IRF540 N 沟道 MOS 管 特性 ‘Thrench’工艺 低的导通内阻 快速开关 低热敏电阻 综述 使用沟渠工艺封装的 N 通道增强型场效应功率晶体管 应用： DC 到 DC 转换器 开关电源 电视及电脑显示器电源 IRF540 中提供的是 SOT78(TO220AB)常规铅的包裹。 IRF540S中提供的是SOT404(D PAK)表面安装的包裹。 管脚 管脚 1 2 3 Tab 描述 Gate Drain Source Drain 极限值 系统值依照限制值 符号 V_DSS 参数 漏源极电压 条件 Tj= 25 ?C to 175?C 值 值 100 单位 V V_DGR V_GS I_D I_DM P_D Tj，Tsig 漏门极电压 门源极电压 连续漏电流 Tj = 25 ?C to 175?C; RGS = 20 k Tmb = 25 ?C; VGS = 10 V -55 100 ± 100 175 V V A A A W ℃ 脉冲漏电流 总功耗 操作点和 存储温度 Tmb = 100 ?C; VGS = 10 V Tmb = 25 ?C Tmb = 25 ?C 雪崩能量极限值 符号 参数 非重复性雪 崩能量 非重复 性雪崩电流 条件 Unclamped inductive load, IAS = 10 A; tp = 350 ?s; Tj prior to avalanche = 25?C; VDD ≤ 25 V; RGS = 50 ; VGS = 10 V; refer to fig:14 值 值 230 23 单位 mJ A E AS I AS 热敏电阻 符号 参数 安装底座交界 处的热阻 周围环境热阻 条件 值 - 典型值 60 50 值 1.5 - 单位 K/W K/W K/W Rthj ? mb Rthj ? a SOT78 封装，自由空间 SOT404 封装，PCB 上 - 电特性 25℃ 除非另有说明 符号 参数 漏源极崩溃电压 条件 值 100 Tj = -55?C 89 2 Tj = 175?C Tj = -55?C 1 Tj = 175?C 典型值 值3 单位 V V V V V mΩ mΩ V( BR ) DSS VGS =0V； I D =0.25mA VGS (TO ) 门阀电压 VDS = VGS ; ID = 1 mA RDS (ON ) 漏源极导通电阻 VGS = 10 V; ID = 17 A g fs 向前跨导 门源极泄漏电流 0门极电压漏电流 VDS =25V; I D =17A VGS =±20 V; VDS =0V VDS = 100 V; VGS = 0 V VDS=80V;VGS=0V;Tj= 175?C ID = 17 A VDD = 80 V; VGS = 10 V 8.7 - 15.5 10 0.4 3.5 4.5 - S nA uA uA nC nC nC ns ns ns ns nH nH I GSS I DSS Qg (tot ) Qgs Qgd Td Tr Td Tf Ld Ld off on 总共门极电荷 门源极电荷 门漏极电荷 开启延迟时间 开启上沿时间 关闭延迟时间 关闭下沿时间 内部漏电感 内部漏电感 VDD = 50 V; RD = 2.2 ; VDD = 10 V; RG = 5.6 Resistive load Measured tab to centre of die Measured from drain lead to centre of die (SOT78 package only) - Ls 内部源极电感 Measured from source lead to source bond pad - 7.5 - nH CiSS CoSS CrSS 输入电容 输出电容 反馈电容 VGS = 0 V; VDS = 25 V; f = 1 MHz 109 pF pF pF 反向二极管极限值及特性 符号 参数 条件 值 典型值 值 单位 IS I SM VDS t rr Qrr 连续源极电流 脉冲源极电流 二极管正向电压 反向恢复之间 反向恢复命令 I F =28A； VGS =0V - 0. 92 1.5 - A A V ns nC I F =17A； VGS =0V; -d I F /dt=100A/us; VR =25V 底座温度-自然功率降低百分比 图 1：自然功率损耗 底座温度-漏电流降低百分比 图 2 ：自然持续漏电流 漏源极电压-脉冲漏极电流峰值 图 3 ：安全操作区域 脉宽-瞬态热阻抗 图 4：瞬态热阻抗 漏源极电压-漏极电流 图 5：典型输出特性 漏极电流-漏源极导通阻抗 图 6：典型导通阻抗 图 7：典型传递特性 图 8：典型跨导 图 9：漏源极导通阻抗 图 10：门阀电压 图 11：阈漏极电流 图 12：典型电容值 图 13：典型的反向二极管电流 图 14：允许非重复性雪崩电流(IAS)和雪崩的时间

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