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GaN资讯

EPC公司与英诺赛科的GaN专利纷争进入尾声

近期,英诺赛科与EPC之间爆发了多起专利纠纷,主要集中在EPC拥有的508专利和294专利上。  在一系列诉讼中,英诺赛科已经取得了初步的胜利,特别是在与508专利相关的诉讼...

分类:业界动态 时间:2024/7/16 阅读:171 关键词:GaN

英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓(GaN)产...

分类:新品快报 时间:2024/7/12 阅读:256 关键词:晶体管

SiC和GaN市场正在被重塑

据Yole统计,多家 SiC 厂商宣布了未来几年扩大产能以满足终端系统(尤其是汽车)需求的计划。意法半导体、安森美、英飞凌、Wolfspeed 和 ROHM 等领先的设备厂商都在不同地...

分类:业界动态 时间:2024/7/12 阅读:415 关键词:SiCGaN

英飞凌推出CoolGaN双向开关和CoolGaN Smart Sense,提高功率系统的性能和成本效益

“英飞凌科技股份公司近日推出两项全新的CoolGaN?产品技术:CoolGaN双向开关(BDS)和CoolGaN Smart Sense。CoolGaNBDS拥有出色的软开关和硬开关性能,提供40 V、650 V 和 ...

分类:新品快报 时间:2024/7/10 阅读:250 关键词:英飞凌

英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出新一代高压(HV)和中压(MV)CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓(GaN)的应用范围扩大到40 ...

分类:新品快报 时间:2024/7/10 阅读:248 关键词:英飞凌

TI -德州仪器推出先进的 GaN IPM,助力打造尺寸更小、能效更高的高压电机

亮点  650V 智能电源模块 (IPM) 集成了德州仪器的氮化镓 (GaN) 技术,助力家电和暖通空调 (HVAC) 系统逆变器达到 99% 以上效率。  得益于 IPM 的高集成度和高效率,省...

时间:2024/7/4 阅读:28 关键词:德州仪器

瑞萨电子与 Transphorm 达成交易后推出 GaN 功率晶体管

瑞萨电子已完成对 GaN 晶体管制造商 Transphorm 的收购。  瑞萨电子表示:“随着此次收购的完成,瑞萨电子将立即开始提供基于 GaN 的电源产品和相关参考设计,以满足对宽...

分类:名企新闻 时间:2024/6/24 阅读:267 关键词:瑞萨电子

TI - 德州仪器推出先进的 GaN IPM,助力打造尺寸更小、能效更高的高压电机

650V 智能电源模块 (IPM) 集成了德州仪器的氮化镓 (GaN) 技术,助力家电和暖通空调 (HVAC) 系统逆变器达到 99% 以上效率。  得益于 IPM 的高集成度和高效率,省去了对外部散热器的需求,工程师可以将解决方案尺寸缩减多达 55%。  德...

时间:2024/6/18 阅读:34 关键词:德州仪器

CGD新型ICeGaN GaN功率IC使数据中心、逆变器和工业开关电源的实现超高效率

无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效氮化镓(GaN)功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出采用新颖的芯片和封装设计...

分类:新品快报 时间:2024/6/12 阅读:282 关键词:半导体

CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出新款低热阻GaN功率IC封装

无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出两款新型 ICeGaN 产品系列 GaN 功...

分类:新品快报 时间:2024/6/5 阅读:302 关键词:逆变器

GaN技术

使用 GaN IC 的离线电源大容量电容器优化

通用电源适配器的经验法则是,当设计考虑因素低至 90 VAC 时,直流总线电容值(单位为 F)应选择为输出功率要求(单位为瓦)的 1.5 到 2 倍。对于仅高压线路应用,总电容可以显著降低。考虑到这一关键概念,MinE-CAP 可使设计人员显著减...

全部 时间:2024/7/11 阅读:84

凹槽栅极技术革新 E-Mode GaN 晶体管

GaN 是一种二元化合物,由一个镓原子(III 族,Z = 31)和一个氮原子(V 族,Z = 7)组成,具有纤锌矿六方结构。镓原子和氮原子通过非常强的离子化学键结合在一起,从而产...

设计应用 时间:2024/6/21 阅读:659

采用高度集成的半桥 GaN IC 的 400W LLC转换器

400W 转换器拓扑  此类设备(例如 Apple Studio Display 中的设备)的 400 W PSU 通常由两个阶段组成。功率因数校正 (PFC) 升压电路将交流电源电压转换为 380 V DC。第二...

设计应用 时间:2024/6/6 阅读:1018

集成电路 p 栅极 GaN HEMT 中的栅极过压稳定性

功率转换器中使用的氮化镓 (GaN) 器件具有多种优势,包括更高的效率、功率密度和高频开关。横向 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 功率器件在此类应用中实现了强劲的市场增长...

技术方案 时间:2024/6/4 阅读:1292

Qorvo - 从4个到256个通道,GaN技术如何创新5G基站系统的紧凑设计

本文将探讨5G功率放大器(PA)设计进步所带来的挑战与机遇。同时,我们还将分享针对当前趋势的见解,并提供实用建议,助力工程师们更有效地进行设计。  将市场需求与产品性能相契合  首先,让我们来快速回顾一下5G蜂窝市场显而易见的...

基础电子 时间:2024/5/30 阅读:180

基于 GaN 的 FET 如何实现高性能电机逆变器

推动更高效的能源利用、更严格的监管要求以及冷却器操作的技术优势都支持了最近减少电动机功耗的举措。虽然硅 MOSFET 等开关技术已得到广泛应用,但它们通常无法满足关键逆...

设计应用 时间:2024/5/23 阅读:647

如何改善GaN HEMT 功率器件的短路耐受时间

电机驱动器运行的恶劣环境可能会因逆变器击穿和电机绕组绝缘击穿等故障情况而导致过流水平。功率器件需要在保护检测电路触发和关闭电机驱动所需的时间内承受这些事件。SC ...

设计应用 时间:2024/5/8 阅读:845

什么是GaN 器件外延

MOCVD,也称为金属有机气相外延 (MOVPE),是 CVD 的一个子集。在 CVD 中,化学反应在所提供的前体的气相中发生,并导致沉积在基材上的固体材料的形成。金属有机化合物用于提供III族元素,在本例中为Ga。需要外部能量(热)来裂解前体。Ma...

基础电子 时间:2024/4/25 阅读:368

使用 GaN IC 离线电源的大容量电容器优化

额定功率75W以下的适配器可细分为:输入滤波器、二极管整流器、输入输出电容器、IC控制器、辅助电源、磁性元件、功率器件和散热器。集成解决方案在缩小和简化转换器方面已...

设计应用 时间:2024/4/24 阅读:342

GaN 基高频 LLC 谐振转换器的设计注意事项

随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势,高频 LLC 谐振转换器对于业界隔离 DC/DC 拓扑来说是一种有吸引力的解决方案,例如笔记本电脑适配器 (>75W)、1KW-3KW 数据...

设计应用 时间:2024/4/15 阅读:1061

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