英飞凌扩展750V CoolSiC产品组合，推出顶部散热型H－DPAK半桥器件，进一步提升系统功率密度与可靠性
汽车和工业应用中的功率转换架构正在快速演进，对开关拓扑、热管理和系统集成提出了新的要求。为满足这些要求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司...
分类：新品快报 时间：2026/6/17 阅读：20896 关键词：英飞凌
英飞凌推出业界首款基于CoolSiCG2技术的双向开关碳化硅
物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出基于成熟可靠750V CoolSiC? G2技术平台打造的碳化硅（SiC）双向开关（BDS）。该产品...
分类：新品快报 时间：2026/6/16 阅读：20921 关键词：英飞凌
据知名分析师郭明錤的最新行业调研显示，联发科已将其AI业务的战略定位从“IC / ASIC设计”升级为“系统级设计”，初期目标锁定谷歌TPU的PCBA（L6）以及与埃隆·马斯克相关...
20亿建厂计划紧急叫停！安森美欧洲大规模裁员，SiC产业规则改写
2026年6月，安森美宣布裁减捷克厂区200至300名碳化硅晶圆制造岗位员工。这不是一次普通裁员，更像是这家美国半导体大厂对碳化硅上游自研自产路线的一次明确“刹车”。早在2...
分类：名企新闻 时间：2026/6/12 阅读：5030
onsemi-碳化硅赋能浪潮教程：SiC JFET驱动工业与服务器电源革新
摘要 碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。本文为第一部分，将重...
时间：2026/5/27 阅读：90 关键词：onsemi
Toshiba-东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式AI的快速发展，功耗...
时间：2026/5/26 阅读：119 关键词：Toshiba
Infineon-英飞凌推出全新XHP 2 CoolSiC 高功率模块，显著提升高压能源系统的效率与功率密度
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出采用2300V CoolSiC MOSFET的新型XHP 2功率模块产品，进一步扩展了该产品组合。该模块专为高压电力系统设计，最高支持1500V直流母线电...
时间：2026/5/25 阅读：113 关键词：Infineon
ROHM-罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC（高压直流供电）架构演进，在这种背景下，罗...
时间：2026/5/25 阅读：122 关键词：ROHM
东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时...
分类：新品快报 时间：2026/5/22 阅读：17365 关键词：SiC MOSFET
英飞凌推出全新XHP 2 CoolSiC高功率模块，显著提升高压能源系统的效率与功率密度
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用2300V CoolSiC MOSFET的新型XHP2功率模块产品，进一步扩展了该产品组合。该模块专为高压电力系统设计，最...
分类：新品快报 时间：2026/5/21 阅读：12628 关键词：英飞凌
在当今追求零碳社会的大背景下，交通工具的电动化进程至关重要。在这一进程中，更轻、更高效的电子元器件发挥着不可或缺的作用，车载充电器（OBC）便是其中的典型代表。那...
设计应用 时间：2026/6/30 阅读：373
本指南聚焦于各类高功率主流应用，旨在为 SiC MOSFET 匹配栅极驱动器提供专业且深入的指导。同时，积极探索减少导通损耗与功率损耗的有效策略，以最大化提升 SiC 器件在导...
设计应用 时间：2026/6/11 阅读：798
在功率半导体器件 MOSFET 中，栅氧化层是位于栅极与半导体芯片之间的关键绝缘层，其核心材质多为二氧化硅（SiO），堪称器件的 “电力控制阀门”。它一方面承担着电绝缘的重...
设计应用 时间：2026/5/22 阅读：629
安森美 EliteSiC MOSFET 与栅极驱动器：电动汽车电力系统创新引领者
在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下，全球范围内从化石燃料向电动汽车（EV）的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者，电动汽车必...
设计应用 时间：2025/7/10 阅读：500
深入解析安森美 SiC Combo JFET 技术特性与应用优势
在当今电子技术飞速发展的时代，功率器件的性能对于众多应用场景的高效运行起着关键作用。安森美具有卓越 RDS (on)*A 性能的 SiC JFET，特别适用于需要大电流处理能力和较...
设计应用 时间：2025/6/26 阅读：610
解析 Littelfuse SMFA：非对称 TVS 二极管助力 SiC MOSFET 高效栅极保护
在当今的电源和电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET 的应用正变得越来越广泛。随着功率半导体技术的不断进步，开关损耗也在持续降低。然而，随着开关速度的不断提高，设计人...
设计应用 时间：2025/6/24 阅读：435
在电力电子领域，为了确保 SiC（碳化硅）模块的安全使用，精确计算其在工作条件下的功率损耗和结温，并使其在额定值范围内运行至关重要。MOSFET 的损耗计算与 IGBT 既有相...
设计应用 时间：2025/6/19 阅读：783
揭秘 SiC 市场新爆点：共源共栅（cascode）结构深度剖析
在 SiC（碳化硅）市场蓬勃发展的当下，安森美（onsemi）的 cascode FET（碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中展现出了诸多优势。今天，我们将深入探讨 Cascode 结构，探寻其在 SiC 市场成为下一个爆点的潜力。Cascode 简...
基础电子 时间：2025/6/13 阅读：581
在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联...
设计应用 时间：2025/5/30 阅读：544
在传动逆变器中，一个低功率辅助电源，通常是反激转换器，起着至关重要的作用，将 400V 或 800V 高压直流（HVDC）输入转换为低压直流（LVDC）输出。该辅助电源在故障条件下...
设计应用 时间：2025/5/8 阅读：700
