Mouser - 贸泽电子与Analog Devices和Bourns联手发布全新电子书 探讨基于GaN的电力电子器件的优势
推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新电子书，探讨氮化镓 (GaN) 在效率、性能和可持续性方面的优势，以及发挥这些优势所面临的挑战。 《10 ...
时间：2025/2/18 阅读：113 关键词：贸泽电子
ROHM的650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装
ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特...
分类：新品快报 时间：2025/2/18 阅读：415 关键词：ROHM
EPC 推出了一款评估板，该评估板采用 40Arms（峰值 60A）三相逆变器，运行电压范围为 30V 至 130V。 该公司表示，该产品名为 EPC91200，“适用于工业自动化、农业机械...
分类：新品快报 时间：2025/1/17 阅读：4020 关键词：三相电机
意法半导体推出的250W MasterGaN参考设计可加速实现紧凑、高效的工业电源
为了加快能效和功率密度都很出色的氮化镓(GaN)电源(PSU)的设计，意法半导体推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系统级封装(SiP)的谐振转换器参考设计。 意法半导体的Mas...
分类：新品快报 时间：2024/12/23 阅读：412 关键词：半导体
ROHM 和台积电已就电动汽车应用 GaN 功率器件的开发和量产达成战略合作伙伴关系。 此次合作将罗姆的器件开发技术与台积电的硅基氮化镓工艺技术相结合，以满足功率器件对...
英飞凌推出了 opa 新系列高压分立器件 CoolGaN 晶体管 650 V G5，进一步增强了其 GaN)p 产品组合。 目标应用范围从消费和工业开关模式电源 (SMPS)（例如 USB-C 适配器和...
分类：新品快报 时间：2024/11/6 阅读：282 关键词：晶体管
Infineon - 英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和...
时间：2024/8/19 阅读：121 关键词：半导体
英飞凌推出全新CoolGaN Drive产品系列，包括带有集成驱动器的集成单开关和半桥
消费电子和工业应用领域正呈现出便携化、电气化、轻量化等多样化的发展趋势。而这些趋势都需要紧凑高效的设计，同时还需采用非常规 PCB设计，此类设计面临严格的空间限制，...
分类：新品快报 时间：2024/8/15 阅读：431 关键词：集成驱动器
Infineon - 英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提高效率，降低...
时间：2024/8/8 阅读：140 关键词：英飞凌
Infineon - 英飞凌推出CoolGaN双向开关和CoolGaN Smart Sense， 提高功率系统的性能和成本效益
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出两项全新的CoolGaN产品技术：CoolGaN双向开关（BDS）和CoolGaN Smart Sense。CoolGaN BDS拥有出色的软开关和硬开关性能，提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关，适用于移...
时间：2024/8/8 阅读：139 关键词：半导体
据布鲁塞尔时报(The Brussels Times)报道，主要生产硅和氮化镓半导体芯片的BelGaN公司申请了破产保护。 BelGaN团队和工厂于1983年以MIETEC的名义成立，后来被阿尔卡特收购，随后被AMI Semiconductor收购，2008年出售给安森美半导体，2...
分类：名企新闻 时间：2024/8/5 阅读：288 关键词：BelGaN
Renesas -Transphorm GaN技术引领氮化镓革命
长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下——常闭耗尽型（D-mode）和增强型（E-mode）氮化镓。在设计电路时，人们倾向于使用增强型（E-mode）晶体管，但其实无论从性能、可靠性、多样性、可制造性以及实际用途方面...
时间：2024/7/23 阅读：101 关键词：GaN技术
Renesas ——Transphorm GaN技术引领氮化镓革命
*瑞萨电子已于2024年6月20日完成对Transphorm的收购，以下为中电网于收购完成之前对Transphorm的采访文章。 长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下--常闭耗尽型（D-mode）和增强型（E-mode）氮化镓。在设计电...
时间：2024/7/19 阅读：95 关键词：半导体
近期，英诺赛科与EPC之间爆发了多起专利纠纷，主要集中在EPC拥有的508专利和294专利上。 在一系列诉讼中，英诺赛科已经取得了初步的胜利，特别是在与508专利相关的诉讼...
分类：业界动态 时间：2024/7/16 阅读：325 关键词：GaN
英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产...
分类：新品快报 时间：2024/7/12 阅读：400 关键词：晶体管
