闪存芯片

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陕西:闪存芯片产能约占全球15%

在国务院新闻办举行的“推动高质量发展”系列主题新闻发布会上,陕西省委副书记、省长赵刚表示,陕西在先进制造业方面跑出了加速度,近三年来,陕西新能源汽车产量保持年均...

分类:业界动态 时间:2024/6/7 阅读:458 关键词:闪存芯片

三星NAND闪存芯片,涨价20%

2023 年对三星来说是糟糕的一年,因为芯片的需求随着芯片价格的下降而下降。该公司的摇钱树历史上首次出现亏损。受此影响,三星电子的利润创下近年来最低水平。不过,预计...

分类:业界动态 时间:2024/3/14 阅读:511 关键词:NAND闪存芯片

NAND闪存芯片价格上涨

根据外媒消息,NAND价格已触底,知名分析师分析师郭明錤日前发文,三星8月涨价,美光9月调涨NAND Flash晶圆合约价,将在10%左右。据CFM闪存市场数据显示, 近一周512Gb TL...

分类:业界动态 时间:2023/9/7 阅读:287 关键词:NAND闪存

全球闪存芯片格局剧变:韩国两公司掌控50%以上份额

全球闪存市场原本有六大原厂,分别掌握在美国、日本及韩国公司手中,美国就占了三家,韩国两家,日本一家,随着Intel闪存业务被SK海力士收购,现在变成了五大原厂,其中三...

分类:业界动态 时间:2022/9/6 阅读:700

长江存储推出UFS 3.1高速闪存芯片,加速5G时代存储升级

长江存储科技有限责任公司(简称“长江存储”)宣布推出UFS3.1通用闪存——UC023。这是长江存储为5G时代精心打造的一款高速闪存芯片,可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板...

分类:新品快报 时间:2022/4/20 阅读:2704

西安三星半导体占全世界闪存芯片产能超过10%

随着三星(中国)半导体有限公司(以下简称“西安三星半导体”)12英寸闪存芯片二期项目建成投产,西安三星半导体闪存芯片产能占全世界芯片产能的比重超过10%。 报道介绍...

分类:名企新闻 时间:2022/3/1 阅读:1555

部分厂商暂停报价,闪存芯片或涨5%-10%

2月10日,供应链人士爆料,十铨科技发布一则《紧急通知》,称因NAND Flash供货商KIOXIA(铠侠)及WD(西数)公告工厂的半导体原物料被污染,十铨科技将于2022年2月10日至11...

分类:业界动态 时间:2022/2/11 阅读:609 关键词:闪存芯片

武汉新芯50纳米代码型闪存芯片量产,存储单元面积和密度达到国际先进水平

武汉新芯集成电路制造有限公司透露,其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存(SPI NOR Flash)芯片已全线量产。  目前,在全球NOR Flash存储芯片领域,业界通用技术为65纳米...

分类:业界要闻 时间:2020/6/8 阅读:2045 关键词:芯片闪存

逆势投资,三星斥巨资扩产闪存芯片

逆向加码?韩国三星电子继日前宣布在韩国平泽二厂(P2)扩建极紫外光(EUV)晶圆代工生产线(10兆韩元)后,1日再宣布,将以8兆韩元在该厂扩大3D NAND记忆体产能,加上市场推估三星可能再加码DRAM投资15兆韩元,这一波景气危机,三星合计...

分类:业界动态 时间:2020/6/2 阅读:980 关键词:闪存芯片三星

​三星终于下定决心,80亿美元闪存芯片项目落户西安

从“尚未决定”到“最终落户”,三星电子第二阶段二期投资终于落户西安。据消息,三星电子在西安的闪存芯片项目二期投资80亿美元落地。在今年5月份,三星电子曾表示,尚未...

分类:名企新闻 时间:2019/12/16 阅读:1011 关键词:闪存芯片

闪存芯片技术

一种新技术闪存芯片容量高达64GB晟碟推出

随着技术的成熟各个公司飞跃推出各种高端存储设备的。晟碟经过长期的研究,推出了一种新的先进闪存芯片生产技术,旨在进一步帮助芯片生产商提高利润。晟碟表示以第一时间向零售商供应采用这项名为X4的新技术的数据存储卡,这种存储卡包含...

新品速递 时间:2011/9/3 阅读:2139

意法半导体推出128Mb串行闪存芯片M25P128

意法半导体(ST)推出128Mb串行闪存芯片M25P128,主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储应用。这个128Mb的产品完善了ST现有的代码存储产品组合(从512Kb到64Mb),同时据称是这个市场上同一密度级别的第一个串行闪

新品速递 时间:2007/12/19 阅读:3543

三星用30nm工艺研制64G闪存芯片

北京时间10月23日硅谷动力网站从国外媒体处获悉:全球闪存巨头韩国三星电子公司周二宣布,已经利用三十纳米半导体工艺制造出了64GB闪存芯片。这是全球第一块64GB的NAND闪存芯片。三星电子公司表示,他们利用三十纳米的最先进的半导体工艺...

新品速递 时间:2007/12/15 阅读:2068

三星开发出30纳米NAND闪存芯片 09年量产

CNET科技资讯网10月24日国际报道本周二,三星表示已经开发了一种更先进的闪存芯片。该芯片将能够提高MP3播放机等数码产品的存储容量。三星公布了采用30纳米工艺的64G位NAND闪存芯片。三星在一份声明中说,这种闪存芯片是提高闪存芯片存储...

新品速递 时间:2007/12/15 阅读:1757

比普通闪存快30倍 三星发布新型闪存芯片PRAM

据外电报道,三星电子公司周一发布了一种新型闪存芯片,据称这种新内存可更快储存新数据,从而可使数码设备工作更快。新产品属于阶段变化随机读取内存(PRAM),芯片是非易失性的,这意味着这种内存即便在电子设备关闭时仍能保存数据。三...

新品速递 时间:2007/12/14 阅读:1850

ST推出128Mb串行闪存芯片 面向PC和消费电子应用

意法半导体推出了新的128Mb串行闪存芯片M25P128,新产品主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储应用。这个128Mb的产品完善了ST现有的代码存储产品组合(从512Kb到64Mb),同时据称还是这个市场上同一密度级别的第一个

新品速递 时间:2007/12/12 阅读:2117

东芝16GB嵌入式NAND闪存芯片符合eMMC标准

东芝公司(ToshibaCorp.)近日与其美洲子公司东芝美国电子元件公司(ToshibaAmericaElectronicComponents,Inc.)联合宣布,该公司已经推广了一种新型嵌入式NAND闪存系列产品,这一系列产品遵从了eMMC标准

新品速递 时间:2007/12/12 阅读:2055

ST推出高性能128兆位串行闪存芯片

世界的串行闪存供应商*意法半导体推出了新的128-Mbit 串行闪存芯片M25P128,新产品主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储应用。这个128-Mbit的产品完...

新品速递 时间:2007/12/5 阅读:2140

意法发布新款32兆位闪存芯片M25PX32,存储段和子存储段可擦除(图)

世界的串口闪存供应商意法半导体发布一个新的32兆位闪存芯片M25PX32 — 存储段和子存储段可擦除的双输入输出引脚的串口闪存系列产品的首款产品。虽然现有的M25PE系列产品的...

新品速递 时间:2007/11/27 阅读:1764

ST发布新的32兆位闪存芯片M25PX32

意法半导体发布一个新的32兆位闪存芯片M25PX32 — 存储段和子存储段可擦除的双输入输出引脚的串口闪存系列产品的首款产品。虽然现有的M25PE系列产品的存储粒度已经很高,但...

新品速递 时间:2007/11/26 阅读:1247

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