ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已确立150V耐压GaNHEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量产体制，该系列产品的栅极耐压（栅极-源极间额定电压）*2高达...
分类：新品快报 时间：2022/3/25 阅读：1497
EPC与ADI携手推出基于GaN FET的很高功率密度DC/DC转换器
EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC的氮化镓场效应晶体管(GaNFET)。新型模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC的超高效eGaN?FET相结合...
分类：新品快报 时间：2022/3/17 阅读：1915
EPC与MPS合作开发基于新型GaN FET的更高效、更小、更快的双向转换器
EPC9165是一款两相、稳压输出电压、48V/14V双向转换器，可实现2kW的功率和96.8%的峰值效率 宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC9165，这是一款2kW、两相48V/14V双向转换器...
分类：新品快报 时间：2022/2/21 阅读：1891
Wise-integration与益登科技针对GaN IC电源半导体产品的推广展开渠道合作
致力于开发GaN(氮化镓)芯片和GaN电源数字控制的先驱Wise-integration和亚洲电子元器件代理商与解决方案供应商益登科技，共同宣布针对GaN电源半导体产品进行渠道合作，拓展Wise-integration在亚洲市场的业务。 益登科技与Wise-integrat...
分类：名企新闻 时间：2022/2/10 阅读：312 关键词：电源半导体
长电科技：公司具备 SiC / GaN 第三代半导体封测能力，已向光伏和充电桩行业出货相关产品
长电科技在互动平台表示，公司已具备SiC、GaN第三代半导体的封装和测试能力。目前已面向光伏和充电桩行业进行出货第三代半导体产品。 据了解，长电科技是世界超过的集成电...
分类：名企新闻 时间：2022/2/8 阅读：1438
意法半导体氮化镓功率半导体PowerGaN系列首发，让电源能效更高、体积更纤薄
意法半导体PowerGaN系列第yi款产品现已投产；很快还将推出其他的不同封装和规格的产品 服务多重电子应用领域的世界半导体ling导者意法半导体(STMicroelectronics，简称...
分类：新品快报 时间：2021/12/20 阅读：3032
据韩媒报道，DBHiTek将在明年第yi季度开发基于下一代半导体材料的功率半导体。这是其首次进军功率半导体业务。据称，DBHiTek正在开发基于SiC的6-8英寸功率半导体，目标是明...
分类：业界动态 时间：2021/11/29 阅读：1412
纳微半导体推出世界首款智能GaNFast氮化镓功率芯片，GaNSense新技术登场
氮化镓（GaN）功率芯片的行业ling导者纳微半导体（NavitasSemiconductor）（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布推出新一代采用GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片。GaNSen...
分类：新品快报 时间：2021/11/22 阅读：1502
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)谁是宽禁带(WBG)材料的未来？
到目前为止，半导体材料已经过了三个发展阶段——DY代半导体是硅(Si)，第二代半导体是砷化(GaAs)，第三代半导体又称宽带隙半导体(WBG)则是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。 ...
分类：行业趋势 时间：2021/11/3 阅读：5502
基于eGaNFET的50W、12V/60V升压转换器，为笔记本电脑和PC显示器背光提供高效、简单和低成本的解决方案 50W、12V/60V且基于eGaNFET的同步升压转换器采用简单、低成本的拓扑...
分类：新品快报 时间：2021/10/21 阅读：1714
英飞凌和松下携手加速650V GaN功率器件的GaN技术开发
英飞凌科技股份公司和松下公司签署协议，共同开发和生产第二代（Gen2）成熟的氮化镓（GaN）技术，提供更高的效率和功率密度水平。杰出的性能和可靠性与8英寸硅基氮化镓晶圆...
分类：名企新闻 时间：2021/9/9 阅读：1707
意法半导体针对高能效功率变换应用，推出新的45W和150W MasterGaN产品
为了更方便的转型到高能效的宽禁带半导体技术，意法半导体发布了MasterGaN3*和MasterGaN5两款集成功率系统封装，分别面向高达45W和150W的功率变换应用。 意法半导体的M...
分类：新品快报 时间：2021/9/1 阅读：1478
意法半导体针对高能效功率变换应用，推出新的45W和150W MasterGaN产品
为了更方便的转型到高能效的宽禁带半导体技术，意法半导体发布了MasterGaN3*和MasterGaN5两款集成功率系统封装，分别面向高达45W和150W的功率变换应用。 意法半...
分类：新品快报 时间：2021/8/30 阅读：2168
贸泽备货Qorvo QPD0011 GaN－on－SiC HEMT 赋能4G和5G通信应用
专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子(MouserElectronics)即日起开始备货Qorvo?QPD0011高电子迁移率晶体管(HEMT)。此碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)晶体管...
分类：新品快报 时间：2021/8/24 阅读：1936
CREE科锐GaN-on-SiC功率放大器结合MaxLinear线性化技术，高效赋能新型超宽带5G
供应品类 丰富、发货 快速的现货电子元器件分销商 Digi-Key Electronics，日前宣布主办 FastBond 工程大赛，这是一场推动工程创新的全新设计大赛，举办时间为 2021 年 7 月 5 日至 11 月 20 日。参赛者将竞逐多项大奖，奖品丰富，从电子...
分类：名企新闻 时间：2021/7/8 阅读：1458 关键词：CREE科锐
