Ugreen推出300W USB-C GaN 5端口桌面充电器
根据外媒报道，Ugreen在其不断增加的充电配件库存中添加了一款新的 300W 多端口 GaN 充电器。这款售价 269 美元的砖块配备了 4 个 USB-C 端口和 1 个 USB-A 端口，旨在为外出时需要为多台设备提供单一充电解决方案的桌面用户提供足够的电...
分类：新品快报 时间：2023/9/6 阅读：354 关键词：端口桌面充电器
意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能
意法半导体宣布已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。STPOWER GaN晶体管提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工...
分类：新品快报 时间：2023/8/4 阅读：438 关键词：PowerGaN器件
ROHM开发出EcoGaN Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力减少服务器和AC适配器等的损耗和体积！
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-...
时间：2023/7/31 阅读：137 关键词：ROHM
ROHM开发出EcoGaN减少服务器和AC适配器等的损耗和体积！
近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件...
分类：新品快报 时间：2023/7/25 阅读：477 关键词：AC适配器
EPC7001具有4mΩ导通电阻、60A（250A 300μs脉冲25°C）容量，占用面积7mm 2 EPC7002 开启至 14.5mΩ，可通过其 1.87mm 2占位面积处理 10A（62A 300μs 脉冲 25°C） ...
分类：新品快报 时间：2023/7/21 阅读：430 关键词： GaN 功率晶体管
该系列的前两款产品SGT120R65AL和SGT65R65AL是工业级 650V 常断G-HEMT，采用 PowerFLAT 5×6 HV 表面贴装封装。它们的额定电流分别为 15A 和 25A，25°C 时的典型导通电阻 (R DS(on) ) 分别为 75mΩ 和 49mΩ。 此外，3nC 和 5.4nC 的...
分类：新品快报 时间：2023/7/18 阅读：231 关键词：ST
到 2028 年，射频 GaN 市场规模将达到 30 亿美元
2022 年 RF GaN 器件市场价值 13 亿美元，预计 2028 年将达到 27 亿美元，2022 年至 2028 年复合年增长率为 12%。 SEDI、Qorvo 和 Wolfspeed：三大设备厂商正在稳步增长...
分类：行业趋势 时间：2023/6/28 阅读：1562 关键词：射频 GaN
Transphorm发布业界首款1200伏GaN－on－Sapphire器件的仿真模型
该器件已准备就绪：为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, I...
分类：新品快报 时间：2023/5/31 阅读：361 关键词：Sapphire器件
ST的100W和65W VIPerGaN功率转换芯片节省空间提高消费电子和工业应用的能效
意法半导体高压宽禁带功率转换芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65两款产品，适合最大功率100W和65W的单开关管准谐振 (QR)反激式功率转换器。这个尺寸紧凑、高集成度的...
分类：新品快报 时间：2023/5/19 阅读：317 关键词：功率转换芯片
作为提供不间断连接的关键，许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。 氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙半导体材料，越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、...
时间：2023/5/18 阅读：160 关键词：氮化镓
ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT！
全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务...
分类：新品快报 时间：2023/5/17 阅读：277 关键词：ROHM
Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同类产品中拥有出色的稳健性、易用性和高效率
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN? 650 V 氮化...
分类：新品快报 时间：2023/5/16 阅读：257 关键词：电子
意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片，保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动
意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑，以及低静态电流、3.5V-38V 宽输入电压等优势。 L6983i适合需要隔离式 DC-DC 转换器应用...
分类：新品快报 时间：2023/5/16 阅读：438 关键词：降压转换器
Nexperia推出支持低压和高压应用的E－mode GAN FET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系...
分类：新品快报 时间：2023/5/10 阅读：460 关键词：Nexperia
该公司表示：“分立式和集成式功率级器件组合为设计人员提供了必要的灵活性，以满足他们对符合 JEDEC 标准 JESD47 和 JESD22 的工业应用的特定需求。” 提供 DSO-20-85...
