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40nm

40nm资讯

国内首颗自研嵌入式40nm工规级存储芯片HC5001震撼发布

中国南京 ICTECH 2018中国存储芯片自主研发技术交流峰会在南京举行。作为南通市第一家高阶存储产品主控设计公司——江苏华存电子科技有限公司(以下简称“江苏华存”),会上发布了国内自研第一颗嵌入式40纳米工规级存储芯片HC5001及应用...

分类:业界要闻 时间:2018/11/22 阅读:607 关键词:存储芯片嵌入式

中国首颗!华存自研工规级别40nm eMMC主控芯片发布

江苏华存电子科技有限公司(以下简称“江苏华存”)在ICTECH 2018中国存储芯片自主研发技术交流峰会上发布了HC5001存储主控芯片及应用存储解决方案。   中国首颗!华存自研工规级别40nm eMMC主控芯片发布据介绍,HC500...

分类:业界动态 时间:2018/11/22 阅读:486

主流企业嘉宾共话新未来:新势能带动MCU发展 40nm渐成主流

Silicon Labs物联网产品经理 Alex Koepsel   德州仪器(TI)中国区MSP微控制器业务拓展经理 刁勇   华虹宏力执行副总裁 范恒   赛普拉斯全球产品与亚太市场资深经理...

分类:行业访谈 时间:2018/9/4 阅读:457 关键词:40nm

赛普拉斯授权UMC生产的 65nm 和 40nm SRAM 器件荣获航空航天级 QML 认证

包括抗辐射存储器在内的先进嵌入式系统解决方案市场领导者赛普拉斯半导体公司 (纳斯达克代码:CY)和全球领先的半导体代工厂联华电子股份有限公司(纽约证券交易所代码:UMC;台湾证券交易所代码:2303)(以下简称“UMC”)今日联合宣布...

分类:新品快报 时间:2017/12/28 阅读:341

台积电40nm以下晶圆代工份额将高达86%

IC Insights 19 日发表研究报告指出,2017 年专业晶圆代工市场预料将成长 7%,而 以下特征尺寸装置的销售额有望年增 18% 至 215 亿美元, 是最主要的成长动能。  报告称...

分类:名企新闻 时间:2017/9/21 阅读:301 关键词:40nm晶圆代工台积电

中芯国际出样40nm工艺的ReRAM意义何在?

作为中国本土半导体制造的龙头企业,中芯国际(SMIC)的新闻及其取得的成绩一直是行业关注的焦点。2017新年伊始,其一如既往地吸引着人们的眼球。前几天,该公司宣布正式出样采用40nm工艺的ReRAM(非易失性阻变式存储器)芯片,并称更先...

分类:名企新闻 时间:2017/1/17 阅读:306 关键词:40nm

中芯国际40nm ReRAM存储芯片出样

目前在下一代存储芯片的研发当中,除了3DXPoint芯片外还有ReRAM芯片(非易失性阻变式存储器)。2016年3月,Crossbar公司宣布与中芯国际达成合作,发力中国市场。其中,中芯国际将采用自家的40nmCMOS试产ReRAM芯片。近日,两者

分类:名企新闻 时间:2017/1/17 阅读:396 关键词:40nm

赛普拉斯采用UMC 工艺生产的40nm eCT Flash MCU现已出货

2016年12月19日,美国加利福尼亚州圣何塞,中国台湾新竹市—全球领先的嵌入式解决方案供应商赛普拉斯半导体公司(纳斯达克交易代码:CY)和全球领先的半导体代工厂联华电子公司(纽约证券交易所:UMC;台湾证券交易所:2303)(以下简称"...

分类:新品快报 时间:2016/12/26 阅读:352 关键词:Flash赛普拉斯

中芯国际进军RRAM存储 蚕食三星40nm产能

近日,中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业中芯国际(SMIC),与阻变式存储器(RRAM)技术领导者Crossbar,共同宣布双方就非易失性RRAM开发与制造达成战略合作协议。作为双方合作的一部分,中芯国际与Crossbar已签订一份

分类:名企新闻 时间:2016/3/17 阅读:627 关键词:RRAM

中芯国际进军PRAM存储,蚕食三星40nm产能

近日,中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业中芯国际(SMIC),与阻变式存储器(RRAM)技术领导者Crossbar,共同宣布双方就非易失性RRAM开发与制造达成战略...

分类:名企新闻 时间:2016/3/16 阅读:654

40nm技术

尔必达申明40nm制程2Gb DDR3内存芯片成功开发

尔必达公司近日宣布已经完成了40nm制程2Gb密度DDR3SDRAM内存芯片的研发工作,今年11月份这种芯片将进入送样阶段,年底前则可实现正式批量供货。据集成电路设计行业的消息来源称,预见到SDRAM内存将出现供应短缺的局面,台湾地区集成电路...

其它 时间:2011/9/2 阅读:1074

赛灵思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列通过验证

赛灵思公司(Xilinx,Inc.)与半导体代工厂商联华电子(UMC)共同宣布,采用联华电子高性能40nm工艺的Virtex-6FPGA,已经完全通过生产前的验证。这是双方工程团队为进一步提升...

新品速递 时间:2010/1/22 阅读:3112

Avago推出高功率870nm和940nm红外线发射器系列产品

安华高科技(AvagoTechnologies)日前宣布推出一系列采用5mm(T-13/4)直插式封装的870nm和940nm波长的高功率红外线(IR,Infrared)LED发射器。这些新型红外线发射器采用AvagoTechnologies的高功

新品速递 时间:2007/11/27 阅读:1248

Avago 870nm和940nm红外线发射器

AvagoTechnologies(安华高科技)今日宣布推出一系列采用5mm(T-13/4)直插式封装的870nm和940nm波长的高功率红外线(IR,Infrared)LED发射器。这些新型红外线发射器采用AvagoTechnologies的高功

新品速递 时间:2007/4/29 阅读:1277

Avago推出高功率870nm和940nm红外线发射器

AvagoTechnologies今日宣布推出一系列采用5mm(T-13/4)直插式封装的870nm和940nm波长的高功率红外线(IR,Infrared)LED发射器。这些新型红外线发射器采用AvagoTechnologies的高功率铝镓砷化物(

新品速递 时间:2007/4/29 阅读:1268

高功率870nm和940nm红外线发射器

AvagoTechnologies推出一系列采用5mm(T-13/4)直插式封装的870nm和940nm波长的高功率红外线(IR,Infrared)LED发射器。这些新型红外线发射器采用高功率铝镓砷化物(AlGaAs)LED技术,具有优异的高发光强

新品速递 时间:2007/4/29 阅读:1293

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