TK20A25D应用

•开关稳压器

TK20A25D特性

(1) 低漏源极导通电阻: RDS(ON) = 0.073 Ω (typ.)

(2)低漏电流: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 250 V)

(3) 增强模式: Vth = 1.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

TK20A25D包装和内部电路

TK20A25D产品一般信息

数据列表Mosfets Prod Guide;

TK20A25D;标准包装50包装管件类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列π-MOSVII规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）250V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）20A（Ta）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）3.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）55nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）2550pF @ 100VVgs（值）±20VFET 功能-功率耗散（值）45W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）100 毫欧 @ 10A，10V工作温度150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220SIS封装/外壳TO-220-3 整包

企业名：湖人半导体（深圳）有限公司

类型：贸易/代理/分销

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