采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！ ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）。目前产品阵容中已经拥有适用于车载充电器（OBC）等车载设备应用的“SCS2xxxNHR”8款机型。计划2024年12月再...
时间：2024/11/26 阅读：148 关键词：ROHM
Toshiba - 东芝推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管，助力提高工业设备效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出最新一代[1]用于工业设备的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBDs）——“TRSxxx65H系列”。首批12款产品（均为650V）中有7款产品采用TO-220-2L封装，其余5款采用DFN8×8封装，于今日开始...
时间：2023/8/7 阅读：187 关键词：东芝
Pan Jit 强茂推出用于功率转换系统的新型650V和1200V碳化硅肖特基势垒二极管 TO-247AD Lineup
新型碳化硅肖特基势垒二极管将以零反向恢复电流实现卓越性能，从而确保在严苛的工作条件下降低系统温度 强茂半导体推出了最新的650V和1200V 碳化硅肖特基势垒二极管系列，与硅基础的组件相比，它们提供了出色的开关性能和更高的可靠性。 强...
时间：2022/9/20 阅读：198 关键词：电子
Microchip 推出一代汽车用700 和 1200V 碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）
汽车电气化浪潮正席卷 ，电动汽车搭载的电机、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化硅（SiC）等创新电源技术。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布推出 通过 的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD...
分类：新品快报 时间：2020/12/30 阅读：1372 关键词：Microchip
Microchip 推出最新一代汽车用700 和 1200V 碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）
汽车电气化浪潮正席卷全球，电动汽车搭载的电机、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化硅（SiC）等创新电源技术。MicrochipTechnologyInc.（美国微芯科技公司）今日宣布推出最新通...
分类：新品快报 时间：2020/10/30 阅读：7709
Microsemi 美高森美提供下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V肖特基势垒二极管器件
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号 宣布在下季初扩大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二极管产品组合,包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOS...
（TOKYO：6502）旗下存储与元器件解决方案公司今日宣布推出碳化硅（SiC）（SBD），该二极管将该公司现有产品所提供的正向（IFSM）提高了约70%。新系列八款二极管出货即日启动。这些新的碳化硅肖特基势垒二极管采用的第二代碳化硅工艺制造，与第
日本知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都）近日面向车载、电源设备，开发出高温环境下亦可使用的超低IR肖特基势垒二极管“RBxx8系列”。与传统的车载用整流二极管相比，可降低约40%的功耗，非常有助于电动车（EV）和混合动力车（HEV）等要求更...
分类：新品快报 时间：2012/6/28 阅读：389 关键词：二极管
近日消息，据外媒报道，全球的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨”）宣布开发出了肖特基势垒二极管（SBD）RJS6005TDPP，该器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——这种材料被认为具有用于功率半导
分类：新品快报 时间：2012/2/8 阅读：410 关键词：二极管
Cree公司日前宣布推出Z-Rec650V结型肖特基势垒(JBS)二极管系列，以满足数据中心电源系统要求。新型JBS二极管的阻断电压为650V，能够满足近期数据中心电源架构修改的要求。据行业咨询专家估算，这样可以将能效提高多达5%。由于数据
安森美半导体(ONSemiconductor)推出4款新的30伏(V)肖特基势垒二极管。这些新的肖特基势垒二极管采用超小型0201双硅片无引脚(DSN2)芯片级封装，为便携电子设计人员提供业界最小的肖特基二极管和同类的空间性能。这些新的肖特基二
东芝电子开发出一款低泄漏电流、低正向电压的肖特基势垒二极管——1SS420。该器件适用于手机和数码相机等移动产品。据介绍，东芝的1SS420二极管在反向电流(IR)为5μA(电压为30V)时，与传统产品1SS388(40V/100mA)相比，正
东芝电子开发出一款低泄漏电流、低正向电压的肖特基势垒二极管——1SS420。该器件适用于手机和数码相机等移动产品。据介绍，东芝的1SS420二极管在反向电流(IR)为5μA(电压为30V)时，与传统产品1SS388(40V/100mA)相比，正
