SiC MOSFET-维库电子市场网

Toshiba-东芝推出具备高浪涌电流能力3300V SiC MOSFET模块，助力提升工业设备可靠性

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出面向工业设备的双SiC MOSFET模块“IX800FXF2YMS4”，进一步扩充了产品线。该模块适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等应用。新模块搭载东芝第三代碳化硅（SiC...

时间：2026/9/28 阅读：129 关键词：Toshiba

ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET

ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实...

分类：新品快报时间：2026/7/13 阅读：15963 关键词：SiC MOSFET

Toshiba-东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。　　随着生成式AI的快速发展，功耗...

时间：2026/5/26 阅读：613 关键词：Toshiba

ROHM-罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC（高压直流供电）架构演进，在这种背景下，罗...

时间：2026/5/25 阅读：507 关键词：ROHM

东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时...

分类：新品快报时间：2026/5/22 阅读：17745 关键词：SiC MOSFET

ROHM开发出第5代SiC MOSFET

ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出新一代EcoSiC——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV（电动汽车）用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电...

分类：新品快报时间：2026/4/22 阅读：22755 关键词：SiC MOSFET

Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200 V SiC MOSFET功率模块提升功率效率

这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案　　日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120...

时间：2026/3/23 阅读：374 关键词：Vishay

Infineon-英飞凌拓展CoolSiC MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出全新封装的CoolSiC MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供Q-DPAK、D2PAK等多种封装，...

时间：2026/1/27 阅读：529 关键词：Infineon