基于TI GaN FET的10kW单相串式逆变器的设计注意事项
鉴于对能源可持续性和能源安全的担忧，当前对储能系统的需求不断加速增长，尤其是在住宅太阳能装置领域。市面上有一些功率高达2kW且带有集成式储能系统的微型逆变器。当系统需要更高功率时，也可以选用连接了储能系统的串式逆变器或混合...
时间：2025/7/18 阅读：85 关键词：TI
Infineon-英飞凌推出650 V CoolGaN G5双向开关，提升功率系统的效率和可靠性
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出了一款能够主动双向阻断电压和电流的氮化镓（GaN）开关——650 V CoolGaNG5双向开关（BDS）。该产品采用共漏极设计和双栅极结构，是一款...
时间：2025/6/25 阅读：83 关键词：Infineon
根据媒体报道，在半导体领域，氮化镓（GaN）作为一种先进的半导体材料，虽潜力巨大，但长期以来，其高昂的成本以及融入传统电子产品所需的专业化要求，限制了它在商业应用...
分类：业界动态 时间：2025/6/19 阅读：513 关键词：GaN
ST-意法半导体推出针对消费类和工业电源转换器和电机控制器优化设计的GaN半桥驱动器
意法半导体推出两款高压GaN半桥栅极驱动器，为开发者带来更高的设计灵活性和更多的功能，提高目标应用的能效和鲁棒性。 STDRIVEG610和STDRIVEG611两款新产品为电源转换和电机控制设计人员提供两种控制GaN功率器件的选择，可以提高消费...
时间：2025/6/13 阅读：109 关键词：ST
当今的电源设计要求高效率和高功率密度。因此，设计人员将氮化镓(GaN)器件用于各种电源转换拓扑。 GaN可实现高频开关，这样可减小无源器件的尺寸，从而增加密度。与硅和碳化硅(SiC)之类的技术相比，GaN还可降低开关、栅极驱动和反向恢...
时间：2025/6/11 阅读：78 关键词：TI
Novosense-纳芯微高压半桥驱动NSD2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。 应用背景 近年来，氮化镓高...
时间：2025/6/11 阅读：104 关键词：Novosense
ROHM 首款高耐压 GaN 隔离型栅极驱动器 IC 投入量产
ROHM（总部位于日本京都市）宣布，其首款适用于 600V 级高耐压 GaN HEMT 驱动的隔离型栅极驱动器 IC “BM6GD11BFJ - LB” 开始量产。该产品的推出，为电机和服务器电源等大...
分类：新品快报 时间：2025/5/29 阅读：3236 关键词：ROHM
ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产
半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在...
分类：新品快报 时间：2025/5/28 阅读：3969 关键词：ROHM
英飞凌推出650 V CoolGaN G5双向开关，提升功率系统的效率和可靠性
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了一款能够主动双向阻断电压和电流的氮化镓（GaN）开关——650 V CoolGaN G5双向开关（BDS）。该产品采用共漏...
分类：新品快报 时间：2025/5/27 阅读：4132 关键词：英飞凌
Infineon-英飞凌推出用于高压应用的EasyPACKCoolGaN功率模块，进一步扩大其氮化镓功率产品组合
随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及，以及全球数字化和再工业化趋势的持续，预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出EasyPACKCoolGaN650 V晶体管模块，...
时间：2025/5/23 阅读：142 关键词：Infineon
英飞凌推出用于高压应用的EasyPACK CoolGaN 功率模块，进一步扩大其氮化镓功率产品组合
随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及，以及全球数字化和再工业化趋势的持续，预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码...
分类：新品快报 时间：2025/5/16 阅读：2046 关键词：英飞凌
引言 人形机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统(BMS)、传感器系统、AI系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。人形机器人内空间受限最大的...
时间：2025/5/6 阅读：129 关键词：TI-GaN FET
Infineon-英飞凌推出全球首款集成肖特基二极管的工业用GaN晶体管产品系列
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能，进一步提升整体系统效率。此外...
时间：2025/4/29 阅读：194 关键词：Infineon
英飞凌推出全球首款集成肖特基二极管的工业用GaN晶体管产品系列
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品系列通过减少不...
分类：新品快报 时间：2025/4/23 阅读：1908 关键词：英飞凌
CGD发布突破性100kW+技术，推动氮化鎵（GaN）进军超100亿美元电汽車连接器市场
無晶圓廠環保科技半導體公司Cambridge GaN Devices (CGD)專注於開發高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力 於簡化綠色電子產品的設計和實施。近日，CGD進一步公佈了關於ICeGaN GaN 技術解決方案的詳情，該方案 將助力公司進軍功率超過100kW...
时间：2025/4/9 阅读：75 关键词：CGD
