Infineon - 英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和...
时间：2024/8/19 阅读：42 关键词：半导体
英飞凌推出全新CoolGaN Drive产品系列，包括带有集成驱动器的集成单开关和半桥
消费电子和工业应用领域正呈现出便携化、电气化、轻量化等多样化的发展趋势。而这些趋势都需要紧凑高效的设计，同时还需采用非常规 PCB设计，此类设计面临严格的空间限制，...
分类：新品快报 时间：2024/8/15 阅读：341 关键词：集成驱动器
Infineon - 英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提高效率，降低...
时间：2024/8/8 阅读：53 关键词：英飞凌
Infineon - 英飞凌推出CoolGaN双向开关和CoolGaN Smart Sense， 提高功率系统的性能和成本效益
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出两项全新的CoolGaN产品技术：CoolGaN双向开关（BDS）和CoolGaN Smart Sense。CoolGaN BDS拥有出色的软开关和硬开关性能，提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关，适用于移...
时间：2024/8/8 阅读：76 关键词：半导体
据布鲁塞尔时报(The Brussels Times)报道，主要生产硅和氮化镓半导体芯片的BelGaN公司申请了破产保护。 BelGaN团队和工厂于1983年以MIETEC的名义成立，后来被阿尔卡特收购，随后被AMI Semiconductor收购，2008年出售给安森美半导体，2...
分类：名企新闻 时间：2024/8/5 阅读：225 关键词：BelGaN
Renesas -Transphorm GaN技术引领氮化镓革命
长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下——常闭耗尽型（D-mode）和增强型（E-mode）氮化镓。在设计电路时，人们倾向于使用增强型（E-mode）晶体管，但其实无论从性能、可靠性、多样性、可制造性以及实际用途方面...
时间：2024/7/23 阅读：53 关键词：GaN技术
Renesas ——Transphorm GaN技术引领氮化镓革命
*瑞萨电子已于2024年6月20日完成对Transphorm的收购，以下为中电网于收购完成之前对Transphorm的采访文章。 长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下--常闭耗尽型（D-mode）和增强型（E-mode）氮化镓。在设计电...
时间：2024/7/19 阅读：45 关键词：半导体
近期，英诺赛科与EPC之间爆发了多起专利纠纷，主要集中在EPC拥有的508专利和294专利上。 在一系列诉讼中，英诺赛科已经取得了初步的胜利，特别是在与508专利相关的诉讼...
分类：业界动态 时间：2024/7/16 阅读：213 关键词：GaN
英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产...
分类：新品快报 时间：2024/7/12 阅读：326 关键词：晶体管
据Yole统计，多家 SiC 厂商宣布了未来几年扩大产能以满足终端系统（尤其是汽车）需求的计划。意法半导体、安森美、英飞凌、Wolfspeed 和 ROHM 等领先的设备厂商都在不同地...
保护 USB 端口、不同电源供电的设备的开关电路以及高侧负载开关免受浪涌影响，都依赖于双向电压阻断和电流传导。到目前为止，设计人员只能使用两个在共源极配置中背对背连...
设计应用 时间：2024/10/21 阅读：343
共源共栅和 E 模式 GaNFET 的演变和可靠性 共源共栅 GaN 的结构如图 1 (a) 所示，在共源共栅配置中结合了低压常关硅 MOSFET 和高压常开 GaN HEMT。该组合有效地产生了增...
设计应用 时间：2024/10/9 阅读：365
带有 GaN 和 SiC 元件的转换器的高开关频率对用于控制系统硬件在环测试的实时模拟器提出了挑战。 当功率半导体的开关频率超过 100 kHz 时，仅将模拟步骤减少到略低于 1 ...
设计应用 时间：2024/9/14 阅读：302
氮化镓（Gallium Nitride，简称 GaN）是一种宽禁带半导体材料，具有优异的电气性能和热性能，广泛应用于电子和光电子器件中。以下是氮化镓的基本特性和应用领域： 基本特性 宽禁带： GaN 具有较大的禁带宽度（约 3.4 eV），这使...
基础电子 时间：2024/8/23 阅读：308
集成与外部电流检测电阻 在电力电子应用中，例如反激式转换器或功率因数校正 ( PFC )，通常会检测开关电流以进行峰值/谷值电流模式控制或过流保护。如表 1 所示，有几种...
设计应用 时间：2024/8/22 阅读：345
通用电源适配器的经验法则是，当设计考虑因素低至 90 VAC 时，直流总线电容值（单位为 F）应选择为输出功率要求（单位为瓦）的 1.5 到 2 倍。对于仅高压线路应用，总电容可以显著降低。考虑到这一关键概念，MinE-CAP 可使设计人员显著减...
全部 时间：2024/7/11 阅读：165
GaN 是一种二元化合物，由一个镓原子（III 族，Z = 31）和一个氮原子（V 族，Z = 7）组成，具有纤锌矿六方结构。镓原子和氮原子通过非常强的离子化学键结合在一起，从而产...
设计应用 时间：2024/6/21 阅读：936
采用高度集成的半桥 GaN IC 的 400W LLC转换器
400W 转换器拓扑 此类设备（例如 Apple Studio Display 中的设备）的 400 W PSU 通常由两个阶段组成。功率因数校正 (PFC) 升压电路将交流电源电压转换为 380 V DC。第二...
设计应用 时间：2024/6/6 阅读：1082
功率转换器中使用的氮化镓 (GaN) 器件具有多种优势，包括更高的效率、功率密度和高频开关。横向 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 功率器件在此类应用中实现了强劲的市场增长...
技术方案 时间：2024/6/4 阅读：2885
Qorvo - 从4个到256个通道，GaN技术如何创新5G基站系统的紧凑设计
本文将探讨5G功率放大器（PA）设计进步所带来的挑战与机遇。同时，我们还将分享针对当前趋势的见解，并提供实用建议，助力工程师们更有效地进行设计。 将市场需求与产品性能相契合 首先，让我们来快速回顾一下5G蜂窝市场显而易见的...
基础电子 时间：2024/5/30 阅读：213
