FDB6670AL
结型JFET
新品
ALGaAS铝镓砷
耗尽型
N沟道
企业名：丰尔电子有限公司
类型：生产企业
电话： 13590258862
联系人：杨俊杰
地址：广东深圳中国 广东 深圳 深圳市福田区 深圳市福田区华强路华强电子世界10A051
FDB6670AL中文资料：
以
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| 制造商*件编号 | FDB6670AL |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单路 |
| 系列 | PowerTrench? |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 6.5 毫欧 @ 40A, 10V |
| 漏*至源*电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 80A |
| Id 时的 Vgs(th)（*大） | 3V @ 250μA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 33nC @ 5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 2440pF @ 15V |
| 功率 - *大 | 68W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D2Pak (2 引线 接片), TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 包装 | 带卷 (TR) |
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