作为提供不间断连接的关键,许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。 氮化镓技术,通常称为 GaN,是一种宽带隙半导体材料,越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、...
时间:2023/5/18 阅读:164 关键词:氮化镓
ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT!
全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产,这两款产品非常适用于服务...
分类:新品快报 时间:2023/5/17 阅读:282 关键词:ROHM
Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs,在同类产品中拥有出色的稳健性、易用性和高效率
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司,开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN? 650 V 氮化...
分类:新品快报 时间:2023/5/16 阅读:259 关键词:电子
意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片,保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动
意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑,以及低静态电流、3.5V-38V 宽输入电压等优势。 L6983i适合需要隔离式 DC-DC 转换器应用...
分类:新品快报 时间:2023/5/16 阅读:449 关键词:降压转换器
Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode(增强型)功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系...
分类:新品快报 时间:2023/5/10 阅读:466 关键词:Nexperia
该公司表示:“分立式和集成式功率级器件组合为设计人员提供了必要的灵活性,以满足他们对符合 JEDEC 标准 JESD47 和 JESD22 的工业应用的特定需求。” 提供 DSO-20-85...
Transphorm推出六款可与e-mode设备实现引脚对引脚兼容的SuperGaN FET产品
Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是一家提供高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率转换产品的领军企业和全球供应商。公司宣布推出六款表面贴装器件(SMD),采用行业标准PQFN 5...
分类:新品快报 时间:2023/5/5 阅读:488 关键词:电源
InnoSwitch3-AQ现已推出900V PowiGaN开关,可在电动汽车中提供高达100W的输出功率
符合AEC-Q100标准的InnoSwitch3-AQ反激式开关IC现在提供900V氮化镓(GaN)选项。 新器件采用PI的PowiGaN技术,可提供高达100W的功率,效率超过93%,并且无需散热片。 更大的...
分类:新品快报 时间:2023/4/27 阅读:671 关键词: PowiGaN开关
CGD 生产的易于使用、坚固耐用的 ICeGaN GaN HEMT 现已大量上市
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂半导体公司,开发了一系列基于 GaN 的节能功率器件,以实现更环保的电子产品。今天宣布其 ICeGaN 智能 HEMT、单片集成功率解决方案现已可以批量出货。此外,业界首个易于使用和可扩展的 650V ...
时间:2023/4/19 阅读:52 关键词:电子
Cambridge GaN Devices 携其首组商用产品首次亮相 APEC
无晶圆厂半导体公司 Cambridge GaN Devices Ltd.(以下简称 CGD)结束神隐,宣布即将推出其首组产品组合,可令功耗降低高达 50%。CGD 携 ICeGaN 650 V H1 系列首次亮相 APEC(应用功率电子会议),该系列内含四款650 V 产品,能够充分发...
时间:2023/4/19 阅读:48 关键词:电子
Infineon Technologies收购 GaN Systems对电力电子行业意义重大:这是迄今为止功率 GaN 行业最大的一笔交易,8.3 亿美元的收购价格——约占 Infineon Technologies 电力电...
分类:业界动态 时间:2023/4/12 阅读:851 关键词:英飞凌
该系统级封装(SiP)氮化镓功率管可以为USB-C PD适配器和其它低功耗应用提供结构紧凑、具成本效益、快速面市的解决方案。 Transphorm将在APEC2023会议上展出该产品(展位#853)。 加州戈利塔和台湾新竹—March 1, 2023 -- 高可靠性、高...
时间:2023/3/28 阅读:127 关键词:电子
多家 SiC 厂商宣布了产能扩张计划,以满足未来几年终端系统的需求,尤其是汽车领域。STMicroelectronics、Infineon、Wolfspeed、onsmei 和 ROHM 等领先的设备制造商都在不...
ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)确立了一项超高速驱动控制IC技术,利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。 近年来,GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用,然而,如何提高控制IC(负责GaN...
时间:2023/3/22 阅读:166 关键词:电子
Infineon - 英飞凌将收购氮化镓系统公司(GaN Systems),在扩充氮化镓产品线的同时,进一步巩固自身在全球功率系统领域的领导地位
英飞凌科技股份公司(FSE 代码:IFX / OTCQX 代码:IFNNY)和氮化镓系统公司(GaN Systems)联合宣布,双方已签署最终协议。根据该协议,英飞凌将斥资 8.3 亿美元收购氮化镓系统公司。氮化镓系统公司是全球领先的科技公司,致力于为功率...
时间:2023/3/14 阅读:129 关键词:英飞凌