维库电子市场网-十六年专注打造电子元器件采购网

Infineon-英飞凌拓展CoolSiC MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出全新封装的CoolSiC MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供Q-DPAK、D2PAK等多种封装，...

时间：2026/1/27 阅读：122 关键词：Infineon

英飞凌新品采用.XT扩散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

EasyPACK? 2C 1200V 8mΩ三电平模块、EasyPACK? 2C 1200V 8mΩ四单元模块以及EasyPACK? 1C 1200V 13mΩ四单元模块，搭载第二代CoolSiC? MOSFET技术，集成NTC温度传感器，采用大电流PressFIT引脚，并预涂2.0代导热界面材料。　　产品型号...

分类：新品快报 时间：2025/11/25 阅读：18737

Infineon-英飞凌推出75 mΩ工业级CoolSiC650 V G2系列MOSFET，适用于具备高功率密度需求的中功率应用场景

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布扩展其CoolSiC650 V G2系列MOSFET产品组合，新增75 mΩ规格型号，以满足市场对更紧凑、更高功率密度系统的需求。该系列器件提供多种封装...

时间：2025/11/5 阅读：132 关键词：Infineon

Infineon-英飞凌扩展其CoolSiC 产品系列，推出专为高功率与计算密集型应用而设计的400V和440V MOSFET

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）通过增加顶部散热（TSC）的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三款额定电压为44...

时间：2025/11/4 阅读：123 关键词：Infineon

Infineon-英飞凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiCMOSFET 1400V G2系列，提升大功率应用中的功率密度

电动汽车充电、电池储能系统，以及商用、工程和农用车辆（CAV）等大功率应用场景，正推动市场对更高系统级功率密度与效率的需求，以满足日益提升的性能预期。同时，这些需求也带来了新的设计挑战，例如，如何在严苛环境条件下实现可靠运...

时间：2025/10/31 阅读：341 关键词：Infineon

体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，已开始量产TOLL（TO-LeadLess）封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品（TO-263-7L）相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支...

时间：2025/10/30 阅读：146 关键词：ROHM

Toshiba-东芝推出采用TOLL封装的第3代650V SiC MOSFET

－三款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度－　　东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新[1]第3代SiC MOSFET...

时间：2025/9/15 阅读：673 关键词：Toshiba