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科锐GaN-on-SiC功率放大器结合MaxLinear线性化技术,高效赋能新型超宽带5G

新型GaN-on-SiC线性化解决方案赋能5G基站,支持更多移动通信用户并提供高速数据传输 2021年7月5日,美国北卡罗莱纳州达勒姆讯––全球碳化硅技术领先企业科锐Cree,In...

分类:名企新闻 时间:2021/7/6 阅读:3214

GaN Systems - 氮化镓功率晶体管价格降至1美元以下

GaN(氮化镓)功率晶体管的 GaN Systems今天宣布,其低电流,大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。 这些晶体管通常用于智能手机和笔记本电脑以及各种消费品和工业应用的氮化镓充电器和AC适配器。 随着 众多消费者,企业和工业...

分类:名企新闻 时间:2021/6/8 阅读:514

意法半导体发布高性能车规级GaN产品系列

新系列产品整合功率氮化镓(GaN)晶体管和智能电路,赋能尺寸更小、集成度更高的汽车系统解决方案,拥抱电动汽车时代的到来 ·STi2GaN车规解决方案包括车载充电器、自动...

分类:新品快报 时间:2021/5/14 阅读:3575

英飞凌推出面向30 W-500 W功率级应用的 CoolGaN IPS系列产品

采用氮化镓(GaN)这种宽禁带(WBG)材料制成的功率开关凭借其出色的效率及高速切换频率,开启了功率电子的新时代。顺应这一发展趋势,英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX...

分类:新品快报 时间:2021/5/12 阅读:5140

ST推出新款MasterGaN4器件,实现高达200瓦的高能效功率变换

意法半导体的MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩRDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管,以及优化的栅极驱动器和电路保护功能,可以简化高达200W的高能效电源变换应...

分类:新品快报 时间:2021/4/19 阅读:3486

2021年第三代半导体有望高速成长,GaN功率器件产值年增90%

根据TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体市场调查,2018至2020年第三代半导体产业陆续受到地缘贸易摩擦、疫情等影响,整体市场成长动力不足致使成长持续受到压抑。然而,受...

分类:行业趋势 时间:2021/3/17 阅读:19695

东南大学科研团队在氮化镓(GAN)功率驱动芯片技术研究中取得新进展

日前,东南大学电子科学与工程学院孙伟锋教授团队在氮化镓(GaN)功率驱动芯片技术上的最新研究成果成功发表在集成电路设计领域最高级别会议IEEEInternationalSolid-StateC...

分类:名企新闻 时间:2021/2/26 阅读:26824

GaN Systems推出两款具650V GaN半桥评估板

GaNSystems开发了两款650V半桥评估板(30A和60A),用于评估氮化镓(GaN)驱动器和GaN晶体管在各种应用中的性能。该公司声称,这些子板是业界首款可提供具有可调阈值和可编...

分类:新品快报 时间:2021/1/14 阅读:5643

Transphorm推出基于GaN的新型汽车/EV功率转换解决方案

高可靠性、高性能的氮化镓(GaN)功率转换产品的先驱和全球供应商TransphormInc.(OTCQB:TGAN)供应其SuperGaNTM自主品牌旗下的首款GenV器件的样品。Transphorm的新型GenV...

分类:新品快报 时间:2020/12/8 阅读:3556

TI推出其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的车用GaN FET

工程师可以使车用充电器和工业电源实现两倍的功率密度和更高效率 2020年11月10日,北京讯——德州仪器(TI)今天推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓(GaN...

分类:新品快报 时间:2020/11/11 阅读:5068

TI推出其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的车用GaN FET

德州仪器(TI)今天推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。与现有解决方案相比,新的GaNF...

分类:新品快报 时间:2020/11/11 阅读:5201

Transphorm的第二款900 V GaN场效应晶体管现已投入生产

Transphorm宣布,该公司的第二款900 V GaN场效应晶体管(FET)现已投入生产。TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧,瞬态峰值额定值为1千伏,现已通过电子设备工程联合委员会(JE...

分类:新品快报 时间:2020/8/20 阅读:1858 关键词:Transphorm场效应晶体管

Nexperia(安世半导体)宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术

半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装,TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能,并具有更好的稳定性。由于采用了...

分类:新品快报 时间:2020/6/9 阅读:1287

联电积极投入GaN制程开发

晶圆代工厂近来积极布局第三代半导体材料氮化镓(GaN),除龙头厂台积电已提供6英寸GaN-on-Si(硅基氮化镓)晶圆代工服务外,世界先进GaN制程也预计年底送样,联电同样积极投入...

分类:名企新闻 时间:2020/5/28 阅读:1673 关键词:联电GaN制程

Mouser - TI LMG341xR050 GaN功率级在贸泽开售

专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子即日起开始备货(TI) 的LMG341xR050氮化镓 (GaN) 功率级。这款 600V、500 mΩ的器件具有集成栅极驱动器和强大的保护功能,可让设计人员在电源转换系统中实现更高的效率,适用于高...

分类:名企新闻 时间:2020/4/15 阅读:1589 关键词:贸泽