否
LED芯片
EP-G3535A-A3
台湾光宏
绿色
35*35(mil)
2.6~3.8(V)
500~540(nm)
目的 本規格書針對光鋐科技之35milInGaN綠光LED晶粒(EP-G3535A-A3)之相關基本特性進行說明,以作為客戶應用時之參考資料。 产品特性本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaNLED單面雙電極結構,以具有專利之透明導電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmiccontactlayer),並以2um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 外观尺寸长度: 865&plu*n;30um宽度: 865&plu*n;30um厚度: 2&plu*n;0.2um焊垫直径: 100&plu*n;10um焊垫厚度:150&plu*n;10um 光电特性Test parameterConditionMinT*MaxUnitDominant wavelength(Wd)350mA500-540nmRadiant intensity(I)350mAmW/srForward voltage(Vf4)10uA1.7-2.5VForward voltage(Vf1)350mA2.6-3.8VReverse current (Ir)-5V0-2uA
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