太阳能系统的发展势头越来越强，光伏逆变器的性能是技术创新的核心。设计该项光伏逆变器旨在尽可能高效地利用太阳能。 其中一项创新涉及使用氮化镓(GaN)。氮化镓正在快速取代硅(Si)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)系统。GaN不仅能提高太阳能...
时间：2026/2/3 阅读：67 关键词：TI
ST-意法半导体扩大VIPerGaN系列高集成度功率转换器产品阵容，新增一款功率QFN封装65W反激转换器
意法半导体VIPerGaN系列转换器新增一款65W反激功率转换器VIPerGaN65W。该系列产品在一个QFN 5x6封装内集成700V GaN晶体管和准谐振PWM控制器芯片。继此前发布的VIPerGaN50W之后，新发布的VIPerGaN65W为客户开发高质量、高性价比的USB-PD充...
时间：2026/2/2 阅读：57 关键词：ST
高能效GaN功率晶体管集成技术，为白色家电和工厂自动化电机驱动器量身定制 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)（纽约证券交易所代码:STM)新推出一款智能功率芯片，帮助家电和工业...
时间：2026/2/2 阅读：63 关键词：ST
全球半导体大厂恩智浦(NXP)近日宣布将逐步关闭位于美国亚利桑那州钱德勒的ECHO Fab晶圆厂，并退出氮化镓(GaN)射频功率放大器(PA)芯片制造业务。这一决定标志着这家芯片巨头...
分类：行业访谈 时间：2025/12/16 阅读：2316 关键词：恩智浦
Infineon-英飞凌推出首款100V车规级晶体管，推动汽车领域氮化镓（GaN）技术创新
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布推出其首款符合汽车电子委员会（AEC）汽车应用标准的氮化镓（GaN）晶体管系列，继续朝着成为GaN技术领导企业的目标迈进，并进一步巩固了其全球汽车半导体领导者的地位。 英飞...
时间：2025/12/2 阅读：162 关键词：Infineon
ST-意法半导体集成化GaN反激式转换器，简化应用设计，消除可听噪声
意法半导体推出一系列GaN反激式转换器，帮助开发者轻松研发和生产体积紧凑的高能效USB-PD充电器、快充和辅助电源。新系列转换器在低负载条件下采用意法半导体专有技术，确保电源和充电器无声运行，为用户带来出色的使用体验。 VIPerGa...
时间：2025/12/2 阅读：113 关键词：ST
GaN技术在不同应用中的优势 满足日益增长的高能效和高功率性能的需求，同时不断降低成本和尺寸是当今功率电子行业面临的主要挑战。 较新的宽禁带化合物半导体材料氮化镓(GaN)的引入代表功率电子行业在朝着这个方向发展，并且，随着...
时间：2025/11/27 阅读：125 关键词：ST
Allegro 与英诺赛科联合推出全 GaN 参考设计，赋能 AI 数据中心电源
全球运动控制与节能系统电源及传感解决方案领导者Allegro MicroSystems与硅基氮化镓制造龙头企业英诺赛科日前达成战略合作，共同发布了一款突破性的4.2kW全GaN参考设计。这一创新方案将重新定义下一代AI数据中心和边缘计算的电源单元(PSU...
分类：业界动态 时间：2025/11/26 阅读：10334
Onsemi-安森美发布垂直氮化镓（GaN）半导体：为人工智能（AI）与电气化领域带来突破性技术
安森美基于全新GaN-on-GaN技术，其垂直GaN架构为功率密度、能效和耐用性树立新标杆 核心摘要 随着全球能源需求因AI数据中心、电动汽车以及其他高能耗应用而激增，安森美推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，为相关应用的功率密度、...
时间：2025/11/14 阅读：195 关键词：Onsemi
ST-意法半导体半桥栅极驱动器简化低压系统中的GaN电路设计
目标应用瞄准工业设备和计算机外围设备的电源转换 意法半导体的STDRIVEG210和STDRIVEG211半桥氮化镓(GaN)栅极驱动器是为工业或电信设备母线电压供电系统、72V电池系统和110V交流电源供电设备专门设计，电源轨额定最大电压220V，片上集...
时间：2025/11/12 阅读：108 关键词：ST
在半导体技术飞速发展的今天，GaN HEMT 器件凭借其独特的性能优势，在电子领域展现出了巨大的应用潜力。继上一篇屏蔽栅 MOSFET 技术简介后，我们这次将深入介绍 GaN HEMT 器件的结构、工作模式、应用领域以及面临的挑战。 GaN 半导体...
基础电子 时间：2025/9/3 阅读：446
U8726AHE 氮化镓电源 IC 集成高压 E - GaN 和启动电路优势
随着半导体技术的不断发展，芯片尺寸持续缩小。在这一过程中，一个关键问题逐渐凸显：电场强度会随芯片尺寸的减小而线性增加。若电源电压保持恒定，产生的电场强度极有可能...
设计应用 时间：2025/8/20 阅读：591
基于 TI GaN FET 的 10kW 单相串式逆变器设计方案
随着全球对能源可持续性和能源安全的关注度不断提升，储能系统的需求在住宅太阳能装置等领域呈现出加速增长的态势。在当前市场上，存在功率高达 2kW 且带有集成式储能系统...
技术方案 时间：2025/7/16 阅读：358
纳芯微高压半桥驱动NSD2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。 应用背景 近年来，氮化镓...
新品速递 时间：2025/6/4 阅读：1030
例如，典型的交流/直流电动汽车车载充电器（OBC）实施了一个初始的功率因数校正（PFC）阶段和一个后续的 DC/DC 阶段，该阶段由笨重的“DC-link”电容器缓冲。这种拓扑结构...
设计应用 时间：2025/5/23 阅读：788
凭借具有更高功率，较小尺寸和较高效率的清晰趋势，高频LLC谐振转换器是行业中孤立的DC/DC拓扑的有吸引力的解决方案，例如笔记本电脑适配器（> 75W），1KW-3KW数据中心...
设计应用 时间：2025/4/2 阅读：1190
足够的故障检测响应时间约为 2 μs [2]，该时间决定了电源开关所需的短路耐压时间 （SCWT） 额定值（即，在源极和漏极之间施加高电压和高电流的情况下，器件可以承受短路事...
设计应用 时间：2025/4/2 阅读：391
在设计汽车转换器时，尺寸，成本和可靠性是关键因素。为了满足这些标准，最简单的双向拓扑；选择同步的降压/反向提升转换器。最大化能源效率也是至关重要的，在这里，设计...
设计应用 时间：2025/3/26 阅读：723
使用5V门驱动器，可用的最大电阻值为1.2、4.8、8或12MΩ，请参见下表 - 操作最高为125°C。包装是VQFN16，WLCSP22，WLCSP16或WLCSP12。 该公司称，他们“支持移动设备和笔记本电脑中的过电压保护，负载开关和电池管理系统”。 选择...
新品速递 时间：2025/3/19 阅读：460
电动车设计师的目的是使电动汽车更轻，更自动，并且通过提供更多功率，降低系统尺寸并最大程度地减少散热的场所，并使用较小的电池。 通过在电力转换，高频切换和热管理...
设计应用 时间：2025/2/28 阅读：555
