FQPF10N60C- N 通道MOS 大电流场效应管功率场效应管

品牌/商标：
FAIRCHILD/*童
型号/规格：
FQPF10N60C
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
SW-REG/开关电源
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
N-FET硅N沟道

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新品上架

商品信息 更新时间：2014-09-05

制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
晶体管*性: N-Channel
汲*/源*击穿电压: 600 V
闸/源击穿电压: /- 30 V
漏*连续电流: 9.5 A
Drain-Source On Resistance: 730 mOhms
配置: Single
*大工作温度: 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220F
封装: Tube
下降时间: 77 ns
*小工作温度: - 55 C
功率耗散: 50 W
上升时间: 69 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 144 ns
*件号别名: FQPF10N60C_NL