作为提供不间断连接的关键，许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。 氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙半导体材料，越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、...
时间：2023/5/18 阅读：164 关键词：氮化镓
ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT！
全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务...
分类：新品快报 时间：2023/5/17 阅读：282 关键词：ROHM
Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同类产品中拥有出色的稳健性、易用性和高效率
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN? 650 V 氮化...
分类：新品快报 时间：2023/5/16 阅读：259 关键词：电子
意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片，保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动
意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑，以及低静态电流、3.5V-38V 宽输入电压等优势。 L6983i适合需要隔离式 DC-DC 转换器应用...
分类：新品快报 时间：2023/5/16 阅读：449 关键词：降压转换器
Nexperia推出支持低压和高压应用的E－mode GAN FET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系...
分类：新品快报 时间：2023/5/10 阅读：466 关键词：Nexperia
该公司表示：“分立式和集成式功率级器件组合为设计人员提供了必要的灵活性，以满足他们对符合 JEDEC 标准 JESD47 和 JESD22 的工业应用的特定需求。” 提供 DSO-20-85...
Transphorm推出六款可与e－mode设备实现引脚对引脚兼容的SuperGaN FET产品
Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是一家提供高可靠性、高性能氮化镓（GaN）功率转换产品的领军企业和全球供应商。公司宣布推出六款表面贴装器件（SMD），采用行业标准PQFN 5...
分类：新品快报 时间：2023/5/5 阅读：488 关键词：电源
InnoSwitch3－AQ现已推出900V PowiGaN开关，可在电动汽车中提供高达100W的输出功率
符合AEC-Q100标准的InnoSwitch3-AQ反激式开关IC现在提供900V氮化镓(GaN)选项。 新器件采用PI的PowiGaN技术，可提供高达100W的功率，效率超过93%，并且无需散热片。 更大的...
分类：新品快报 时间：2023/4/27 阅读：671 关键词： PowiGaN开关
CGD 生产的易于使用、坚固耐用的 ICeGaN GaN HEMT 现已大量上市
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂半导体公司，开发了一系列基于 GaN 的节能功率器件，以实现更环保的电子产品。今天宣布其 ICeGaN 智能 HEMT、单片集成功率解决方案现已可以批量出货。此外，业界首个易于使用和可扩展的 650V ...
时间：2023/4/19 阅读：52 关键词：电子
Cambridge GaN Devices 携其首组商用产品首次亮相 APEC
无晶圆厂半导体公司 Cambridge GaN Devices Ltd.（以下简称 CGD）结束神隐，宣布即将推出其首组产品组合，可令功耗降低高达 50%。CGD 携 ICeGaN 650 V H1 系列首次亮相 APEC（应用功率电子会议），该系列内含四款650 V 产品，能够充分发...
时间：2023/4/19 阅读：48 关键词：电子
Infineon Technologies收购 GaN Systems对电力电子行业意义重大：这是迄今为止功率 GaN 行业最大的一笔交易，8.3 亿美元的收购价格——约占 Infineon Technologies 电力电...
分类：业界动态 时间：2023/4/12 阅读：851 关键词：英飞凌
该系统级封装(SiP)氮化镓功率管可以为USB-C PD适配器和其它低功耗应用提供结构紧凑、具成本效益、快速面市的解决方案。 Transphorm将在APEC2023会议上展出该产品(展位#853)。 加州戈利塔和台湾新竹—March 1, 2023 -- 高可靠性、高...
时间：2023/3/28 阅读：127 关键词：电子
多家 SiC 厂商宣布了产能扩张计划，以满足未来几年终端系统的需求，尤其是汽车领域。STMicroelectronics、Infineon、Wolfspeed、onsmei 和 ROHM 等领先的设备制造商都在不...
ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。 近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN...
时间：2023/3/22 阅读：166 关键词：电子
Infineon - 英飞凌将收购氮化镓系统公司（GaN Systems），在扩充氮化镓产品线的同时，进一步巩固自身在全球功率系统领域的领导地位
英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）和氮化镓系统公司（GaN Systems）联合宣布，双方已签署最终协议。根据该协议，英飞凌将斥资 8.3 亿美元收购氮化镓系统公司。氮化镓系统公司是全球领先的科技公司，致力于为功率...
时间：2023/3/14 阅读：129 关键词：英飞凌
