NTD3055L170G
ON(安森美)
TO-252-3
普通型
贴片式
管装
中功率
制造商 ON Semiconductor 制造商零件编号 NTD3055L170G 描述 MOSFET N-CH 60V 9A DPAK 对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 数据列表 NTD3055L170 产品相片 DPAK_369C PCN 过时产品 Multiple Devices 21/Jan/2010 标准包装 75 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 - 包装 管件 FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能 逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss) 60V 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时) 9A (Ta) 不同Id、Vgs 时的Rds On(值) 170 毫欧 @ 4.5A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 10nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 275pF @ 25V 功率 - 值 1.5W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装 DPAK-3
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