ROHM的650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2025-02-18 10:15:51 | 397 次阅读

  ROHM(总部位于日本京都市)已将TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小,散热性能出色,还具有优异的电流容量和开关特性,因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地采用。此次,ROHM将封装工序外包给了作为半导体后道工序供应商(OSAT)拥有丰富业绩的日月新半导体(威海)有限公司(ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.,以下简称“ATX”)。

  为了实现无碳社会,“提高用电量占全球一大半的电源和电机的效率”已成为全球性的社会问题。功率元器件是提高其效率的关键,SiC(碳化硅)、GaN等新材料有望进一步提高各种电源的效率。ROHM于2023年4月将650V耐压的第1代GaN HEMT投入量产,并于2023年7月将栅极驱动器和650V耐压GaN HEMT一体化封装的Power Stage IC投入量产。为了应对大功率应用中的进一步小型、高效率化的市场要求,ROHM采取在以往的DFN8080封装基础上追加的形式来强化650V GaN HEMT的封装阵容。在TOLL封装中内置第2代元件并实现产品化。
关键词:ROHM

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