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GaN

GaN资讯

Power Integrations推出全新LYTSwitch-6 LED驱动器IC - 采用PowiGaN技术,可提供优异的功率密度和效率

高效率、高可靠性LED驱动器IC领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出LYTSwitch?-6系列安全隔离型LED驱动器IC的最新成员 —— 适合智能照明应...

分类:新品快报 时间:2019/9/11 阅读:1311 关键词:LED驱动器

宜普CEO专访:GaN在快充/无线充电和5G中的优势及面临挑战

Alex Lidow是宜普公司(EPC)联合创始人兼CEO,曾任国际整流器(IR)公司CEO。他是HEXFETMOSFET的共同发明者,拥有21项功率半导体技术专利。 Lidow曾获得2015年北美SEMI奖,以表彰他在新材料功率器件商业化方面做出的贡献。他获得了加州理工...

分类:行业访谈 时间:2019/9/4 阅读:253 关键词:GaN

GaN前景广阔,Transphorm的技术革新能颠覆竞争格局么?

对于高电压GaN来说,2018是颠覆行业格局的一年。Transphorm出货的超过25万件650V GaN FET将在客户的批量生产、高性能电源转换器和变频器产品中部署。这些产品通过各种渠道...

分类:名企新闻 时间:2019/8/19 阅读:909 关键词:GaNTransphorm

GaN功率半导体爆发在即

GaN功率半导体,近来无论市场应用或技术进展皆跨入新的发展阶段,加上研究机构单体式整合制程的催化,后市可望由电源供应市场逐步壮大。  氮化镓(GaN)功率半导体可望大发...

分类:行业趋势 时间:2019/8/8 阅读:1609 关键词:半导体

智能手机市场快充持续扩张,为何 PI 选择 GaN 而非碳化硅?

PI总裁兼首席执行官Balu Balakrishnan表示,由于智能手机市场快充技术的持续扩张,USB PD将在未来几年成为其收入增长的驱动力。因为PI推出的基于GaN基InnoSwitch新器件不仅可以解决移动设备快充效率、散热问题,而且体积可以做的足够小。...

分类:业界动态 时间:2019/7/30 阅读:598 关键词:智能手机 GaN

QORVO®通过10W Ka波段GaN放大器打破功率屏障

移动应用、基础设施与国防应用中核心技术与 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo?, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布,推出 MMIC 功率放大器,该放大器在 32-38GHz 频段提供超过 10 瓦饱和功率。市场上性能最强大的 MMIC 产品具有先进的可...

分类:名企新闻 时间:2019/7/23 阅读:496

Qorvo 新增适合Ka频段和X频段应用的GaN功率放大器

移动应用、基础设施与国防应用中核心技术与 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布,发布两款全新的氮化镓(GaN)功率放大器(PA)系列产品--- QPA2212和QPA1022,它们适合国际Ka频段的卫星通信应用与X频段...

分类:名企新闻 时间:2019/7/23 阅读:724 关键词:GaN功率放大器Qorvo

GaN产业规模有望突破200亿美元

近年来,由于氮化镓(GaN)在高频下的较高功率输出和较小的占位面积,GaN已被RF工业大量采用。根据两个主要应用:电信基础设施和国防,推动整个氮化镓射频市场预计到2024年成...

分类:行业趋势 时间:2019/6/28 阅读:1249 关键词:GaN

Qorvo 新增适合Ka频段和X频段应用的GaN功率放大器

实现行业最高水平的功率、线性度和效率,充分提高Ka频段和 X 频段系统的性能  移动应用、基础设施与国防应用中核心技术与 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo?, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布,发布两款全新的氮化镓(GaN)功率放大...

分类:新品快报 时间:2019/6/25 阅读:1265 关键词:功率放大器

车规级80 V EPC2214 eGaN FET 使得激光雷达系统看得更清晰

宜普电源转换公司(EPC)宣布再多一个车用氮化镓(eGaN)器件(80 V的EPC2214)成功通过AEC Q101测试认证,可在车用及其它严峻环境支持多种全新应用。   基于氮化镓(eGaN)技术...

分类:新品快报 时间:2019/5/13 阅读:1307 关键词:激光雷达

GaN技术

基于Transphorm GaN FET的4kW图腾柱PFC电源评估板

电能是现代社会运行的能量基础,电能通过电源设备进行规格转换,将符合要求的电能输送给用电设备。在电源设备转换电能的过程中,会产生能量损耗。电源作为电能与用电设备的...

设计应用 时间:2019/7/23 阅读:1004

Transphorm发布第二款900V GaN FET

日前,设计和制造高压GaN FET供应商Transphorm公司,宣布推出其第二款900V FET,Gen III TP90H050WS(现已开始提供样品),增强了业界唯一的900V GaN产品线。这些器件现在可以使三相工业系统和高压汽车电子产品充分利用GaN的速度,效率和...

新品速递 时间:2019/6/27 阅读:1844

GAN技术在开关电源上的应用

GAN技术在开关电源上的应用在电源应用中使用氮化镓(GaN)是一大重要创新,有希望为实现高效电力转换这一目标做出重大贡献。GaN是一种已经投入使用的半导体材料,广泛应用于LED照明领域和日益重要的无线领域中。随着工艺进步和故障率的提高...

设计应用 时间:2019/6/24 阅读:1252

满足eGaN FET驱动要求的栅极驱动器

随着宽带隙(WBG)器件的推出,许多电源设计人员已开始研究基于硅上氮化镓(GaN-on-Si)的FET的优点,适用于各种新设计和新兴应用。与客户保持一致,出现了许多供应商以满...

设计应用 时间:2019/3/25 阅读:354

从入门到精通:我们为您介绍非线性GaN 模型的基础知识

氮化镓(GaN)功率放大器(PA) 设计是当前的热门话题。出于多种原因,GaN HEMT 器件已成为满足大多数新型微波功率放大器需求的领先解决方案。 过去,PA 设计以大致的起点开始并运用大量的“大师”知识来完成,使用测得的负载牵引数据...

基础电子 时间:2019/3/16 阅读:389

基于白色LED质量和效率GaN技术的分析

传感器几乎不是消费电子设计的新元素。然而,最近,它们变得更小,成本更低,并且比过去更节能。这些发展促进了它们在便携式设备中的使用(目前智能手机和平板电脑的用户吸引力在很大程度上取决于传感器解决方案的质量),游戏(感知用户...

设计应用 时间:2019/3/13 阅读:270

ACOM推出宽带多级硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模块

美国马萨诸塞州洛厄尔 – 全球领先的半导体解决方案供应商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010宽带功率放大器 (PA) 模块,扩展其硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 产品组合。该宽带PA模块经...

新品速递 时间:2019/3/7 阅读:367

用于电源转换系统设计的eGaN FET模块介绍

电源转换器我们不断追求更高的输出功率,更高的效率,更高的功率密度,更高的温度操作和更高的可靠性,同时为设计人员提供更简单的解决方案。 DrGaN PLUS ,如图1所示,展...

设计应用 时间:2019/2/26 阅读:331

MACOM推出宽带多级硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模块 具备灵活安装性能,实现领先

10W全匹配两级功率放大器,频率范围为225 - 2600 MH·可灵活安装于设备的顶端或底端安装,简化无线电设备设计,更小、更轻·MACOM的MAMG-100227-010功率放大器现已正式发售2019年2月14日,美国马萨诸塞州洛厄尔 – 全球领先的半导体解决...

新品速递 时间:2019/2/15 阅读:608

利用开发板实现对eGaN FET电源设计的评估

长期以来,宽带隙氮化镓硅(GaN-on-Si)晶体管现已上市。他们被吹捧为取代硅基MOSFET,这对于许多高性能电源设计而言效率低下。最近,市场上出现了几家基于GaN-on-Si的HEMT和FET的供应商,其中包括高效电源转换(EPC)。在过去的四年中,...

设计应用 时间:2019/1/24 阅读:509

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