制程2Gb密度DDR3SDRAM内存芯片的研发工作,今年11月份这种芯片将进入送样阶段,年底前则可实现正式批量供货。据集成电路设计行业的消息来源称,预见到SDRAM内存将出现供应短缺的局面,台湾地区集成电路...

其它 时间:2011/9/2 阅读:979

赛灵思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列通过验证

赛灵思公司(Xilinx,Inc.)与半导体代工厂商联华电子(UMC)共同宣布,采用联华电子高性能40nm工艺的Virtex-6FPGA,已经完全通过生产前的验证。这是双方工程团队为进一步提升...

新品速递 时间:2010/1/22 阅读:3077

Avago推出高功率870nm和940nm红外线发射器系列产品

安华高科技(AvagoTechnologies)日前宣布推出一系列采用5mm(T-13/4)直插式封装的870nm和940nm波长的高功率红外线(IR,Infrared)LED发射器。这些新型红外线发射器采用AvagoTechnologies的高功

新品速递 时间:2007/11/27 阅读:1213

Avago 870nm和940nm红外线发射器

AvagoTechnologies(安华高科技)今日宣布推出一系列采用5mm(T-13/4)直插式封装的870nm和940nm波长的高功率红外线(IR,Infrared)LED发射器。这些新型红外线发射器采用AvagoTechnologies的高功

新品速递 时间:2007/4/29 阅读:1238

Avago推出高功率870nm和940nm红外线发射器

AvagoTechnologies今日宣布推出一系列采用5mm(T-13/4)直插式封装的870nm和940nm波长的高功率红外线(IR,Infrared)LED发射器。这些新型红外线发射器采用AvagoTechnologies的高功率铝镓砷化物(

新品速递 时间:2007/4/29 阅读:1236

高功率870nm和940nm红外线发射器

AvagoTechnologies推出一系列采用5mm(T-13/4)直插式封装的870nm和940nm波长的高功率红外线(IR,Infrared)LED发射器。这些新型红外线发射器采用高功率铝镓砷化物(AlGaAs)LED技术,具有优异的高发光强

新品速递 时间:2007/4/29 阅读:1265

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