HBM芯片之争愈演愈烈

类别:行业趋势  出处:网络整理  发布于:2024-07-09 10:46:53 | 495 次阅读

  韩国芯片制造商SK海力士 (SK Hynix Inc.)与其全球同行一样,基本上都是内部设计和生产半导体,包括高容量存储器 (HBM),不同于AI芯片,其需求正在爆炸式增长。
  然而,对于下一代AI芯片HBM4,该公司计划将芯片制造外包给代工厂或合同芯片制造商,有可能的是台湾半导体制造股份有限公司 (TSMC)。
  进一步的是,这家韩国芯片制造商正在积极寻找人才,以推进自己的 HBM 技术并购外包。该公司的主要猎头目标是谁?它的同城竞争对手三星电子公司。
  SK海力士是来自行业头羊三星的全球第二大芯片制造商,近发布的重要招聘信息中有48个与 HBM 相关的职位有经验。
  SK 在招聘事中表示,公司正在寻找拥有 4 年以上工作经验的芯片,通过改进代工工艺和测试逻辑芯片,提高 HBM 逻辑芯片的良率。
  招聘事称,所需能力包括彻底分析代工技术和开发代工设备的能力。
  该公司特别希望招聘 9 名 FinFET 代工工艺的芯片工程师,FinFET 是一种可以提高半导体功率效率的技术。有意者必须拥有 10 年以上的工作经验。
  行业观察人士表示,SK 海力士的招聘计划引发了竞争对手对人才流失的担忧,因为他们难以留住他们。
  三星电子正处于高度备战状态,因为它违反了抵押贷款首次提高工资和改善工作条件的罢工。SK海力士的进步是全行业招聘的一部分,旨在提高技能工人,以利用人工智能热潮,而人工智能热潮正在消耗大量 HBM 等人工智能芯片。
  尽管三星是全球的内存芯片制造商,但在 HBM 领域却远远落后于SK海力士。
  上周,三星正式成立了专门的 HBM 和先进芯片封装团队,以努力赶上SK海力士。
  三星誓言今年将 HBM收益率提高三倍 ,并渴望通过大人工智能芯片设计商Nvidia Corp. 的优质测试。
  业内人士称,SK海力士需要用工程师来研发第六代HBM4,六月份计划于明年开始量产,同时推荐开发和改进下一代3D DRAM芯片和内存处理(PIM)芯片。
  今年4月,SK表示正与台积电合作开发下一代AI芯片。SK海力士主导着对生成式AI计算至关重要的HBM的生产,而这款台湾晶圆代工厂的先进封装技术可帮助HBM芯片和图形处理单元(GPU)高效协同工作。SK海力士表示,两家公司将首先沿着提高HBM封装部基片的性能。HBM通过使用一种称为硅通孔 (TSV) 的加工技术将核心 DRAM 芯片堆栈在基片顶部而制成。基片连接到控制 HBM 芯片的 GPU。SK海力士表示,它已经使用消耗技术制造了可达第四代 DRAM 存储器 HBM3E 的基片,但计划在 HBM4 的基片上采用台积电的先进逻辑工艺,并引入有限的空间内塞入更多功能。
  两家公司节省了合作优化 SK 海力士 HBM 与台积电 2.5D 封装工艺(称为 CoWoS 技术)的集成,同时合作响应与 HBM 相关的常见客户请求。
  三星已为其新成立的HBM团队增加了300名工程师,以开发HBM4芯片。作为仅次于台积电的全球第二大晶圆代工企业,三星可以处理与HBM4相关的所有工艺,包括逻辑芯片设计、封装和生产。三星副董事长全永铉于5月执掌三星设备解决方案 (DS) 部门,该部门负责监管公司的芯片业务,他誓言在未来几年超越HBM领域SK海力士。
  一位业内官员表示:“三星和SK海力士对AI芯片霸主地位的竞争正在升温,首先想到的HBM4芯片方面。三星民众的第一个挑战是让 Nvidia 批准其 HBM 芯片。”
关键词:HBM芯片

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