IR/国际整流器
IRF8707GTRPBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
11A
30V
2.5W
类型:经销商
电话:
手机:15817468549
联系人:何丽贤
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 TEL:158 1746 8549 Q Q :1160453817(海纳百川) 华强北中航路新亚洲2期N2B071
数据列表 | IRF8707GTRPBF |
产品相片 | 8-SOIC |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | HEXFET® |
FET类型 | MOSFET N通道,金属氧化物 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
漏源*电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏*(Id)(25° C时) | 11A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On(*大值) | 11.9毫欧@ 11A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(*大值) | 2.35V @ 25µA |
不同Vgs时的栅*电荷(Qg) | 9.3nC @ 4.5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 760pF @ 15V |
功率-*大值 | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
包装 | 带卷(TR) |
类型:经销商
电话:
手机:15817468549
联系人:何丽贤
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 TEL:158 1746 8549 Q Q :1160453817(海纳百川) 华强北中航路新亚洲2期N2B071
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司