12月27日，据韩国媒体报道，存储芯片三星计划将在明年扩大其位于韩国平泽市的芯片制造厂——P3工厂的产能。据记者了解，该工厂还将根据代工合同增加4纳米芯片产能，计划明年新购至少10台EUV光刻机。
众所周知，当前DRAM市场正处于下行期。TrendForce表示，DRAM价格自年初以来就一路走跌，下半年合约价每季跌幅更超过10%，需求市场的严峻，很多厂商都选择降低产能。12月21日，美国存储芯片巨头美光宣布，计划裁员10%，以应对消费电子产品和芯片需求走软。SK海力士曾表示，为应对市场环境，其资本支出将保持灵活。
三星作为该领域的龙头老大，今年第三季度在全球DRAM市场保持第一的位置，但市场份额有所下降。根据市场研究公司Omdia的数据，今年第三季度全球DRAM销售额为175.48亿美元，较上一季度的249.84亿美元下降29.8%。三星第三季度的DRAM市场份额为40.6%，比上一季度的43.4%下降了2.8%。
但三星不仅不打算削弱内存产出，还准备逆势而行，计划明年增加P3工厂的DRAM设备，扩大其DRAM存储芯片所需的12英寸晶圆产能，预计每月可生产7万片12英寸晶圆，截至今年第三季度，三星电子的整体DRAM晶圆月产量为66.5万片。
此外，该工厂还将根据代工合同增加4纳米芯片产能，计划明年新购至少10台EUV光刻机，目前数量为40台。
在技术研发方面，其利用12纳米级制程工艺成功开发出16Gb DDR5 DRAM，并在近与AMD完成了兼容性测试。据悉这款产品是业界的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。三星表示，为了抢占逐渐扩大的DDR5市场，计划从明年开始批量生产，并向数据中心和人工智能等领域客户供货。
三星电子副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee表示：“三星12nm级DRAM将成为推动整个市场广泛采用DDR5 DRAM的关键因素。凭借卓越的性能和能效，我们希望新款DRAM能够成为下一代计算、数据中心和AI驱动系统等领域更可持续运营的基础。”
