MOSFET/场效应管 SI2306

产品型号：SI2306

产品封装：SOT-23

产品品牌：HC/浩畅

是否环保：无铅环保

包装：3000PCS

N沟道增强型功率MOSFET

漏极-源极电压（VDS）:30V

漏极电流（ID）:3.5A

漏源电流脉冲IDM:-15A

栅源电压（VGS）: ±20V

结温（TJ）:150℃

储存温度（TSTG）:-55~150℃

耗散功率（PD）:1.25W

栅源极开启电压VGS(th):1.0 ~ 3.0V

栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA

深圳贴片MOS管制造厂家现货批发原装低压MOS场效应管：  SI2300   

SI2301   SI2302  SI2303   SI2304   SI2305 SI2306   SI2307   SI2312   

SI2314  SI2321   SI2323 SI2308  SI2309  SI2311  AO3400    AO3401   

AO3402   AO3404   AO3406   AO3407   AO3409   AO3415   AO3416   

AO4435   SI9435  SI9926  SI4953  SI8205S   SI8205A   IRLML2402   

IRLML2502    IRLML6401   IRLML6402 XP151A13A0   XP152A12C0   

BSS138   FDN338   2SK3018等低压MOS场效应管！

N沟道MOS管的结构及工作原理

 

N沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及工作原理

结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109W，但在要求输入电阻更高的场合，还是不能满足要求。而且，由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻，在高温条件下工作时，PN结反向电流增大，反偏电阻的阻值明显下降。与结型场效应管不同，金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）的栅极与半导体之间隔有二氧化硅（SiO2）绝缘介质，使栅极处于绝缘状态（故又称绝缘栅场效应管），因而它的输入电阻可高达1015W。它的另一个优点是制造工艺简单，适于制造大规模及超大规模集成电路。

企业名：深圳市浩畅半导体有限公司

类型：生产制造商

电话： 0755-83558511

手机：18938888178

联系人：黄辅乾

QQ：

微信：

邮箱：1967493414@qq.com

地址：广东深圳福田区华强北街道海外装饰大厦A座