供应SPW55N80C3

型号/规格：
SPW55N80C3
品牌/商标：
Infineon
产品种类：
MOSFET
封装 / 箱体：
TO-247-3
晶体管极性：
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压：
800 V

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS:符合RoHS 详细信息安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247-3 晶体管极性:N-Channel Vds-漏源极击穿电压:800 V Id-连续漏极电流:54.9 A Rds On-漏源导通电阻:77 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:+/- 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:3 V Qg-栅极电荷:288 nC 工作温度:+ 150 C 技术:Si 封装:Tube 通道模式:Enhancement 商标:Infineon Technologies 配置:Single 下降时间:9 ns 正向跨导 - 值:- 工作温度:- 55 C Pd-功率耗散:500 W 上升时间:21 ns 系列:XPW55N80 典型关闭延迟时间:200 ns 典型接通延迟时间:45 ns

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