Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200 V SiC MOSFET功率模块提升功率效率
这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案 日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120...
时间：2026/3/23 阅读：88 关键词：Vishay
Molex莫仕推出Impress共封装铜缆解决方案，扩展近ASIC连接创新以满足下一代数据传输率需求
压缩式基板上连接器和电缆组件可在224Gbps PAM-4及更高速度下优化信号完整性和实现高效配电 Impress充分运用NearStack OTS提供的见解与工程专业知识，迄今已交付超过一百万台设备 紧凑小巧的外形和增强的耐用性可简化维护和升级，...
时间：2026/3/19 阅读：40 关键词：Molex
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，其新型SiC模块“TRCDRIVE pack”、“HSDIP20”及“DOT-247”已开始网售。近年来，全球电力紧缺危机加剧，节能的重要性日益凸显，这促使更多的应用产品通过采用SiC产品来实现高...
时间：2026/3/12 阅读：50 关键词：ROHM
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，在官网发布了搭载EcoSiC品牌SiC塑封型模块“HSDIP20”、“DOT-247”、“TRCDRIVE pack”的三相逆变器电路参考设计“REF68005”、“REF68006”及“REF68004”。设计者可利用此次...
时间：2026/3/11 阅读：102 关键词：ROHM
谷歌重新将机器人软件公司Intrinsic收归麾下 加码物理AI研发与落地
在全球科技巨头竞相抢占人工智能制高点的背景下，谷歌母公司Alphabet近日宣布了一项重要战略调整：将独立运营近五年的机器人软件子公司Intrinsic重新并入谷歌核心业务体系。这一举措标志着谷歌在物理AI领域的布局已从探索性研究正式升级...
分类：业界动态 时间：2026/2/27 阅读：6045
VisIC Technologies宣布完成由全球半导体领导者领投的2,600万美元B轮融资，Hyundai Motor Company和Kia（统称“HKMC”）作为战略投资者参投 电动汽车氮化镓（GaN）功率半导体先锋VisIC Technologies Ltd.今日宣布其B轮融资第二次交割...
时间：2026/1/27 阅读：93 关键词：VisIC
Infineon-英飞凌拓展CoolSiC MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出全新封装的CoolSiC MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供Q-DPAK、D2PAK等多种封装，...
时间：2026/1/27 阅读：149 关键词：Infineon
三菱电机开始提供4款用于功率器件的全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片样品
三菱电机集团于今日（2026年1月14日）宣布，将于1月21日开始提供4款全新沟槽型1 SiC-MOSFET裸芯片（未封装在封装材料中的芯片），该芯片专为电动汽车（EV）主驱逆变器2，车...
分类：新品快报 时间：2026/1/14 阅读：97815
英飞凌CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件
CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件兼具高鲁棒性、超低开关损耗与低通态电阻等优势，同时有助于优化系统成本。该系列400V与440V碳化硅MOSFET可在两电平和三电平的硬开关...
分类：新品快报 时间：2026/1/5 阅读：103684
英飞凌新品采用.XT扩散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列
EasyPACK? 2C 1200V 8mΩ三电平模块、EasyPACK? 2C 1200V 8mΩ四单元模块以及EasyPACK? 1C 1200V 13mΩ四单元模块，搭载第二代CoolSiC? MOSFET技术，集成NTC温度传感器，采用大电流PressFIT引脚，并预涂2.0代导热界面材料。 产品型号...
分类：新品快报 时间：2025/11/25 阅读：18773
安森美 EliteSiC MOSFET 与栅极驱动器：电动汽车电力系统创新引领者
在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下，全球范围内从化石燃料向电动汽车（EV）的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者，电动汽车必...
设计应用 时间：2025/7/10 阅读：403
深入解析安森美 SiC Combo JFET 技术特性与应用优势
在当今电子技术飞速发展的时代，功率器件的性能对于众多应用场景的高效运行起着关键作用。安森美具有卓越 RDS (on)*A 性能的 SiC JFET，特别适用于需要大电流处理能力和较...
设计应用 时间：2025/6/26 阅读：535
解析 Littelfuse SMFA：非对称 TVS 二极管助力 SiC MOSFET 高效栅极保护
在当今的电源和电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET 的应用正变得越来越广泛。随着功率半导体技术的不断进步，开关损耗也在持续降低。然而，随着开关速度的不断提高，设计人...
设计应用 时间：2025/6/24 阅读：350
在电力电子领域，为了确保 SiC（碳化硅）模块的安全使用，精确计算其在工作条件下的功率损耗和结温，并使其在额定值范围内运行至关重要。MOSFET 的损耗计算与 IGBT 既有相...
设计应用 时间：2025/6/19 阅读：623
揭秘 SiC 市场新爆点：共源共栅（cascode）结构深度剖析
在 SiC（碳化硅）市场蓬勃发展的当下，安森美（onsemi）的 cascode FET（碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中展现出了诸多优势。今天，我们将深入探讨 Cascode 结构，探寻其在 SiC 市场成为下一个爆点的潜力。Cascode 简...
基础电子 时间：2025/6/13 阅读：518
在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联...
设计应用 时间：2025/5/30 阅读：467
在传动逆变器中，一个低功率辅助电源，通常是反激转换器，起着至关重要的作用，将 400V 或 800V 高压直流（HVDC）输入转换为低压直流（LVDC）输出。该辅助电源在故障条件下...
设计应用 时间：2025/5/8 阅读：599
maxpak初始焦点高达650V/400A和1200V/200A工业开关。最大模具尺寸的最大尺寸是直接焊接到电力PCB，DBC底物，甚至是重型铜铅框架的限制，从而限制了最大电流。最初的?maxpak...
设计应用 时间：2025/4/7 阅读：957
瞬态保护设备 瞬态尖峰可能是由雷击，附近的机械，负载开关的电源飙升等引起的。一个例子是现代汽车，在该汽车上不断增加的车载电子设备连接到电池和交流发电机。交流发...
设计应用 时间：2025/3/27 阅读：472
将Schottky屏障二极管与SIC MOSFET集成的进步
Sic Schottky二极管比标准硅P/N二极管具有许多优势。一个关键优势是缺乏反向发现损失，这可能会主导P/N二极管损失，尤其是在较高的温度，快速转换过渡和高流动应用下。除了...
设计应用 时间：2025/3/20 阅读：526
