FDB082N15A产品说明

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench® 工

艺生产，这一先进工艺是专为限度地降低导通电阻并保持卓

越开关性能而定制的。

FDB082N15A产品特性

• RDS(on) = 6.7 mΩ （典型值） @VGS = 10 V, ID = 75 A

• 快速开关速度

• 低栅极电荷， QG = 64.5 nC （典型值）

• 高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)

• 高功率和高电流处理能力

• 符合 RoHS 标准

FDB082N15A产品应用

• 用于 ATX/ 服务器 / 电信 PSU 的同步整流

• 电池保护电路

• 电机驱动和不间断电源

• 微型太阳能逆变器

企业名：湖人半导体（深圳）有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-82578272
0755-82577852

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联系人：王小姐/雷小姐

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