电介质

电介质资讯

基美电子宣布推出U2J电介质电容器

(KEMET),宣布推出面向汽车级应用的U2J电容器。U2J表面贴装(SMD)平台已通过AEC-Q200汽车认证,相比C0G/NP0可提供两倍以上的电容值。 它还提供优于X7R、X8R和X5R的优异...

分类:新品快报 时间:2017/7/4 阅读:322 关键词:电容器基美电子

东芝、IBM和AMD采用高电介质金属栅极联合开发世界上最小的FinFET SRAM单元

据Businesswire网站报道,东芝、IBM和AMD日前宣布,三方采用FinFET共同开发了一种静态随机存储器(SRAM)单元,其面积仅为0.128平方微米,是世界上最小的实用SRAM单元。该存储单元采用高电介质金属栅极(high-kmetal

分类:名企新闻 时间:2008/12/18 阅读:851 关键词:FinFETIBMSRAM

日产综研开发出采用强电介质的NAND闪存单元

据日经BP社报道,日本产业技术综合研究所(产综研)与东京大学,联合研制出了采用强电介质栅极电场效应晶体管(Ferroelectricgatefield-effecttransistor:FeFET)的NAND闪存存储单元。可擦写1亿次以上,写入电压

分类:业界要闻 时间:2008/6/2 阅读:806 关键词:NAND电介质

产综研联合东京大学研制出采用强电介质NAND闪存单元

日本产业技术综合研究所(产综研)与东京大学,联合研制出了采用强电介质栅极电场效应晶体管(Ferroelectricgatefield-effecttransistor:FeFET)的NAND闪存存储单元。可擦写1亿次以上,写入电压为6V以下。而此前

分类:业界要闻 时间:2008/5/28 阅读:915 关键词:NAND电介质

新创公司发明电介质传感技术,利用IC表面进行感测将成为现实

总部位于爱尔兰的专门从事传感器与混合信号CMOS设计的新创公司ChipSensors日前宣布,已研发出了一项新技术能让IC表面感测温度、湿度、病原体以及某些特定气体。该嵌入式传感器技术置于一种传统制造工艺的复杂CMOSIC之上,可以用来创建微...

分类:名企新闻 时间:2007/11/28 阅读:811 关键词:电介质

新创公司新发明 IC表面电介质可做为传感器

专长传感器与混合讯号CMOS技术的新创爱尔兰无晶圆厂IC设计公司ChipSensors,宣布研发出一种新技术,能让IC的表面感测温度、湿度、病原体(pathogens)与某些特定气体。透过采用一般生产复杂CMOSIC的制程,这种嵌入式感测技术可用来

分类:名企新闻 时间:2007/10/8 阅读:266 关键词:传感器电介质

应用材料公司推出BLOk II 低K电介质技术

近日,低K电介质技术的应用材料公司宣布推出AppliedProducer®BLOk™IIPECVD系统。这个全新的系统能够提供先进的阻挡层低K电介质技术,用于亚45纳米技术节点制造速度更快、功耗更小的逻辑芯片。通过超低K介

分类:新品快报 时间:2007/6/14 阅读:277 关键词:电介质

电介质技术

电容器电介质的性质

从本质上讲,电容器是由被称为电介质的绝缘物质分开的一对金属板或电极构成的。以法拉为单位的电容量由下式决定:  式中,k是(相对)介电常数;A为以m2为单位的极板面积...

基础电子 时间:2008/11/10 阅读:9541

新创公司新发明 IC表面电介质可做为传感器

专长传感器与混合讯号CMOS技术的新创爱尔兰无晶圆厂IC设计公司ChipSensors,宣布研发出一种新技术,能让IC的表面感测温度、湿度、病原体(pathogens)与某些特定气体。透过采用一般生产复杂CMOSIC的制程,这种嵌入式感测技术可用来

新品速递 时间:2007/10/8 阅读:1286

电介质刻蚀面临材料和工艺的选择

半导体加工中,在晶片表面形成光刻胶图形,然后通过刻蚀在衬底或者衬底上面的薄膜层中选择性地除去相关材料就可以将电路图形转移到光刻胶下面的材料层上。这一工艺过程要求非常精确。但是,各种因素例如不断缩小的线宽、材料毒性以及不断...

新品速递 时间:2007/4/29 阅读:1727

提供电介质测试标准的晶圆

前端非接触电介质电学测试仪是工艺工程师的基本工具之一,它能够每天显示我们关心的电学测试参数,并且当某一参数超过限制时提供警报,显示可能的工艺偏移。在生产中,测试人员对关键工艺提供统计过程控制(SPC),fab靠这些结果来对生产...

新品速递 时间:2007/4/29 阅读:1246

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