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GaAs 和 InP市场,强势反弹?

随着市场复苏和新消费产品的出现,光子学 GAAS 和 INP 市场正在反弹。  在经历了 InP 数据通信和电信市场连续三个季度的疲软和放缓之后,2023 年第四季度标志着 InP 裸片...

分类:行业趋势 时间:2024/4/1 阅读:1469 关键词:GaAs InP

埃赛力达推出全新C30733BQC-01型InGaAs雪崩光电二极管,APD增益高达40倍

新一代光子检测器可为基于光纤的高端电信测试和分析设备应用提供高速、高增益和低噪音性能 提供以市场为导向的创新化光电解决方案工业技术领导者——埃赛力达科技有限公...

分类:新品快报 时间:2023/5/23 阅读:407 关键词:光电二极管

5G通讯带动需求 GaAs代工龙头稳懋营收有望逐步回温

砷化镓(GaAs)及氮化镓(GaN)晶圆代工龙头稳懋公告2019年第二季营收情形,营收金额来到1.41亿美元。第二季营收相较于季成长20.2%,而年增(减)率情形持续受到中美贸易摩擦影响...

分类:行业趋势 时间:2019/8/15 阅读:2113 关键词:5G通讯GaAs

5G推升需求,GaAs射频器件2020年新一波成长动能显现

根据集邦咨询旗下拓墣产业研究院报告指出,由于现行射频前端器件制造商因手机通讯器件的功能需求,逐渐以GaAs晶圆作为器件的制造材料,加上随着5G建设逐步展开,射频器件使...

分类:行业趋势 时间:2019/7/9 阅读:1952 关键词:5GGaAs射频

浅析GaAs、GaN、SiC三种化合物半导体的产业布局和未来趋势

化合物半导体是指由两种及以上元素构成的半导体材料,目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等。作为第二代和第三代半导体的主要代表,因其更接近绝缘体,在适应高温(500℃...

分类:行业趋势 时间:2018/10/23 阅读:1178 关键词:半导体

砷化镓(GaAs)晶圆和外延片市场分析

据麦姆斯咨询介绍,作为最成熟的化合物半导体之一,GaAs无处不在,俨然成为每部智能手机中功率放大器的基石!2018年,预计GaAs射频业务占据GaAs晶圆市场份额超过50%。然而,由于手机市场逐渐饱和,并且芯片尺寸越来越小,所以过去几年Ga...

分类:行业趋势 时间:2018/7/24 阅读:1367 关键词:晶圆砷化镓

Qorvo®推出新型支持C-V2X的GaAs HBT PA

实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布,Qorvo 前端功率放大器(PA)将用于高通子公司 Qualcomm Technologies, Inc. 的高通 蜂窝车联网(C-V2X)参考设计。Qorvo 新型 GaAs HBT PA 是一款支持C-V...

分类:新品快报 时间:2018/4/17 阅读:271

美高森美推出新系列宽带塑封和裸片GaAs MMIC器件

美高森美公司(Microsemi) 推出新系列宽带塑封和单片微波集成电路(MMIC)器件。新产品扩充了不断增长的高性能宽带MMIC产品组合,包括四个塑封低噪声放大器(LNA)MMA040PP5、MM...

分类:新品快报 时间:2017/7/5 阅读:538 关键词:低噪声放大器功率放大器美高森美

RF前端制造向硅技术演进大大改善GaAs供需紧张

消费者需求所推动的不仅仅是设备的功能和性能。无线连接性正在广泛的消费电子应用产品中迅速普及,满足了消费者对随心所欲的人际互动与网络接入永不餍足的需求。消费者需要一种想象天马行空、基于功能的用户体验,供应商因此必需创建在一...

分类:业界要闻 时间:2010/12/21 阅读:351

Spire公司GaAs太阳能电池创造42.3%转换效率记录

Spire集团的全资子公司SpireSemiconductor近日研制出了世界上效率的三结砷化镓(GaAs)太阳能电池,在406倍太阳辐射聚光(406suns)、大气光学质量1.5(AM1.5)、25℃的测试条件下,这片0.97cm2电池的效率

分类:名企新闻 时间:2010/10/12 阅读:1700 关键词:太阳能

GaAs技术

GaAs 二极管在高性能功率转换中的作用

高压硅二极管具有较低的正向传导压降,但由于其反向恢复行为,会在功率转换器中产生显着的动态损耗。SiC 二极管表现出可忽略不计的反向恢复行为,但确实表现出比硅更高的体...

设计应用 时间:2024/3/11 阅读:572

新型 GaAs 功率肖特基二极管的电气行为

通常,硅双极二极管用于转换器中。它们的反向恢复会在硬开关电路中的二极管和相应晶体管中产生损耗 [1];此外,它也可能是软开关电路的限制因素[2]。我们付出了一些努力来优化硅双极二极管的行为 [3],但不能超过物理极限。  本节简要...

基础电子 时间:2023/10/10 阅读:784

GaAs 注入模式肖特基二极管

考虑到Si、SiC和GaAs的一般物理参数,SiC似乎是高频功率器件的首选材料。它可以承受最高电场,从而使二极管具有非常高的击穿电压和低正向压降。此外,它具有最低的热阻,允许高通态电流密度。 然而,砷化镓有一些必须考虑的优点: ...

基础电子 时间:2023/9/6 阅读:901

超高亮度A1GaAsLED灯的基本结构解析

超高亮度红A1GaAsLED与GaAsPGaPLED相比,具有更高的发光效率,透明衬(TS)A1GaAsLED(640nm)的流明效率已接近10lm/W,比红色GaAsPGaPLED大10倍。超高亮度InGaAlPLED提供的颜色与GaAsPGaPLED相同,包括绿黄色(560nm)、浅绿黄色...

基础电子 时间:2019/10/10 阅读:846

MACOM宣布推出全新的优化负电压驱动器 可兼容高性能AlGaAs和HMIC PIN二极管开关

的半导体解决方案供应商MACOMTechnology Solutions Inc. (“MACOM”) 今日宣布推出两款全新的负电压驱动器,能够无缝兼容MACOM全系列AlGaAs和HMIC PIN二极管开关产品。相比分立元件的驱动方案,全新集成的MADR-011020和MADR-011022用于驱...

新品速递 时间:2019/1/21 阅读:861

Analog Devices GaAs ADMV10x转换器在贸泽开售为数据传输提供高品质升/降频转换

2018年6月5日 – 专注于新产品引入 (NPI) 并提供极丰富产品类型的业界顶级半导体和电子元件分销商贸泽电子 (即日起备货 Devices的转换器。这些单片微波集成电路 (MMIC) 属于ADI 最新的升/降频转换器系列,用砷化镓 (GaAs) 制成,是高性能...

设计应用 时间:2018/6/19 阅读:650

基于GaAs工艺的可变增益功率放大器的应用设计

导读:本文根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理,设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路( MMIC)。  采用电路仿真ADS软件进行了原理图...

设计应用 时间:2014/6/18 阅读:2996

设置时间不到20ns的GaAs pHEMT微波开关

开关速度是个涉及多个事件的复杂参数,每个事件都有自己的持续时间。借助已申请的pHEMT技术,M/A-COM Technology Solutions公司(下文简称为M/A-COM)已经找到了一种可缩短其中一个事件——开关的设置时间——的方法,从而给基于分组通信网...

基础电子 时间:2010/8/18 阅读:5521

基于GaAs PIN二极管的宽带大功率单片单刀双掷开关

0 引言  PIN二极管广泛应用于限幅器、开关、衰减器、移相器等控制电路中。与MESFET和PHEMT器件相比较,PIN二极管具有插入损耗低、截止频率高、功率容量大的特点,特别适...

基础电子 时间:2010/6/4 阅读:4814

DC~40 GHz反射型GaAs MMIC SPST开关

0 引言  随着GaAs MMIC技术的发展和成熟,人们对高性能、小型化、超宽带开关的要求越来越迫切。GaAs MMIC开关具有开关速度快、插损小、可靠性高、驱动功耗几乎为零、体积小等特点,能够满足工程应用的系列要求。SPST开关作为电子系统中...

基础电子 时间:2009/9/1 阅读:2812

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