GaN技术资料-维库电子市场网

带有 GaN 和 SiC 元件的转换器的高开关频率对用于控制系统硬件在环测试的实时模拟器提出了挑战。　　当功率半导体的开关频率超过 100 kHz 时，仅将模拟步骤减少到略低于 1 ...

设计应用时间：2024/9/14 阅读：230

氮化镓（Gallium Nitride，简称 GaN）是一种宽禁带半导体材料，具有优异的电气性能和热性能，广泛应用于电子和光电子器件中。以下是氮化镓的基本特性和应用领域：　　基本特性　　宽禁带：　　GaN 具有较大的禁带宽度（约 3.4 eV），这使...

基础电子时间：2024/8/23 阅读：291

集成与外部电流检测电阻　　在电力电子应用中，例如反激式转换器或功率因数校正 ( PFC )，通常会检测开关电流以进行峰值/谷值电流模式控制或过流保护。如表 1 所示，有几种...

设计应用时间：2024/8/22 阅读：330

通用电源适配器的经验法则是，当设计考虑因素低至 90 VAC 时，直流总线电容值（单位为 F）应选择为输出功率要求（单位为瓦）的 1.5 到 2 倍。对于仅高压线路应用，总电容可以显著降低。考虑到这一关键概念，MinE-CAP 可使设计人员显著减...

全部时间：2024/7/11 阅读：156

GaN 是一种二元化合物，由一个镓原子（III 族，Z = 31）和一个氮原子（V 族，Z = 7）组成，具有纤锌矿六方结构。镓原子和氮原子通过非常强的离子化学键结合在一起，从而产...

设计应用时间：2024/6/21 阅读：919

400W 转换器拓扑　　此类设备（例如 Apple Studio Display 中的设备）的 400 W PSU 通常由两个阶段组成。功率因数校正 (PFC) 升压电路将交流电源电压转换为 380 V DC。第二...

设计应用时间：2024/6/6 阅读：1064

功率转换器中使用的氮化镓 (GaN) 器件具有多种优势，包括更高的效率、功率密度和高频开关。横向 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 功率器件在此类应用中实现了强劲的市场增长...

技术方案时间：2024/6/4 阅读：2342

本文将探讨5G功率放大器（PA）设计进步所带来的挑战与机遇。同时，我们还将分享针对当前趋势的见解，并提供实用建议，助力工程师们更有效地进行设计。　　将市场需求与产品性能相契合　　首先，让我们来快速回顾一下5G蜂窝市场显而易见的...

基础电子时间：2024/5/30 阅读：202

推动更高效的能源利用、更严格的监管要求以及冷却器操作的技术优势都支持了最近减少电动机功耗的举措。虽然硅 MOSFET 等开关技术已得到广泛应用，但它们通常无法满足关键逆...

设计应用时间：2024/5/23 阅读：665

电机驱动器运行的恶劣环境可能会因逆变器击穿和电机绕组绝缘击穿等故障情况而导致过流水平。功率器件需要在保护检测电路触发和关闭电机驱动所需的时间内承受这些事件。SC ...

设计应用时间：2024/5/8 阅读：865

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