Toshiba-东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
－四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度－ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新...
时间：2025/5/29 阅读：60 关键词：Toshiba
东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件...
分类：新品快报 时间：2025/5/21 阅读：2273 关键词：SiC MOSFET
ROHM-内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯模块 被SMA的太阳能系统采用
全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG（以下简称“SMA”）在其太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX”中采用了内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯功率模块。“Sunny Central FLEX”是为大规模...
时间：2025/5/19 阅读：114 关键词：ROHM
AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET，专为高功率应用能效优化而生
Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 纳斯达克代码:AOSL）推出其新一代（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列产品，旨在为蓬勃发展的工业电源应用市场提供更高能效解决方...
分类：新品快报 时间：2025/5/13 阅读：1902 关键词：AOS
ST 的用于 SiC MOSFETs 和 IGBT 的隔离式汽车栅极驱动器提供了灵活性，可以控制不同功率等级的逆变器，具备可编程保护和诊断功能，允许进行 ISO 26262 ASIL D 认证。 集...
分类：新品快报 时间：2025/5/7 阅读：4708 关键词：栅极驱动器
英飞凌推出 CoolSiC MOSFET 750 G2 技术
英飞凌推出了其 CoolSiC MOSFET 750 V G2 技术，旨在提高汽车和工业电力转换应用中的系统效率和功率密度。 该技术提供了具有典型 R DS(on) 值高达 60 mΩ（25°C 时）的...
分类：新品快报 时间：2025/5/7 阅读：2388 关键词：英飞凌
Infineon - 英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，实现更高的功率密度
电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩展其CoolSiC MOSFET 650 V单管...
时间：2025/2/28 阅读：148 关键词： 英飞凌
ROHM - 罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型
日前，搭载了罗姆（总部位于日本京都市）第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团（以下简称“吉利”）的电动汽车（以下称“EV”）品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起，这...
时间：2025/2/24 阅读：144 关键词： 罗姆
Littelfuse - 业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）M...
时间：2025/2/19 阅读：117 关键词：SiC MOSFET
Littelfuse - 首款新型TPSMB非对称TVS二极管为汽车SiC MOSFET 提供卓越的栅极驱动器保护
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的...
时间：2025/2/18 阅读：106 关键词：Littelfuse
