类别:其他 出处:网络整理 发布于:2024-01-17 15:51:29 | 72 次阅读
意法半导体的MasterGaN产品家族集成两颗650V高电子迁移率GaN晶体管(HEMT)与优化的栅极驱动器、系统保护功能,以及在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功能省去了设计者处理GaN晶体管栅极驱动开发难题。这两款产品采用紧凑的电源封装,提高了可靠性,减少了物料成本,简化了电路布局。
这两款新器件内置两个连接成半桥的GaN HEMT晶体管,这种配置适合开发采用有源箝位反激式转换器、有源箝位正激式转换器或谐振式转换器拓扑的开关式电源、适配器和充电器。MasterGaN1L和MasterGaN4L分别与MasterGaN1和MasterGaN3引脚兼容。与早期的产品相比,新产品重新优化了导通时间,支持更高的开关频率,在低负载的情况取得更高的能效,能效提高在谐振拓扑中尤为明显。凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
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