MRF1518NT1
NXP
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS 合规性豁免 详细信息
N-Channel
PLD-1.5
制造商:NXP 产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS:RoHS 合规性豁免 详细信息 商标:NXP / Freescale 晶体管极性:N-Channel Id-连续漏极电流:4 A Vds-漏源极击穿电压:40 V 技术:Si 增益:13 dB 输出功率:8 W 工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PLD-1.5 封装:Reel 工作温度:- 65 C 工作频率:520 MHz Pd-功率耗散:62.5 W 系列:MRF1518NT1 类型:RF Power MOSFET Vgs - 栅极-源极电压:+/- 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V 单位重量:280 mg
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