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GaAs 和 InP市场，强势反弹？

随着市场复苏和新消费产品的出现，光子学 GAAS 和 INP 市场正在反弹。　　在经历了 InP 数据通信和电信市场连续三个季度的疲软和放缓之后，2023 年第四季度标志着 InP 裸片...

分类：行业趋势时间：2024/4/1 阅读：1468 关键词：GaAs InP

Marvell收购Inphi最新动态：已获中国监管机构批准

日前，Marvell在其宣布，该公司针对Inphi的并购交易，已经通过了中国国家市场监督管理总局的批准。至此，该笔交易仍需Inphi和Marvell股东的批准，双方股东将在当地时间4月1...

分类：名企新闻时间：2021/3/29 阅读：3140

CEVA授权许可InPlay Technologies蓝牙5低功耗IP

CEVA，全球的智能和互联设备的信号处理平台和人工智能处理器IP授权许可厂商?(纳斯达克股票交易所代码：CEVA) ，宣布低功耗无线通信SoC芯片的创新供应商InPlay Technologies Inc.已经获得授权许可，在其的SwiftRadioTM SoC中部署使用CEVA...

分类：名企新闻时间：2019/1/17 阅读：721 关键词：蓝牙

NextInput完成B轮1300万美元融资推出新型MEMS力度感测方案

新型MEMS力度感测方案替代传统物理按键　　据麦姆斯咨询报道，MEMS力度感测解决方案全球NextInput近日宣布，公司已经成功实现了力度传感器性能新突破，带来了世界上的固态按键解决方案。NextInput突破性技术可在触动按键时，实现超灵敏...

分类：新品快报时间：2018/7/31 阅读：615 关键词：MEMS

Edom-NextInput是世界力量感测按钮的先驱者

电子元器件代理商益登科技（TSE:3048）代理的NextInput公司在CES2017展会中发表采用微机电（MEMS）技术的世界按钮解决方案。这些解决方案提供了比机械式按钮更高等级的可靠性，并符合下一代工业设计和防水、防尘的市场趋势。Ne

分类：名企新闻时间：2017/2/15 阅读：638

NextInput是世界力量感测按钮的先驱者

分类：名企新闻时间：2017/2/7 阅读：400

Infineon - ThinPAK带来最小的CoolMOSTM MOSFET

nfineon-ThinPAK5x6封装为适配器、消费电子和照明应用带来最小的CoolMOSTMMOSFET2014年5月26日——英飞凌科技股份公司今日推出全新的CoolMOSTMMOSFET无管脚SMD（表面贴装）封装：ThinPAK5x6。移

分类：新品快报时间：2014/7/2 阅读：744 关键词：Infineon MOSFET

Kinpo NO3V采用VIA Nano处理器平台

威盛电子(VIA)宣布，消费性电子暨IA产品制造商金宝电子(Kinpo)采用VIANano处理器平台与高整合度的VIAVX800芯片组，打造全新的KinpoNO3V11.6寸上网本(netbook)。金宝KinpoNO3V结合高效能、超节能的1.3

分类：名企新闻时间：2009/8/10 阅读：333 关键词：Nano 处理器

Inphenix公司成功研制出新型840nm的大功率宽带SLED器件

Inphenix公司高兴地宣布公司已经研制出新型840nm的大功率宽带SLED器件，该款SLED器件的带宽大于30nm，功率大于5mw，能应用于工业和医疗领域，作为电信、医疗,工业、航空航天和安全等领域光电器件和子系统的供应商。新款的840nm

分类：名企新闻时间：2009/1/14 阅读：1020 关键词：大功率

INPAQ (佳邦科技)代理商

推荐供应商ClassicComponentsCorp.Shenzhen地址：深圳市华强北路1016号宝华大厦A1208电话：0755-61361707传真：0755-61361730联系人：罗先生MSN:jlo@class-ic.com网址：htt

时间：2008/11/5 阅读：2765

InP技术

简述Dallmeier（德码迩）摄像机超宽动态Cam[_]inPix 技术

可靠的技术与精密的技巧　　利用Cam_inPIX?技术中创新的传感器理念，在捕捉各个像素的图像信息时进行数字转换，并且用的方式进行处理。因此，即使是范围广泛、对比鲜明的情况也能以一种前所未见的图像质量进行录制和记录。　　Dallmeier...

基础电子时间：2011/7/26 阅读：2912

AlGaInP红光垂直结构超高亮度LED芯片研制方法

一、引言四元系发光二极管一般使用GaAs衬底，由于GaAs衬底的禁带宽度比AlGaInP窄，有源区所产生的往下发射的光子将会被吸收掉，使得发光效率大幅度降低。目前发光二极管的发展方向主要是高亮度及全彩色 ,GaAlAs、GaAlInP与GaInN是较...

其它时间：2011/7/1 阅读：6995

利用光子晶体提高InP基LED出光效率

1 引言　　在如今的各行各业，LED都得到了广泛的应用，无论是显示、照明，还是通信等领域。但在通常的发光器件中由于内全反射产生的传输模而导致出光效率受到很大的限制，近年来提出了很多改善LED出光效率的方法，如表面粗糙化、谐振腔法...

技术方案时间：2011/6/21 阅读：3895

3-INPUT便携式设备电源的设计与制作

一、设计思路　　本文介绍一种通用性较强、成本低廉的便携式电源系统设计与制作，系统具有两种供电模式，可采用外接电源供电，也可由内置锂电池供电，系统最终输出电压均为...

设计应用时间：2011/3/31 阅读：6192

基于Winpcap的网络流媒体识别算法研究与实现

0 引言　　随着计算机网络、视频压缩等关键技术的快速发展，网络流媒体技术目前已成为继文字和图片之后，互联网信息传播的主要形式。通过网络流媒体技术，用户可以方便地存取、查阅和播放网络上的流媒体数据。如何从海量的网络数据中快速...

设计应用时间：2010/8/11 阅读：1707

英飞凌推出新型ThinPAK 8×8无管脚SMD封装

英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK8×8。新封装的占板空间仅为64平方毫米（D2PAK的占板空间为150平方毫米），高度仅为1毫米（D2PAK的高度为4.4毫米）。大幅缩小的封装尺寸结合低寄生电

新品速递时间：2010/5/12 阅读：2822

Inphi 推出提高DDR3系统容量和速度的隔离存储缓冲器

iMB01-GS02隔离存储缓冲器是单芯片，通过缓冲数据和寻址线降低存储器控制器上负载。通过隔离CPU和存储元器件,缓冲存储器，I/O，控制和数据信号，DDR3存储器DIMM模块（称为L...

新品速递时间：2009/12/17 阅读：3679

2×8低噪声InGaAs／InP APD读出电路设计

0 引言　　在红外通信的1 310～1 550 nm波段，高灵敏度探测材料主要有Ge—APD和InGaAs／InP APD，两者相比较，InGaAs／InP APD具有更高的量子效率和更低的暗电流噪声。In0.53Ga0.47As／InP APD采用在n+-InP衬底上依次匹配外延InP缓冲层、...

设计应用时间：2009/8/6 阅读：3330