IR/国际整流器
IRF1404PBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
类型:经销商
电话:
手机:15817468549
联系人:何丽贤
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 TEL:158 1746 8549 Q Q :1160453817(海纳百川) 华强北中航路新亚洲2期N2B071
标准包装 50
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
包装 管件
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源*电压 (Vdss) 40V
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 202A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) 4 毫欧 @ 121A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 196nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 5669pF @ 25V
功率 - *大值 333W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB