硅片

硅片技术

太阳电池用多晶硅片

本标准规定了太阳电池用多晶硅片的术语定义、符号及缩略语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。  本标准适用于铸锭多晶切片垂直于长...

行业标准 时间:2014/8/8 阅读:2032

GBT 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法

本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。  本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)提出并归口。

行业标准 时间:2014/6/23 阅读:2302

GB/T 29055-2012太阳电池用多标晶硅片

本标准按照GB/T-2009给出的规则起草。  本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)归口。  本标准适用于铸锭多晶切片垂直于长...

行业标准 时间:2014/6/4 阅读:1499

从硅片到软件的嵌入系统

低功耗系统设计需要注意很多非传统性因素,从硅片工艺技术,直到在微控制器嵌入平台上运行的软件。在系统级做仔细检查可揭示出决定微控制器能效的三个主要参数:有源模式功...

技术方案 时间:2012/12/27 阅读:1917

FPGA走向硅片融合时代

对FPGA这种特殊芯片产品的认识开始于10年前对Altera公司的认识。Altera公司独特的严谨气质与FPGA这种芯片非常契合。多年来跟踪报道Altera在FPGA技术上的不断创新,加之后来有机会结识赛灵思公司,两家业内翘楚的针锋相对与惺惺相惜,

基础电子 时间:2012/7/25 阅读:1632

堆叠硅片互联技术突破摩尔定律

赛灵思正式在发布其“堆叠硅片互联技术”,旨在超越摩尔定律的束缚。堆叠硅片互联技术在单个封装中集成了4个28nm工艺的FPGA切片,以实现突破性的容量、带宽和功耗优势,其高密度晶体管和逻辑能够满足对处理能力和带宽性能要求极高的需求...

基础电子 时间:2011/7/29 阅读:3087

关于堆叠硅片技术的常见问题解答

被称之为“堆叠硅片互联技术”的3D封装方法采用无源芯片中介层、微凸块和硅通孔(TSV)技术,实现了多芯片可编程平台。对于那些需要高密度晶体管和逻辑、以及需要极大的处理能力和带宽性能的市场应用而言,这些28nm平台和单芯片方法相比,...

技术方案 时间:2010/10/29 阅读:1320

在硅片上实现DNA分析鉴定

以片上DNA(lab-on-chip)实验室形式的微电子机械系统,或者MEMS技术,开始在微生物样本快速分析的仪器中扮演越来越重要的角色。系统的片上实验室组件集成了电子、机械和生物单元,并采用微流体技术来改善鉴定速度、便利性、以及实现重要临...

基础电子 时间:2010/5/15 阅读:2068

Vishay推出首款基于硅片的RF电容器 SRF值高达13GHz

日前,Vishay公司宣布推出业界首款基于硅片的表面贴装RF电容器——HPC0603A。这款新型电容器是基于Vishay专有半导体工艺开发的,其构造降低了寄生电感。与传统RF电容器相比,该器件的自共振频率(SRF)值高出两至三倍。高性能、高精度HP

新品速递 时间:2007/12/4 阅读:1666

应用材料公司推出亮场硅片检测工具UVision3系统

应用材料公司推出具有业界最高生产力的DUV(深紫外)亮场硅片检测工具UVision®3系统,它能满足45纳米前端制程和浸没式光刻对于关键缺陷检测灵敏度的要求。这个新一代的系统为应用材料公司突破性的UVision技术带来了重要的进步,它将扫...

新品速递 时间:2007/11/29 阅读:2045