DMN10H120SE-13进口原装现货

描述

这一新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通电状态。

电阻（rds（on）），同时保持优越的开关性能，

使其成为高效电源管理应用的理想选择。

DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

制造商:  Diodes Incorporated  

产品种类:  MOSFET    

安装风格:  SMD/SMT  

封装 / 箱体:  SOT-223-4  

通道数量:  1 Channel  

晶体管极性:  N-Channel  

Vds-漏源极击穿电压:  100 V  

Id-连续漏极电流:  3.6 A  

Rds On-漏源导通电阻:  110 mOhms  

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.5 V  

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V  

Qg-栅极电荷:  10 nC  

工作温度:  - 55 C  

工作温度:  + 150 C  

配置:  Single Dual Drain  

Pd-功率耗散:  2.1 W  

通道模式:  Enhancement  

封装:  Cut Tape  

封装:  MouseReel  

封装:  Reel  

系列:  DMN10  

晶体管类型:  1 N-Channel  

商标:  Diodes Incorporated  

CNHTS:  8541290000  

下降时间:  2.5 ns  

HTS Code:  8541290095  

MXHTS:  85412999  

产品类型:  MOSFET  

上升时间:  1.8 ns  

工厂包装数量:  2500  

子类别:  MOSFETs  

TARIC:  8541290000  

典型关闭延迟时间:  11 ns  

典型接通延迟时间:  3.8 ns  

单位重量:  112 mg

企业名：深圳市宇集芯电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-28708773
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