场效应管 MOSFET N D2-PAK 60V 83A

• 晶体管*性:N沟道
• 电流, Id 连续:84A
• 漏源电压, Vds:60V
• 在电阻RDS（上）:12mohm
• 电压 @ Rds测量:10V
• 阈值电压 Vgs:4V
• 功耗 Pd:170W
• 工作温度*小值:-55°C
• 工作温度*高值:175°C
• 晶体管封装类型:TO-263
• 针脚数:3
• MSL:MSL 1 -无限制
• SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2013)
• 封装类型, 其它:D2-PAK
• 工作温度范围:-55°C 至 175°C
• 漏*电流, Id *大值:84A
• 热阻, 结点至外壳A:0.9°C/W
• 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
• 电压, Vds:60V
• 电压, Vds 典型值:60V
• 电压, Vgs *高:4V
• 电流, Idm 脉冲:330A
• 通态电阻 @ Vgs = 10V:12mohm
• 阈值电压, Vgs th *高:4V

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