Infineon - 英飞凌推出全新CoolSiCMOSFET 2000 V， 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性...
时间：2024/3/21 阅读：28 关键词：电子
Infineon - 英飞凌全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC...
时间：2024/3/21 阅读：62 关键词：电子
英飞凌全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列...
分类：新品快报 时间：2024/3/18 阅读：348 关键词：电子
英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求...
分类：新品快报 时间：2024/3/14 阅读：371 关键词：电子
纳芯微推出基于创新型振铃抑制专利的车规级CAN SIC: NCA1462－Q1
上海 —— 纳芯微宣布推出基于其自研创新型振铃抑制专利的车规级CAN SIC（信号改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比当前主流的CAN FD车载通信方案，...
分类：新品快报 时间：2024/3/13 阅读：285 关键词：电子
Infineon - 英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC MOSFET G2， 推动低碳化的高性能系统
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性...
时间：2024/3/12 阅读：68 关键词：电子
NOVOSENSE - 纳芯微推出基于创新型振铃抑制专利的车规级CAN SIC: NCA1462-Q1
纳芯微宣布推出基于其自研创新型振铃抑制专利的车规级CAN SIC（信号改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比当前主流的CAN FD车载通信方案，NCA1462-Q1在满足ISO 11898-2:2016标准的前提下，进一步兼容CiA 601-4标准...
时间：2024/3/12 阅读：19 关键词：电子
ST - 意法半导体和Mobile Physics合作开发EnviroMeter，让手机具有准确的空气质量监测功能
中国 – 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)和环境物理学的软件开发初创公司Mobile Physics宣布了一项排他性合作协议，合作开发一个用智能手机内置光学传感...
时间：2024/3/5 阅读：64 关键词：意法半导体
英飞凌宣布了一项重要的销售与营销组织重组计划，以进一步强化其在全球范围内的销售体系。这一重组将在2024年3月1日正式生效。 报道指出，英飞凌将其销售团队重组，以更...
分类：名企新闻 时间：2024/3/2 阅读：294 关键词：SiC
Qorvo 推出紧凑型 E1B 封装的 1200V SiC 模块
全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置...
分类：新品快报 时间：2024/3/1 阅读：308 关键词：SiC模块
xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试
xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实，SiC 功率半导体作为下一代技术迅速引起人们的关注。与 Si IGBT 相比，SiC MOSFET 的效率更高...
设计应用 时间：2024/4/26 阅读：121
SiC基功率器件的优点 考虑一下阳光充足的一天，从而产生充足的可再生能源，例如通过光伏电池板。当电动汽车停放并连接到充电系统时，可以利用这种能量，有效地为电池充...
技术方案 时间：2024/3/2 阅读：404
SiC MOSFET 的优点 SiC MOSFET 的根本优势源自碳化硅材料本身。与传统的硅基半导体相比，SiC 因其卓越的物理和电气特性而脱颖而出。由于碳化硅的带隙比硅大，因此可以承...
设计应用 时间：2024/1/8 阅读：400
交流充电桩适合在家中或工作场所为电动汽车充电，因为目前车载充电器的额定功率通常达到11千瓦，充满电需要8~10小时。然而，对于假期等长途旅行，消费者希望在休息期间充电...
设计应用 时间：2023/12/26 阅读：558
适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装
电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失，我们需要更仔细地检查所涉及组件的各个方面。 对于这些电力电子系统中使用的拓扑，...
设计应用 时间：2023/12/25 阅读：521
汽车电气化是一个仍然存在许多汽车制造商关注的技术挑战的领域。面向可持续未来的动力总成系统和高压技术系统的电子设计师和工程师对实现更大的电动汽车续航里程、降低设计...
设计应用 时间：2023/12/15 阅读：595
碳化硅器件因其对现代电力电子应用的众多优势而越来越受欢迎。1,2为了补偿 SiC 功率器件的较高成本，人们提出了混合 Si-SiC 拓扑。3,4在此类拓扑中，例如有源中性点钳位 (A...
设计应用 时间：2023/12/14 阅读：340
大多数最先进 (SOTA) 电动汽车的牵引逆变器体积功率密度范围从基于 SSC-IGBT 的逆变器的 <10 kW/L 到基于 SSC-SiC 的逆变器的约 25 kW/L。100 kW/L 代表了这一关键指标...
设计应用 时间：2023/11/23 阅读：340
许多嵌入式系统设计首先使用 FPGA 来实现。这可能是为了更快地进行原型设计或提供软件开发平台。有时，生产开始后，FPGA 仍保留在设计中。但通常情况下，计划是将 FPGA（或...
设计应用 时间：2023/11/10 阅读：1129
噪声是混合信号 ASIC 中的一个常见问题，会降低性能并危及产品的完成度。本应用笔记提供了添加外部电路的提示和技巧，使许多 ASIC 可用于原型设计或作为最终产品进行交付。...
设计应用 时间：2023/8/30 阅读：231
