供应ECH8601M-TL-H

型号/规格：
ECH8601M-TL-H
品牌/商标：
ON
制造商：
ON
产品种类：
MOSFET
RoHS：
符合RoHS 详细信息
封装：
ECH-8

制造商:ON Semiconductor 产品种类:MOSFET RoHS:符合RoHS 详细信息安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ECH-8 通道数量:2 Channel 晶体管极性:N-Channel Vds-漏源极击穿电压:24 V Id-连续漏极电流:8 A Rds On-漏源导通电阻:17 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:12 V Qg-栅极电荷:7.5 nC 工作温度:+ 150 C 技术:Si 封装:Reel 商标:ON Semiconductor 配置:Single Quad Drain Dual Source Dual Gate 下降时间:1800 ns 工作温度:- 55 C Pd-功率耗散:1.6 W 上升时间:1000 ns 系列:ECH8601M 晶体管类型:2 N-Channel 典型关闭延迟时间:3000 ns 典型接通延迟时间:300 ns

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