AO
AO8801/AO8803
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
类型：经销商
电话：
手机：15817468549
联系人：何丽贤
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 TEL:158 1746 8549 Q Q :1160453817(海纳百川） 华强北中航路新亚洲2期N2B071
标准包装 3,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 阵列
系列 -
包装 带卷 (TR)
FET 类型 2 个 P 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 4.5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 42 毫欧 @ 4.5A， 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 11nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 905pF @ 10V
功率 - *大值 1.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装 8-TSSOP
