Cambridge GaN Devices 携其首组商用产品首次亮相 APEC

类别:其他  出处:网络整理  发布于:2023-04-19 16:22:38 | 47 次阅读

    无晶圆厂半导体公司 Cambridge GaN Devices Ltd.(以下简称 CGD)结束神隐,宣布即将推出其首组产品组合,可令功耗降低高达 50%。CGD 携 ICeGaN 650 V H1 系列首次亮相 APEC(应用功率电子会议),该系列内含四款650 V 产品,能够充分发挥氮化镓 (GaN) 强大技术优势。

    CGD 是一家从剑桥大学分化出去的公司,创始人是 Giorgia Longobardi 博士和 Florin Udrea 教授,公司使命是通过提供节能易用的 GaN 技术解决方案为日常生活带来创新。这家公司发展迅速,过去 6 年一直埋头开展研发工作,希望通过设计、开发和商业化颠覆性创新产品,为解决全球一些迫在眉睫的能源消耗问题贡献力量。
    从 2016 年到今天,该公司已累积了 39 项和应用,其中 20 项独特发明专注于研究更快、更小和更经济的器件,以推动 GaN 技术在消费电子等领域普及推广。作为 CGD 推出的首组商业产品,650 V H1 系列首开行业先河,支持使用标准 MOSFET 驱动器,不需要依靠外部元件提供保护。CGD 的 GaN 技术对于工程师的价值在于,它能够代替当前应用中使用的硅基器件以及其他 GaN 解决方案,而被 CGD 视为进军目标的功率半导体市场预计到 2027 年市值将超过 500 亿美元。
    CGD 的 ICeGaN(集成电路增强模式 GaN)技术将 Cascode(共源共栅)配置的易用性优势、单芯片 eMode (normOFF) HEMT 的简单性以及一些集成智能感测和保护特性结合在一起。所有这些优势都嵌入一个芯片中,与传统硅芯片相比,多可令功耗减少50%。这项技术在功率和电压层面完全可扩展,能够很好地适应未来发展。
    ICeGaN? 是一种基于 GaN 的集成解决方案,自带智能自保机制,能够有效增强晶体管的功能性、通用性和可靠性。任何需要用电且运行于 650 V 细分市场的系统,这项 GaN 技术均可广泛适用。初期用途包括用于制造消费电子产品,例如移动充电器、笔记本电脑适配器、游戏和多合一 (AIO) 电脑以及一般的消费应用型开关电源 (SMPS)。650 V H1 系列产品组合也是 CGD 进军照明和服务器电源等细分市场的试水产品。未来 CGD 想要将自己的产品推广到更多应用领域,包括用于数据中心、光伏逆变器和可再生能源产品的大功率服务器和电信市场,长期目标是电动汽车/混合动力汽车系统。
    CGD 的长期产品战略也获得了英国和欧盟多合作伙伴资助项目的支持,其中近一个是 ICeData,该项目旨在开发基于 GaN 的、在数据中心服务器电源中使用的高效集成电路 (IC) 并且将其商业化。这个项目得到了英国政府商业、能源和工业战略部(BEIS)的资助,资金来自于能源企业家基金 (Energy Entrepreneur Fund),该基金挑选英国领先的技术组织以提供节能减排(CO2 排放)解决方案。
    CGD 的执行官兼创始人 GIORGIA LONGOBARDI 博士表示
    “我们怀着激动的心情向市场揭晓 CGD 的首批产品。我们的 GaN 技术既能化解复杂的工程难题,又能保证高效,这得益于我们团队在 GaN 领域强大的实力,我们对材料、器件物理特性的丰富认知以及对市场需求的深刻洞察。追求可持续发展是我们公司的核心原则,我们一直在研究创新解决方案,希望能够借助这些方案不断降低功率电子元件行业的功耗,造福广大客户和终端用户。我们的目标不仅仅是提供绿色产品,更要将可持续发展理念深深融入公司企业文化之中,我们团队将上下一心,全司同力,行而不辍,奋进前路。”
    公司创始人兼技术官 FLORIN UDREA 教授表示
    “我从事这一行已超过三十年。我在剑桥大学以及在不同公司工作时一直专注于各种材料(例如硅、氮化镓、碳化硅和钻石)以及器件(从 HEMT 到 IGBT,从超导结到 FinFET)的研究。关于宽带产品开发的预测谬误众多。但这次不同:GaN 的时代已经来临。至少未来 10 年里,(这类产品的)市场占有率将呈指数增长。”
    业务开发副总裁 ANDREA BRICCONI 表示
    “对于所有致力于设计导入 GaN 晶体管并且投入大量心血研发 GaN 晶体管驱动方法的人来说, ICeGaN650 V H1 系列犹如减负利器。这四款产品可以与栅极驱动器无缝对接,让基于 ICeGaN 的 GaN HEMT 变得如硅 MOSFET 般易于使用。既不需要加装元件来驱动 ICeGaN,不需要箝位二极管提供保护,不需要负电压来关断 (TurnOFF) 功率晶体管,还能依靠 GaN 的固有特性保证性能水平。这组产品采用 DFN5x6 和 DFN8x8 这两种的 SMD 封装,提供从 55 mΩ 至 200 mΩ 的宽程 RdsON,因此非常适合大多数低功率和中功率 SMPS 应用,针对高功率市场的特定集成电路 (IC) 和解决方案正在筹备中。”
    CGD 亮相 APEC(2022 年 3 月 20 日至 24 日):对 CGD 感兴趣的参观者欢迎访问 #1733 展台。公司创始人和技术团队将为您介绍 ICeGaN? 技术和部分精选评估板。
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