SiC/GaN专利大战打响！Wolfspeed起诉Navitas
Wolfspeed向美国特拉华联邦地区法院递交诉状，指控无晶圆功率半导体厂商Navitas Semiconductor旗下全系列氮化镓、碳化硅功率器件侵犯自身5项底层基础发明专利，一场覆盖消...
国产氮化镓(GaN)大厂英诺赛科通过官方公众号宣布，最高人民法院正式发出临时禁令复议裁定书，维持苏州中院针对英飞凌的销售禁令，意味着从此刻起英飞凌相关氮化镓产品被禁...
分类：名企新闻 时间：2026/6/15 阅读：13797 关键词：英飞凌
安森美（onsemi）宣布推出全新GaNEXUS氮化镓（GaN）功率产品组合。该系列专为在人工智能（AI）数据中心、工业自动化、机器人及能源基础设施等应用中实现更高能效、更高功率...
分类：新品快报 时间：2026/6/12 阅读：19687 关键词：安森美
Infineon-英飞凌针对800 VDC架构AI数据中心推出基于CoolGaN 的高压IBC参考设计
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出两款全新高压中间总线转换器（HV IBC）参考设计，帮助客户加速向±400 V和800 V直流（VDC）供电的AI服务器电源架构转型。这些参考设计采...
时间：2026/5/28 阅读：312 关键词：Infineon
ST-意法半导体发布VIPerGaN 100W转换器，主攻注重能效的家电市场
单片GaN转换器集成功率开关管、栅极驱动器和反激式转换控制器 意法半导体（STMicroelectronics）推出两款100 W高压VIPerGaN转换器，将宽带隙节能技术普及到家电、楼宇家居自动化、智能照明，以及电视、充电器等消费类产品领域。 新...
时间：2026/5/27 阅读：266 关键词：ST
Infineon-英飞凌CoolGaN BDS 40 V G3产品系列专为便携式电源而设计，最多可缩减82%的占板面积
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）进一步扩展了其CoolGaN BDS 40 V G3双向开关（BDS）系列，推出了两款新产品：IGK048B041S和IGK120B041S。这两款新产品最多可将PCB占板面积缩...
时间：2026/5/25 阅读：157 关键词：Infineon
意法半导体（STMicroelectronics）推出两款 100 W高压VIPerGaN转换器，将宽带隙节能技术普及到家电、楼宇家居自动化、智能照明，以及电视、充电器等消费类产品领域。 新...
分类：新品快报 时间：2026/5/19 阅读：12895 关键词：意法半导体
ST-意法半导体高速GaN驱动器为运动控制与功率转换应用增加智能保护功能
意法半导体新推出两款高速半桥栅极驱动器，为各类功率转换和运动控制应用带来氮化镓(GaN)技术的高能效、高散热性能和小型化优势。 STDRIVEG212和STDRIVEG612输出经过精准调控的5V栅极驱动信号，适合驱动高边工作电压高达220V和600V的...
时间：2026/5/6 阅读：162 关键词：ST
ST-意法半导体发布GaN参考设计，面向家电与工业驱动电机控制应用
交钥匙电路板和文档资料，降低物料成本，加快产品上市 意法半导体EVSTDRVG611MC氮化镓(GaN)电机控制参考设计主打家电和工业驱动设备，在不加装散热器的条件下输出功率可达600W以上，确保终端设备结构紧凑，同时降低物料成本。 该参...
时间：2026/4/23 阅读：140 关键词：ST
Vishay推出适用于GaN和SiC开关应用EMI滤波的新型航天级共模扼流圈
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款新型航天级表面贴装共模扼流圈---SGCM05339，适用于严苛航空航天应用电磁干扰（EMI）滤波和噪...
在通信射频领域，传统基站射频功率放大器大多选用 LDMOS 管子，以追求性价比。然而，随着工程师们对整机性能的要求不断提高，高性能氮化镓（GaN）器件、碳化硅基氮化镓功放等新方案逐渐成为首选。但 GaN 器件与常规 LDMOS 场效应管存在显...
基础电子 时间：2026/7/2 阅读：419
在半导体技术飞速发展的今天，GaN HEMT 器件凭借其独特的性能优势，在电子领域展现出了巨大的应用潜力。继上一篇屏蔽栅 MOSFET 技术简介后，我们这次将深入介绍 GaN HEMT 器件的结构、工作模式、应用领域以及面临的挑战。 GaN 半导体...
基础电子 时间：2025/9/3 阅读：632
U8726AHE 氮化镓电源 IC 集成高压 E - GaN 和启动电路优势
随着半导体技术的不断发展，芯片尺寸持续缩小。在这一过程中，一个关键问题逐渐凸显：电场强度会随芯片尺寸的减小而线性增加。若电源电压保持恒定，产生的电场强度极有可能...
设计应用 时间：2025/8/20 阅读：748
基于 TI GaN FET 的 10kW 单相串式逆变器设计方案
随着全球对能源可持续性和能源安全的关注度不断提升，储能系统的需求在住宅太阳能装置等领域呈现出加速增长的态势。在当前市场上，存在功率高达 2kW 且带有集成式储能系统...
技术方案 时间：2025/7/16 阅读：537
纳芯微高压半桥驱动NSD2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。 应用背景 近年来，氮化镓...
新品速递 时间：2025/6/4 阅读：1441
例如，典型的交流/直流电动汽车车载充电器（OBC）实施了一个初始的功率因数校正（PFC）阶段和一个后续的 DC/DC 阶段，该阶段由笨重的“DC-link”电容器缓冲。这种拓扑结构...
设计应用 时间：2025/5/23 阅读：1067
凭借具有更高功率，较小尺寸和较高效率的清晰趋势，高频LLC谐振转换器是行业中孤立的DC/DC拓扑的有吸引力的解决方案，例如笔记本电脑适配器（> 75W），1KW-3KW数据中心...
设计应用 时间：2025/4/2 阅读：1346
足够的故障检测响应时间约为 2 μs [2]，该时间决定了电源开关所需的短路耐压时间 （SCWT） 额定值（即，在源极和漏极之间施加高电压和高电流的情况下，器件可以承受短路事...
设计应用 时间：2025/4/2 阅读：480
在设计汽车转换器时，尺寸，成本和可靠性是关键因素。为了满足这些标准，最简单的双向拓扑；选择同步的降压/反向提升转换器。最大化能源效率也是至关重要的，在这里，设计...
设计应用 时间：2025/3/26 阅读：792
使用5V门驱动器，可用的最大电阻值为1.2、4.8、8或12MΩ，请参见下表 - 操作最高为125°C。包装是VQFN16，WLCSP22，WLCSP16或WLCSP12。 该公司称，他们“支持移动设备和笔记本电脑中的过电压保护，负载开关和电池管理系统”。 选择...
新品速递 时间：2025/3/19 阅读：564
