供应 SI7913DN-T1-GE3 MOSFET Dual P-Ch 20V 37mohm @ 4.5V

型号/规格：
SI7913DN-T1-GE3
品牌/商标：
Vishay

制造商:Vishay 产品种类:MOSFET RoHS:详细信息商标:VishaySemiconductors Id-连续漏极电流:5A Vds-漏源极击穿电压:-20V RdsOn-漏源导通电阻:37mOhms 晶体管极性:P-Channel Vgs-栅源极击穿电压:8V 工作温度:+150C Pd-功率耗散:1.3W 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:PowerPAK-1212-8 封装:Reel 通道模式:Enhancement 配置:Dual 下降时间:70ns 工作温度:-55C 上升时间:70ns 工厂包装数量:3000 典型关闭延迟时间:72ns 零件号别名:SI7913DN-GE3 在中国电子元器件的基地，有一家专注于世界IC(集成电路)，电容，二三极管，电感，电阻代理分销的公司—璞馨集团国际有限公司，主营电子元件产品被广泛的应用在平民的、工业的军事上的不同领域需求，营销网络遍布广东，辐射全国，远销德国，意大利，美国，欧美，东南亚等国家和地区。公司创办多年以来，一直以诚信为基础，通过不断改善现代化供应管理链，增强在采购、库存、运输、售前后服务、以及资金上的能力，取得了优良的成效。公司以“高质量原厂元件、合理优势价格”为经营理念，以互信互惠为宗旨，以信誉，看长远、求共同发展为目标，竭诚为新老客户提供服务。璞馨将是您可靠放心的电子元件供

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