自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。 升压电...
设计应用 时间：2022/1/18 阅读：604
拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND，指该芯片具备市场上闸极堆栈的产品。 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...
新品速递 时间：2018/6/12 阅读：736
时隔一年多，在大批锤粉和锤黑的密切关注下，锤子终于发布了坚果手机，虽然大家期待的T2没来，但坚果的高性价比和高逼格仍然吸引了很多评测媒体，大家都陆续奉上了自己的感...
基础电子 时间：2015/9/1 阅读：2312
根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元（cell）技术所做的详细比较分析发现，虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限，...
基础电子 时间：2013/6/20 阅读：4782
惠普公司今天宣布，已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议，双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术，即使用电阻实现存储的ReRAM（Resistive Random Access Memory电阻式存储器）。 忆阻器技术的研究实际上已有数十...
其它 时间：2011/7/2 阅读：2842
安捷伦(Agilent)科技公司日前宣布：安捷伦与海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)携手推出一款高带宽、高性能的长线ZIF(零插入力)探针，该探针经过优化，适用于DDR(双数据速率)和GDDR(图形双数据速率)SDRA
新品速递 时间：2009/3/13 阅读：2174
恒忆（Numonyx）宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品，进行技术创新。根据新协议，恒忆和海力士将扩...
新品速递 时间：2008/8/19 阅读：1529
根据富比世（Forbes）报导，韩厂海力士（Hynix）推出运作时脉达200Mhz的利基型手持装置用DRAM，号称速度较现有一般手机用的DRAM快上1.5倍，海力士并表示，将推出针对手机平台，结合DRAM与NAND型Flash的多晶片封装（MCP）
新品速递 时间：2007/12/4 阅读：1493
韩国海力士半导体(HynixSemiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit移动DRAM。预定2008年第1季度开始量产，主要应用于手机等产品。近来,对能够满足便携电子产品小型化、大容量化、高速化的移动DRAM产品的需求不断扩
新品速递 时间：2007/11/19 阅读：1442
海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合，这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来，基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获
新品速递 时间：2007/11/15 阅读：1509
