外媒周三（23日）的报道指出，项目投资方之一的采埃孚（ZF）有意放弃投资入股工厂的计划。随后，美国芯片制造商 Wolfspeed搁置了在德国建立半导体工厂的计划。 资料显示...
分类：名企新闻 时间：2024/10/25 阅读：249 关键词：Wolfspeed
陷入困境的汽车供应商 ZF 显然不再想参与计划在萨尔州建造的芯片工厂。该工厂原本将与美国 Wolfspeed 集团合作建造，但现在随着 ZF 的退出，该项目可能会被取消。 2023年初，两家公司展示了他们的项目，该项目将在萨尔州恩斯多夫原燃...
分类：业界动态 时间：2024/10/23 阅读：147 关键词：SiC
Littelfuse 推出业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列
Lttelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，...
分类：新品快报 时间：2024/10/23 阅读：245 关键词：SiC MOSFET
Littelfuse推出首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列
Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管...
分类：新品快报 时间：2024/10/17 阅读：259 关键词：抑制二极管
意法半导体推出其第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术，在功率效率、功率密度和稳健性方面树立了新的标杆。 新技术不仅满足汽车和工业市场的需求，还特别针对牵引...
分类：新品快报 时间：2024/9/27 阅读：453 关键词：ST
在SiC晶体中存在各种缺陷，其中一些会影响器件的特性。SiC缺陷的主要类型包括微管、晶界、多型夹杂物、碳夹杂物等大型缺陷、以及堆垛层错（SF）、以及刃位错（TED）、螺旋位错（TSD）、基面位错（BPD）和这些复合体的混合位错。就密度而...
时间：2024/9/5 阅读：23 关键词：SiC
Rohm -罗姆第4代SiC MOSFET大量应用于吉利旗下品牌“极氪”3款车型
日前，搭载了罗姆（总部位于日本京都市）第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团（以下简称“吉利”）的电动汽车（以下称“EV”）品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起，这...
时间：2024/9/5 阅读：61 关键词：半导体
SiC作为半导体功率器件材料，具有许多优异的特性。4H-SiC与Si、GaN的物理特性对比见表1。与Si相比，4H-SiC拥有10倍的击穿电场强度，可实现高耐压。与另一种宽禁带半导体GaN相比，物理特性相似，但在p型器件导通控制和热氧化工艺形成栅极...
时间：2024/9/5 阅读：27 关键词：SiC
ST - 罗姆集团旗下SiCrystal与意法半导体新签协议，扩大碳化硅衬底供应
罗姆 (东京证交所股票代码: 6963) 与服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 宣布，双方将在意法半导体与罗姆集团旗下SiCrystal公司现有的150mm (6英寸) 碳化...
时间：2024/8/27 阅读：64 关键词：半导体
Littelfuse - 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器
Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC...
时间：2024/8/21 阅读：59 关键词：IGBT
由单相或三相电网电源或储能系统(ESS) 供电的直流母线电压为 400 V 或更高的电气系统可以通过固态电路保护来增强其可靠性和弹性。设计高压固态电池断路开关时，需要考虑几...
设计应用 时间：2024/10/23 阅读：314
带有 GaN 和 SiC 元件的转换器的高开关频率对用于控制系统硬件在环测试的实时模拟器提出了挑战。 当功率半导体的开关频率超过 100 kHz 时，仅将模拟步骤减少到略低于 1 ...
设计应用 时间：2024/9/14 阅读：302
作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中，应用碳化硅MOSFET器件替...
基础电子 时间：2024/8/27 阅读：380
传统上采用笨重 DBC 模块封装的功率 WBG /SiC 器件可以用近芯片级 SMD 封装替代。WBG 器件的芯片尺寸更小（功率密度更高）且效率更高，因此可以实现这种替代。MaxPak 等近...
设计应用 时间：2024/8/12 阅读：1065
氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻 （RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧...
设计应用 时间：2024/8/6 阅读：181
革新ZVS软开关技术，Qorvo SiC FET解锁高效率应用潜能
面对这一挑战，尽管电力电子工程师们早就掌握了理论上能够达到零损耗的ZVS软开关这一秘密武器，但在纷繁复杂的实际应用中，由于寄生参数、控制精度、热效应、材料特性等种...
设计应用 时间：2024/8/5 阅读：308
Qorvo E1B SiC模块：成就高效功率转换系统的秘密武器
在功率转换中，效率和功率密度至关重要。每一个造成能量损失的因素都会产生热量，并需要通过昂贵且耗能的冷却系统来去除。软开关技术与碳化硅（SiC）技术的结合为提升开关...
设计应用 时间：2024/6/13 阅读：803
碳化硅（SiC）如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示，与硅（Si）材料相比，SiC具有诸多技术优势，因此我们不难理解为何它已成为电动汽车（EV）、数据中心和太阳能/可再生能源等许多应用领域中备受青睐的首选技术。...
基础电子 时间：2024/5/31 阅读：325
无芯变压器隔离适用于电动汽车和工业应用的 SiC 栅极驱动器
随着对更高电压运行和更高效率的要求，最新的电动汽车和工业电源系统趋势推动了电力系统设备的更高集成度和安全性。实现这些功能的关键要素是隔离栅极驱动器。在隔离栅极驱...
设计应用 时间：2024/4/30 阅读：1392
xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试
xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实，SiC 功率半导体作为下一代技术迅速引起人们的关注。与 Si IGBT 相比，SiC MOSFET 的效率更高...
设计应用 时间：2024/4/26 阅读：516
