Mouser-贸泽开售适用于AI、工业、能源和机器人应用的安森美GaNEXUS GaN FET
提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入(NPI)代理商贸泽电子(Mouser Electronics)即日起开售安森美(onsemi)全新GaNEXUS氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。GaNEXUS GaN FET利用GaN的宽带隙特性，提供高速开关、低栅极和输出电荷并提...
时间：2026/9/28 阅读：29 关键词：Mouser
意法半导体近日推出全新评估板 EVLGANSPIN2-3PH，适配今年1月发布的GANSPIN612，帮助开发者体验新器件，快速完成概念验证。本次发布完善了产品矩阵，与 GANSPIN611 及其配...
分类：新品快报 时间：2026/8/26 阅读：19848 关键词：意法半导体
Renesas-瑞萨电子推出全新GaN充电方案，为广泛的工业及物联网电子设备带来500W强劲功率
基于GaN的HWLLC转换器拓扑结构，为下一代计算设备、电动工具及电动自行车树立功率密度与峰值效率新标杆 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）宣布推出基于氮化镓（GaN）的半波LLC（Half-wavd LLC,HWLLC）平台及其四款控制器...
时间：2026/7/27 阅读：273 关键词：Renesas
Infineon-英飞凌针对800 VDC架构AI数据中心推出基于CoolGaN的高压IBC参考设计
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出两款全新高压中间总线转换器（HV IBC）参考设计，帮助客户加速向±400 V和800 V直流（VDC）供电的AI服务器电源架构转型。这些参考设计采...
时间：2026/7/24 阅读：117 关键词：Infineon
NOVOSENSE-智能自举充电控制赋能高可靠性GaN驱动，纳芯微推出110V半桥驱动芯片NSD2123
随着AI算力需求爆发，GaN器件在AI数据中心电源的渗透率正加速提升，以突破功率密度瓶颈；与此同时，机器人关节驱动、光储、Class D音频等领域也对高效紧凑的电源方案提出需求，共同推动GaN技术从消费快充迈向泛工业市场。GaN器件凭借低损...
时间：2026/7/20 阅读：108 关键词：NOVOSENSE
SiC/GaN专利大战打响！Wolfspeed起诉Navitas
Wolfspeed向美国特拉华联邦地区法院递交诉状，指控无晶圆功率半导体厂商Navitas Semiconductor旗下全系列氮化镓、碳化硅功率器件侵犯自身5项底层基础发明专利，一场覆盖消...
国产氮化镓(GaN)大厂英诺赛科通过官方公众号宣布，最高人民法院正式发出临时禁令复议裁定书，维持苏州中院针对英飞凌的销售禁令，意味着从此刻起英飞凌相关氮化镓产品被禁...
分类：名企新闻 时间：2026/6/15 阅读：13870 关键词：英飞凌
安森美（onsemi）宣布推出全新GaNEXUS氮化镓（GaN）功率产品组合。该系列专为在人工智能（AI）数据中心、工业自动化、机器人及能源基础设施等应用中实现更高能效、更高功率...
分类：新品快报 时间：2026/6/12 阅读：19777 关键词：安森美
Infineon-英飞凌针对800 VDC架构AI数据中心推出基于CoolGaN 的高压IBC参考设计
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出两款全新高压中间总线转换器（HV IBC）参考设计，帮助客户加速向±400 V和800 V直流（VDC）供电的AI服务器电源架构转型。这些参考设计采...
时间：2026/5/28 阅读：674 关键词：Infineon
ST-意法半导体发布VIPerGaN 100W转换器，主攻注重能效的家电市场
单片GaN转换器集成功率开关管、栅极驱动器和反激式转换控制器 意法半导体（STMicroelectronics）推出两款100 W高压VIPerGaN转换器，将宽带隙节能技术普及到家电、楼宇家居自动化、智能照明，以及电视、充电器等消费类产品领域。 新...
时间：2026/5/27 阅读：364 关键词：ST
在半导体功率器件领域，如何解决散热问题一直是提升器件性能和可靠性的关键挑战。金刚石作为已知热导率最高的材料，具有优异的热学性能；而氮化镓（GaN）凭借其宽带隙、高电子迁移率等特性，在高频、高功率器件方面展现出巨大潜力。将金...
基础电子 时间：2026/9/4 阅读：365
尺寸缩小 50%、效率不打折：集成式 GaN 转换器的四大关键进展
在当今电子技术飞速发展的时代，对于更高功率密度的追求持续影响着大电流电源的每一项关键设计决策。数据中心和计算基础设施的迅猛发展，让传统电源架构面临着巨大压力。从...
设计应用 时间：2026/7/20 阅读：212
在通信射频领域，传统基站射频功率放大器大多选用 LDMOS 管子，以追求性价比。然而，随着工程师们对整机性能的要求不断提高，高性能氮化镓（GaN）器件、碳化硅基氮化镓功放等新方案逐渐成为首选。但 GaN 器件与常规 LDMOS 场效应管存在显...
基础电子 时间：2026/7/2 阅读：501
在半导体技术飞速发展的今天，GaN HEMT 器件凭借其独特的性能优势，在电子领域展现出了巨大的应用潜力。继上一篇屏蔽栅 MOSFET 技术简介后，我们这次将深入介绍 GaN HEMT 器件的结构、工作模式、应用领域以及面临的挑战。 GaN 半导体...
基础电子 时间：2025/9/3 阅读：676
U8726AHE 氮化镓电源 IC 集成高压 E - GaN 和启动电路优势
随着半导体技术的不断发展，芯片尺寸持续缩小。在这一过程中，一个关键问题逐渐凸显：电场强度会随芯片尺寸的减小而线性增加。若电源电压保持恒定，产生的电场强度极有可能...
设计应用 时间：2025/8/20 阅读：805
基于 TI GaN FET 的 10kW 单相串式逆变器设计方案
随着全球对能源可持续性和能源安全的关注度不断提升，储能系统的需求在住宅太阳能装置等领域呈现出加速增长的态势。在当前市场上，存在功率高达 2kW 且带有集成式储能系统...
技术方案 时间：2025/7/16 阅读：598
纳芯微高压半桥驱动NSD2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。 应用背景 近年来，氮化镓...
新品速递 时间：2025/6/4 阅读：1491
例如，典型的交流/直流电动汽车车载充电器（OBC）实施了一个初始的功率因数校正（PFC）阶段和一个后续的 DC/DC 阶段，该阶段由笨重的“DC-link”电容器缓冲。这种拓扑结构...
设计应用 时间：2025/5/23 阅读：1154
凭借具有更高功率，较小尺寸和较高效率的清晰趋势，高频LLC谐振转换器是行业中孤立的DC/DC拓扑的有吸引力的解决方案，例如笔记本电脑适配器（> 75W），1KW-3KW数据中心...
设计应用 时间：2025/4/2 阅读：1405
足够的故障检测响应时间约为 2 μs [2]，该时间决定了电源开关所需的短路耐压时间 （SCWT） 额定值（即，在源极和漏极之间施加高电压和高电流的情况下，器件可以承受短路事...
设计应用 时间：2025/4/2 阅读：507
