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NCE01P13K TO-252电源MOSFET

NCE01P13K TO-252电源MOSFET
NCE01P13K TO-252电源MOSFET
  • 型号/规格:

    NCE01P13K

  • 品牌/商标:

    NCE

  • 封装形式:

    TO-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • VSD:

    -1.2V

  • IS:

    -13A

  • IDSS:

    1μA

  • IGSS:

    ±10μA

  • PDF资料:

    点击下载PDF

普通会员
  • 企业名:深圳黄金树科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-33160613

    手机:13510537787

    联系人:何小姐

    QQ: QQ:370533363QQ:2033970049

    邮箱:sale01@goldtreeic.com

    地址:广东深圳深圳市龙华新区清祥路清湖科技园B栋627-628室

商品信息

深圳黄金树科技有限公司代理国内MOSFET,IC 集成电路,桥堆 二三极管 可控硅等电子产品, 产品主要应用于UPS、EPS、逆变电源、工业控制板、变频电源、开关电源、电力操作电源、小家电,新能源,汽车电子等高科技行业,并致力于推广供应环保无铅的绿色产品。 我们本着“诚信经营,互惠互赢”的理念贯穿供应,销售,服务的始终。我们始终将“创新,进取,诚信合作,品质优先,客户至上,服务全面”作为商务合作发展的基石,愿我们持续,共同发展!深圳黄金树科技有限公司是国内外的电子元器件混合分销商,成立于深圳龙华区,主要产品有SPM、IGBT、MOSFET、FRD(快恢复)、可控硅、光耦、IC、MCU等。代理品牌有:无锡新洁能(NCE),江苏捷捷微(JJM),福斯特(FIRST),台湾博盛(POTENS),优势现货品牌有UTC友顺,安森美(ON),英飞凌(Infineon) ,NXP,ADI,RICHTEK,TI等。

新洁能NCE01P13K 原装现货,欢迎来电咨询合作

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE01P13K uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can
be used in a wide variety of applications. It is ESD protested.
General Features
VDS =-100V,ID =-13A
RDS(ON) <200m @ VGS=-10V (Typ:170m)
Super high dense cell design
Advanced trench process technology
Reliable and rugged
High density celldesign for ultra low on-resistance
Application
Power switch 
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Device Package
Reel Size
Tape width
Quantity
NCE01P13K NCE01P13K TO-252-2L -
- -
Absolute Maximum Ratings (TC=25unless otherwise noted)
Parameter Symbol Limit Unit
Drain-Source Voltage
VDS
-100 V
Gate-Source Voltage
VGS
±20 V
Drain Current-Continuous
ID
-13 A
Drain Current-Continuous(TC=100) ID (100) -9.2 A
Pulsed Drain Current
IDM
-52 A
Maximum Power Dissipation
PD
40 W
Derating factor
0.27 W/
Single pulse avalanche energy (Note 5) EAS 110 mJ 

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类型:贸易/代理/分销

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