Microchip推出3.3 kV HV-D3 mSiC功率模块助力AI数据中心实现固态变压器应用
新型碳化硅模块提供了满足要求的热性能和效率，使固态变压器（SST）能够释放更多可用于词元生成的功率 Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日宣布推出新款3.3 kV HV-D3 mSiC功率模块，旨在简化并加速AI超大规模数据中心及其...
时间：2026/8/24 阅读：120 关键词：Microchip
翱捷科技表示经财务部门初步测算，预计上半年实现营业收入约为人民币24.50 亿元，与上年同期相比，增加约 5.52 亿元，同比增长约 29%。其中，蜂窝基带芯片实现营业收入约 2...
分类：名企新闻 时间：2026/8/6 阅读：7354 关键词：ASIC
芯片设计行业的领军企业联发科举行了第二季度业绩说明会。会上，副董事长兼首席执行官蔡力行透露，在 Agentic AI（代理式 AI）飞速发展的当下，云端与边缘 AI 对算力的需求...
分类：名企新闻 时间：2026/8/3 阅读：2578 关键词：联发科
Microchip推出全新BZPACK mSiC功率模块，专为恶劣环境下高要求应用而设计
采用Microchip先进的mSiC技术，具备MB与MC系列碳化硅MOSFET的优异性能 Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日推出BZPACK mSiC 功率模块，专为满足严苛的高湿、高电压、高温反偏（HVH3TRB）标准而设计。BZPACK模块可提供卓越...
时间：2026/7/27 阅读：66 关键词：Microchip
Robotiq推出适用于2F自适应夹爪的触觉传感指尖，为具身智能(Physical AI)注入“触觉”能力
Robotiq今日正式发布TSF-85触觉传感指尖，这是专为旗下最受欢迎型号2F-85自适应夹爪打造的全新触觉传感解决方案，为具身智能(Physical AI)系统带来关键的“触觉”感知能力。通过集成触觉传感，Robotiq让机器人不仅能够“看见”世界，更能...
时间：2026/7/24 阅读：79 关键词：Robotiq
Infineon-作为汽车行业首款8发8收成像雷达MMIC，英飞凌RASIC CTRX8188F实现量产，加速中央式架构雷达的发展
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）已开始量产RASIC CTRX8188F。这款新一代8发8收（8Tx8Rx）雷达收发器使英飞凌在快速扩张的汽车4D与高清成像雷达市场中处于领先地位。该产品已...
时间：2026/7/22 阅读：53 关键词：Infineon
瑞士苏黎世的电气化和自动化技术供应商 ABB 正在收购法国圣热尼普伊的 Advantics 公司，该公司提供基于碳化硅的电源转换解决方案（集成硬件、固件和软件，以优化数据中心、...
分类：名企新闻 时间：2026/7/22 阅读：2523 关键词：SiC
德国汽车零部件和芯片制造商博世周一表示，该公司已开始在其美国第一家半导体工厂进行样品生产，并与美国商务部最终敲定了一项价值 2.25 亿美元的协议，以加强美国国内碳化...
分类：名企新闻 时间：2026/7/16 阅读：5889 关键词：SiC
ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实...
分类：新品快报 时间：2026/7/13 阅读：15904 关键词：SiC MOSFET
SiC/GaN专利大战打响！Wolfspeed起诉Navitas
Wolfspeed向美国特拉华联邦地区法院递交诉状，指控无晶圆功率半导体厂商Navitas Semiconductor旗下全系列氮化镓、碳化硅功率器件侵犯自身5项底层基础发明专利，一场覆盖消...
SiC 器件准静态 CV 测量新思路：恒流激励法提升测试稳定性并解析界面电荷
电容电压（CV）测量作为半导体材料与器件工艺表征的关键手段，在 MOS 器件分析领域应用广泛。通过 CV 测试数据，能够提取诸如氧化物可动电荷、氧化层电容、界面陷阱、掺杂分布、平带电压、掺杂浓度、少数载流子寿命以及输入输出电容等众...
基础电子 时间：2026/8/26 阅读：126
SiC 器件准静态 C-V 测量的新路径：用施加电流法提升稳定性并分析界面电荷
在半导体材料和器件制造过程的分析中，电容 - 电压（C - V）测量是一种极为重要的手段，尤其在表征金属 - 氧化物 - 半导体（MOS）方面发挥着关键作用。从 C - V 数据中，我...
设计应用 时间：2026/8/14 阅读：211
SiC 功率模块内置 NTC 温度传感器核心技术与工程应用详解
在新能源汽车电控、光伏逆变器、储能变流器等大功率电力电子系统蓬勃发展的当下，SiC 功率模块的结温监测成为了保障器件长期可靠运行、充分发挥碳化硅高频性能的核心环节。而内置在模块内部的 NTC 热敏电阻，作为目前应用最广泛的低成本...
设计应用 时间：2026/8/3 阅读：256
深入解析沟槽型 SiC MOSFET 工艺流程与 SiC 离子注入技术
在提高 SiC 功率器件性能方面，器件制造工艺流程起着至关重要的作用。SiC 功率器件用作 n 沟道时往往比 p 沟道表现出更好的性能。为获得更高性能，该器件需要在低电阻率的 ...
设计应用 时间：2026/7/28 阅读：202
IGBT 与 SiC MOSFET 双脉冲测试设备性能大不同
双脉冲测试作为功率半导体动态特性表征的 “黄金标准”，在半导体器件的测试领域有着举足轻重的地位。它能够精准测量开关损耗、dv/dt、di/dt、电压过冲以及反向恢复参数等关键指标，而这些测试结果对于器件选型、驱动优化以及整机设计而...
全部 时间：2026/7/27 阅读：244
详解 IGBT 与 SiC MOSFET 两类器件双脉冲测试的设备性能差异
双脉冲测试在功率半导体动态特性表征领域堪称 “黄金标准”，它能够精准测量开关损耗、dv/dt、di/dt、电压过冲及反向恢复参数等重要指标。这些测试结果对于器件选型、驱动...
设计应用 时间：2026/7/24 阅读：347
安森美详解 Cascode SiC JFET 在 LLC 拓扑中的应用：死区时间控制及损耗优化方法
在电力电子领域，共源共栅碳化硅结型场效应晶体管（Cascode SiC JFET，简称 CJFET）凭借其高耐压、低导通损耗、开关速度快以及栅极电荷低（0 - 12 V 栅极驱动）等显著优势，在 LLC 谐振变换器中展现出了巨大的应用潜力。然而，其在关断时...
基础电子 时间：2026/7/21 阅读：152
MPS推出1700V SiC反激控制器HF1070，为高压辅助电源带来高效新方案
MPS芯源系统（NASDAQ：MPWR）近日推出新一代高压离线电源解决方案——HF1070。该器件是一款高度集成的连续导通模式（CCM）/准谐振（QR）反激式稳压控制器，内置1700V SiC功率器件，支持高达1080V直流输入，为三相智能电表、工业变频器、A...
新品速递 时间：2026/7/10 阅读：426
在当今追求零碳社会的大背景下，交通工具的电动化进程至关重要。在这一进程中，更轻、更高效的电子元器件发挥着不可或缺的作用，车载充电器（OBC）便是其中的典型代表。那...
设计应用 时间：2026/6/30 阅读：553
本指南聚焦于各类高功率主流应用，旨在为 SiC MOSFET 匹配栅极驱动器提供专业且深入的指导。同时，积极探索减少导通损耗与功率损耗的有效策略，以最大化提升 SiC 器件在导...
设计应用 时间：2026/6/11 阅读：848
