供应Vishay MOSFET管 SI7913DN-T1-GE3 Dual P-Ch 20V 37mohm @ 4.5V

型号/规格：
SI7913DN-T1-GE3
品牌/商标：
Vishay
封装形式：
QFN
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
贴片式
包装方式：
卷带编带包装
功率特征：
中功率

制造商零件编号： SI7913DN-T1-GE3 制造商: Vishay / Siliconix Vishay / Siliconix 说明： MOSFET Dual P-Ch 20V 37mohm @ 4.5V 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息商标: Vishay / Siliconix 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: - 20 V Vgs-栅源极击穿电压 : 8 V Id-连续漏极电流: 5 A Rds On-漏源导通电阻: 37 mOhms 配置: Dual 工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 1.3 W 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PowerPAK 1212-8 封装: Reel 通道模式: Enhancement 下降时间: 70 ns 工作温度: - 55 C 上升时间: 70 ns 工厂包装数量: 3000 典型关闭延迟时间: 72 ns 零件号别名: SI7913DN-GE3

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